高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

用于大功率控制的集成电路

引言 纵向功率器件正被用在一种新型的大功率控制集成电路方面这些纵向器件比起用在线性技术中的传统的平面器件提供了很大的改进。在新的器件中,一个大电流接触（集电极或者漏）放在心片的背面。这使得在芯片的上表面基极/栅和发射极/漏接触及金属版图设计具有高度对称。这种大电流,大功率器件与提供控制,接口和保护功能的平面集成电路技术单片地集成在一起。     

科技论文撰写系列讲座（五）——图表的处理

引言以上4期讲座,第1讲是介绍如何撰写综述文章,其他3讲分别介绍了论文材料准备;题目、关键词与摘要的写法;正文的写法。本讲讲论文中图表的处理方法。1图表的作用很多作者在写论文时候往往忽视图表的作用,其实打开国际会议论文,出了纯人文科学领域论文之外,所有科技论文可以说毫无例外的都有图表。图表在科技论文中     

生物传感器的现状及发展趋势

<正> 一、前言 微电子学技术近年来得到了迅速发展,成为目前最富有生命力、最富有魅力的科学领域之一。超大规模集成电路技术可以将100万位存储单元或整个计算机做     

采用Ti/TiW/Au栅制作Si衬底上CaAs MESFET与集成电路

本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。     

利用自学原则对地质目标进行识别

介绍了利用图像识别方法对各种地球物理资料进行综合识别以达到对所研究地质目标进行统计分类及解决地质填图等目的的自学识别模块,就其方法原理和算法进行了详细的论述.并经实验验证了它的可行性.     

高频大功率晶体管

随着信息量的增大,要求在高频下具有高性能、高可靠性的通讯设备。高频大功率晶体管在朝以上目标努力中起了很大作用。首先如图1所示,看一下达到目前最高水平的高频大功率晶体管的工作频率和输     

大规模集成电路的组装技术

初期的集成电路只是把分立元件组装起来的电路。而近几年来,已完成了由小规模集成到大规模集成的进展。象这样把具有多种功能的电路封装在一起,组装工艺的经济性和可靠性就愈加被重视起来。本文主要是关于组装工艺,尤其是对制造成本、废品占有主要地位的键合,以引线连接和叩焊为中心论述一下。     

盐酸氧化及其在金属氧化物半导体大规模集成电路中的应用

已知在用热氧化制作金属氧化物半导体大规模集成电路(MOS LSI)的栅氧化膜时,如果在气氛中加入少量氯化氢(HCI),则可减少可动离子造成的不稳定,减少表面能级以及增大少子寿命等,可望对于控制阈值电压和提高电荷耦合器件的传输效率也有好处。另外,显然HCl要对硅产生汽相腐蚀,所以对上述的氧化机理及可以提高性能的原因尚不十分清楚,并希望获得有关可靠性的数据。     

化学汽相淀积设备

化学汽相淀积(CVD)是最近开始普遍用于集成制造工艺并向实用化急速发展的一门技术。但是还有与化学汽相淀积相类似的物理汽相淀积(PVD),物理汽相淀积可以看作是蒸发、溅射等与化学反应无关的技术。如所周知,化学汽相淀积的基本想法是把包含欲生长物质的元素的气体与携带气体一同通入系统,在衬底上经过热解、氧化、还原等化学反应,析出所要生长的物质。目前,CVD技术包括外延生长技术,正以生成氧化膜,氮化膜,金属薄膜等多种形式被广泛采用,它的重要性,应该看作与其他组合工艺占同等地位。估计CVD将来的发展技术是配合离子注入等技术,把它的应用范围扩大到集成工艺之外。本文就CVD设备的考虑方面、现状、以及CVD技术将来的方向等问题作一介绍,其中的硅外延技术因有另文介绍故省略。