微压传感器的研制

一、引言 目前国内半导体压阻式的微量程压力传感器生产尚未成型,处于研制阶段,主要存在下列问题:1.机械加工不能制造出膜片极薄的硅杯;2.在膜片极薄的情况下无法控制     

P+N+器件压磁电效应的研究

用载流子连续方程研究了一个侧面设置坑复合区的双注入Ｐ＾＋πＮ＾＋器件的压磁电效应，给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系，结果表明，当四个Ｐ＾＋πＮ＾＋器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥，制造在Ｃ型硅杯的硅膜片上，不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度，而且可以用来测量磁场的旋转角度。