稀土石膏常压酸化法制备硫酸钙晶须的研究

以含稀土的石膏为原料运用常压酸化法合成硫酸钙晶须,探讨了不同工艺条件对生成的硫酸钙晶须形貌的影响,同时还考察了晶型助长剂的种类和晶型助长剂的含量对硫酸钙晶须生长的影响,利用SEM和XRD分别对硫酸钙晶须的表面形貌、物相特征做了表征分析。实验得到制备硫酸钙晶须的最佳的反应条件：稀土石膏质量浓度为0.22 g/mL、反应时间为25 min、盐酸浓度为2.8 mol/L、反应温度为70 ℃、陈化时间为4 h,在此条件下合成的硫酸钙晶须平均长度为61 μm,平均长径比为30.5;通过对比实验选出了CuCl₂作为促进硫酸钙晶须生长的助长剂,在添加5%（质量分数）的CuCl₂的情况下可使硫酸钙晶须长径比从30.5增至41,长度从61 μm增至81 μm。     

口腔正畸中瓷修复体托槽间接粘接的实验与临床应用研究

研究了口腔正畸间接粘接中瓷修复体与托槽粘接强度受到粘接处理方式和粘结剂的影响及其临床应用效果。粘接处理方式分为陶瓷偶联剂+氢氟酸酸蚀+喷砂组(A组)、氢氟酸酸蚀+喷砂组(B组)和陶瓷偶联剂+喷砂组(C组):选定4种粘结剂:Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型、京津化学固化型粘结剂，每组按照4种材料各粘接烤瓷试件16个。统计分析3个组抗剪切强度、粘结剂残留情况。结果表明:A、B组Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型和京津化学固化型粘结剂的抗剪切强度均高于C组(P <0.05); A、B和C组粘结剂总残留率逐渐降低(P <0.05)。其中A组Ormco光固化型、3M化学固化型、西湖化学固化型粘结剂残留率均低于B、C组(P <0.05)，京津化学固化型粘结剂残留率低于C组(P <0.05)。说明间接粘接中瓷修复体托槽粘接强度受到粘结剂材料和粘接处理方式的直接影响，采用Ormco光固化型粘结剂，并结合表面打磨、氢氟酸酸蚀等表面处理方法更能提升瓷修复体托槽粘接强度，临床应用结果显示这种瓷修复体托槽粘接方法的有效性。     

C型地铁动力系统能耗测试与分析

地铁是一种耗能巨大的动力交通工具,其能耗数据的采集及分析对于整个运营能耗分析极为重要,其中影响最大的是动力系统的能耗。结合上海某C型地铁的能耗试验,分析列车在不同工况下的整车能耗、牵引能耗、再生制动回馈能量、制动电阻能耗和辅助能耗等数据,为后期运营策略的选择及节能优化提供参考。     

高比例可再生能源并网条件下的输电网柔性规划

高比例可再生能源并网减少了电网的可控资源,增加了电网源荷平衡的不确定性和源荷发展的不确定性。现提出了在输电网渐进规划的框架内嵌入柔性规划模型,并建立输电网渐进柔性规划体系的输电网规划方法,该方法在多阶段规划的基础上建立了输电网渐进柔性规划体系,扩展了多阶段规划的概念。以RTS-79系统为基本算例,验证了渐进规划的可行性,并将其与多阶段规划进行比较,不同权重的对比分析说明了渐进规划模型的有效性和优势。     

白云鄂博稀土尾矿酸浸渣制备白炭黑

以白云鄂博稀土尾矿酸浸渣作为原料进行了制备白炭黑的可行性试验,试验分别对硅浸出过程中的焙烧温度、时间以及焙烧药剂用量进行了研究。试验结果表明：以白云鄂博稀土尾矿酸浸渣和NaOH为原料,在熔盐体系下700 ℃煅烧2 h,酸浸渣中的SiO₂浸出率达93%以上;用X射线衍射仪、红外光谱仪对所制白炭黑的分析表明,所制备的白炭黑为无定型的水合二氧化硅。     

煤矿井下杂散电流的产生及防治措施分析

通过对井下架线式电机车直流牵引网络系统中杂散电流分布规律的研究,根据数学模型的计算,确定了影响杂散电流大小的因素,有针对性地提出了杂散电流的防治措施,对掌握和治理杂散电流有较大的帮助。     

人孔管座焊缝超声波检测非缺陷回波的确定

对人孔管座焊缝100%超声波检测时,发现其轮廓界面回波.经过定性定量分析后,确定此回波为非缺陷回波.为以后的检测实践提供了一些经验.     

高等院校数字化校园建设研究

针对目前我国高校数字化校园建设存在的统筹规划力度不够、组织不力、信息缺乏有效共享等主要问题,总结了各高校根据各自的实际情况所提出的适应其数字化建设的建议和方法;从个人服务、教学、办公方面给出了高校数字化校园的建设目标,具体步骤为加强校园基础设施建设,组织具有较高素质的工作队伍,建立CIO机制,规避风险,分步实施,加大宣传和协调力度等,为高校发展指出了新的方向。     

射线检测、全自动和手动超声检测对缺陷检出的比较

2006年2月20-23日，由中国石油天然气管道局海洋管道公司、中国特种设备检测研究中心（以下简称特检中心）、中国石油天然气管道局北方检测中心（以下简称北检中心）和中油管道机械制造有限责任公司（以下简称中油公司）共同对拟开发的伊朗海上石油管道工程作焊接缺陷标样。标样采取埋藏人工缺陷，焊缝焊接完毕后，分别进行射线检测（RT）、全自动超声检测（AUT）和手动超声检测（MUT），最后对缺陷部位作横断面解剖。     

p-GaN在不同掩膜和刻蚀气体中的ICP刻蚀

p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性.对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的刻蚀掩膜层(SiO2,Si3N4和光刻胶)对AlGaN上p-GaN的选择性刻蚀结果,利用原子力显微镜(AFM)对刻蚀沟槽的表面形貌进行表征,并通过I-V测试其电学性能.结果显示,以Cl2/N2/O2为刻蚀气体,且体积流量为18,10和2 cm3/min时,p-GaN刻蚀速率稳定且与AlGaN的刻蚀选择比较高(约30),并且可使p-GaN刻蚀自动停止在AlGaN界面处.此外,以Si3N4作为刻蚀掩膜,可以获得表面光滑、无微沟槽且侧壁垂直度较好的沟槽结构.采用上述刻蚀工艺制备的GIT结构器件的漏端关态电流相比肖特基栅降低约2个量级,阈值电压约为0.61 V,峰值跨导为36 mS/mm.