高熵氧化物的制备及应用研究进展

高熵氧化物作为近几年发展起来的新型氧化物体系，打破了传统掺杂氧化物的设计理念，由五种及以上氧化物以等摩尔或近等摩尔构成，因其具有简单的结构和优异的性能等受到国内外研究人员的广泛关注。高熵氧化物由于多主元且主元之间混乱排列，易形成岩盐型、氟化钙型、尖晶石型或钙钛矿等固溶体结构，从而表现出优异的性能，尤其在能源存储材料和磁性材料方面有十分广阔的应用前景，但目前对高熵氧化物应用研究较少。本工作介绍了国内外高熵氧化物的制备方法，主要包括固相法、热解法、共沉淀法、水热合成法和液相燃烧合成法等，比较了各方法的优缺点和发展前景；归纳了高熵氧化物作为锂离子电极材料、巨介电材料、磁性材料和催化材料等方面的应用；指出了高熵氧化物目前研究存在的问题，讨论了解决措施，展望了高熵氧化物未来的发展趋势。     

基于塑性区分布形态的软弱破碎巷道围岩控制原理研究

以平煤股份六矿北二进风石门软弱破碎巷道围岩为研究对象,采用理论分析、数值模拟和现场实测相结合的方法,分析巷道围岩塑性区分布形态特征,研究侧压系数、内聚力与内摩擦角对塑性区的影响程度。研究结果表明:巷道围岩塑性区主要存在圆形、椭圆形、圆角矩形和蝶形4种分布形态,侧压系数、内聚力与内摩擦角共同影响塑性区的分布形态及其范围;内聚力与内摩擦角对圆形和椭圆形塑性区的影响较小,而蝶形塑性区对内聚力与内摩擦角非常敏感,主要表现为4个蝶叶随内聚力与内摩擦角的增大而快速退化,蝶叶尺寸越大,蝶叶的退化速度越快;提高内聚力与内摩擦角在减小巷道围岩塑性区范围的同时,可促使蝶形塑性区向圆角矩形转化。工程实践结果表明,以中空注浆锚索为核心的"锚网喷+全断面中空注浆锚索"分步联合巷道修复支护技术能够保持软弱破碎巷道围岩的稳定性,保障巷道的长期使用。     

应化专业综合实验技能培养模式改革探讨

阐述了应用化学专业综合实验技能培养模式的设计原则,分析了传统综合实验技能培养模式的不利,结合嘉应学院应用化学专业特色,对应化专业综合实验技能培养模式的改革进行了初步探讨,建立了新的综合实验技能培养模式,强调了实验内容的串联性,系统性,注意了能力培养的广泛性,对培养学生的综合素质具有重要意义。     

物理化学与生产生活应用实例

本文收集整理了物理化学在生产生活中的众多具体应用实例,以期在物理化学教学中增强学习兴趣、提高教学成效等方面起到一定程度的促进作用。     

利用冲击球压法评价BFCC冻融下的表面损伤特征

利用冲击球压技术对玄武岩纤维水泥基复合材料在硫酸钠、水、氯化钠三种溶液冻融后的性能进行了研究,分析了冲击荷载–压痕尺寸的关系、冲击荷载–时间的关系、冲击应力–应变的关系及布氏硬度等。结果表明:(1)冻融对材料表层的影响最大也最为迅速,而表层以下的结构仍具有抗冲击性;(2)随着冻融循环次数的增加,冲击荷载–时间图中小球的回弹高度明显降低,材料的塑性变形损伤增大;(3)低荷载下冲击应力–应变关系曲线基本为一条直线,当荷载达到某一临界值后关系曲线呈现非线性;(4)布氏硬度随冻融循环次数的增加呈现先增加后降低的趋势,硫酸钠溶液对玄武岩纤维水泥基复合材料的冻融影响最大。试验表明,利用冲击球压法评价玄武岩纤维水泥基复合材料的冻融损伤是可行的。     

冷轧钢表面磷化膜和硅烷膜的制备与性能

通过在冷轧钢表面进行磷化处理和硅烷化处理,应用极化曲线、硫酸铜点滴和盐水全浸泡测试其耐蚀性能,并对其与有机涂层间的结合力进行评价。结果表明,经硅烷化处理形成的硅烷膜耐蚀性能及与有机涂层间的结合力明显优于未处理的磷化膜。扫描电子显微镜(SEM)显示磷化膜的结构较为疏松,而γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷膜表面致密均匀。     

拟合延时补偿的光声重建

针对传统的反投影算法中,假定声速均匀和延时补偿固定往往使得图像在特定的深度聚焦,在其他深度出现伪影的情况。本文分析了这种假定造成图像质量下降的原因并提出了一种改进的拟合延时补偿(FDC)重建算法,该方法利用拟合的延时补偿代替单一的延时补偿,采用变化的延时补偿进行光声重建。实验对比表明,相比传统的重建算法,该算法明显改善了聚焦效果,能够有效地消除伪影,提高图像质量。     

300kA石墨化异形阴极铝电解槽工艺技术管理

利用电解槽正常大修机会,进行了石墨化异型阴极电解槽试验。比较了异型阴极电解槽与普通槽在电解槽启动、非正常期与正常期工艺技术管理及经济技术指标的差异,为下一步全面技术改造提供了依据。     

基于FPGA的高速数据采集系统设计

为了在提高数据采集卡的速度的同时降低成本,设计了一种应用流水线存储技术的数据采集系统。该系统应用软件与硬件相结合的方式来控制实现,通过MAX1308模数转换器完成ADC的转化过程,采用多片Nandflash流水线数据存储模式对高速采集的数据进行存储。搭建硬件电路,并在FPGA内部通过编写VHDL语言实现了采集模块、控制与存储模块和Nandflash存储功能。调试结果表明,芯片的读写时序信号对应的位置准确无误,没有出现时序混乱,且采集速度能保持在10 Mb/s以上。系统实现了低成本、高速多路采集的设计要求。