基于ARM微处理器的GPRS终端系统设计

本文介绍了一种采用ARM微处理器(S3C4510B)和操作系统μClinux来构建嵌入式系统的开发平台,用以设计GPRS终端系统的方法。     

飞片雷管／EFI雷管和保险与解除保险装置结合使用的MEMS高能作动器

一个EFI或飞片雷管包括一个爆炸箔(或桥丝)、一个飞片和一个隔板(barrel plate)。这个隔板有一个可移动的保险装置(barrier)，它在保险状态时关闭加速膛(barre1)，在解除保险状态时打开加速膛。这个可移动的保险装置从保险状态(关闭状态)滑动到解除保险状态(打开状态)，是由一个MEMS高能作动器控制完成的。这个MEMS高能作动器的一个或多个闭锁装置使可滑动的保险装置处于关闭状态，当受到一个预定的刺激后，闭锁装置打开，释放滑动保险装置，解除EFI或飞片雷管的保险。     

无染料酸性镀铜添加剂的发展状况

综述了无染料酸性镀铜添加剂MN系列的发展状况及几类无染料添加剂的优点和不足,比较了无染料系列添加剂与有机染料系列的性能差异,对目前最好的无染料添加剂系列EPI进行了简要的介绍,并展望了未来添加剂的发展方向.     

卸料车移动定位管控系统的设计与实现

系统采用编码器位移检测技术、PLC可编程序控制器技术、上位机监控技术,配以机械机构设计,实现卸料车位置的实时监测与管控.根据准确的检测数据,计算机进行实时计算处理,达到正确控制卸料车除尘阀开闭及位置检测管控的目的.     

玻璃窑池中液流和热交换三维数值模型：第一部分 数学描述

1.引言尽管玻璃做为重要的材料服务于人类已有数个世纪,但在玻璃生产中,由于其制造过程的物理和化学变化非常复杂,至少在某些方面,还处在技艺阶段.目前,玻璃熔化池窑内发生的物理化学过程还远远未被了解,这方面的进展比人们的期望慢得多.因     

熔窑内玻璃液熔制工况侦测方法与熔制工艺诊断分析

熔窑中进行着复杂的高温物理化学变化过程，完成着从配合料到合格玻璃液的熔制过程。因为高温，人们无法直接观测到玻璃液内部的流动状况，无法测定玻璃液内部的温度分布和流动速度分布，因而无法了解澄清恶化，夹杂物产生，大量波筋以及析晶等熔制故障是如何产生的。运行中的玻璃熔窑犹如鲜活的人体，熔窑内玻璃液熔制工况出了毛病，也需要有熔窑医生进行诊断，通过望、闻、问、诊，采用诊断工具类似X照片，CT扫描等方法，找到熔窑工况毛病所在，才能确定改善熔窑的技术措施，达到治病救窑的目的。有哪些方法可以用来诊断熔制故障呢？经过工程技术人员和研究人员多年的努力，主要发展了如下三种方法用于玻璃熔窑的诊断和侦测。     

铜铈钛复合氧化物的制备及其催化一氧化碳氧化反应的性能

采用共沉淀法制备了不同钛含量的铜铈钛复合氧化物催化剂（Cu0.1CCe0.9-xTixO2,X=0～0．3）,采用微反-色谱评价装置考察了Cu0.1Ce0.9-xTixO2催化CO氧化反应的活性,并采用氮吸附／脱附,X-射线衍射以及程序升温还原等技术对催化剂进行了表征。结果表明,适量Ti（X≤0．15）的加入,提高了Cu0.1Ce0.9-xTixO2催化剂中CuO的分散度,从而提高了其催化活性。而当Ti含量过高（X=0．3）时,Cu0.1Ce0.9-xTixO2催化剂中CuO的分散度反而降低,从而导致其催化活性显著降低。     

蒸馏装置高含硫渣油部位的腐蚀失效分析

结合兰州某加工高硫高酸原油炼厂蒸馏装置渣油系统发生的腐蚀火灾事故，通过对失效设备进行元素含量分析、能谱分析、原子吸收光谱分析和表面形貌及断面形貌观察，认为高温渣油系统的腐蚀主要是高温硫的腐蚀。针对该系统的腐蚀特征，提出应重点采用耐蚀材质和腐蚀监测两项防腐对策。     

基于Dynaform的拼焊板冲压成形压边方法研究

拼焊板技术是板料成形的先进制造技术,具有减少生产成本、降低车重、降低油耗、提高整体性能等优势,已经广泛应用于汽车行业中,但拼焊板成形时存在的破裂、起皱及焊缝移动等问题也相当严重,合理施加压边力可以改善和解决拼焊板成形中的这些问题.本文基于Dynaform平台采用有限元模拟的方法研究拼焊板冲压成形压边方法及其对模具受力、焊缝移动及工件成形质量的影响;基于不破裂前提,从合理压边间隙控制中获得常压边力控制所需的恒定压边力.模拟结果表明:固定压边间隙方式较恒定压边力作用方式有利于板料的冲压成形、减小焊缝的移动和改善模具的受力情况,同时有助于获得拼焊板恒定压边力控制值,提高效率,固定压边间隙法是拼焊板冲压成形中一种有效的压边方法.     

7475铝合金断裂韧性KIC的各向异性

采用标准紧凑拉伸试样测定了7475铝合金T-L和L-T向的平面应变断裂韧性KIC值。利用扫描电镜分析了断口形貌,对7475合金KIC各向异性的程度和机理进行了研究。结果表明:7475合金的断裂韧性具有明显的各向异性,T-L向的KIC约比L-T向低10MPa·m1/2或25%左右。同一取向上,KIC的大小与时效制度及加工工艺有关。