非对称结构相变存储单元制备及性能研究

采用光刻、溅射以及剥离等微纳制备及加工工艺,实现了非对称结构相变存储单元的制备,并对该非对称相变存储单元进行了直流及脉冲电流写入电特性测试,测试结果表明,该非对称相变存储单元可实现非晶态与晶态之间的可逆相变,且脉冲电流写入的特性稳定。当写脉冲宽度分别为20ns、30ns、40ns时,最小写电流分别为1.45mA、1.38mA和1.25mA。写入脉冲宽度一定时,施加的写入脉冲电流越大,写入操作后相变单元相变层非晶化程度越高。     

Al基金属玻璃的研究进展

自AI基金属玻璃被发现以来，其较弱的玻璃化能力以及较强的脆性一直是阻碍其发展的主要因素。目前，金属玻璃的形成机制和结构模型等理论尚不完善。从金属玻璃形成能力判据，Al基金属玻璃的力学、热稳定性等性能以及制备方法等方面综述了Al基金属玻璃的最新研究进展。     

Co-Cr垂直记录软磁盘的研究

本文论述了用射频磁控溅射方法制备Co-Cr垂直记录软盘及其特性。Co-Cr介质的耐磨性与淀积期间的氩气压(PA_r)有很强的依赖关系。我们研制成功的3.5英寸聚酰亚胺/CoCr软盘,当写入电流为4mA时,读出幅度对于500 kHZ频率为320～350 mV,对于1 MHz频率为300 mV。分辨力为85％～93％。     

磁光盘的介质膜材料AlN,AlSiN薄膜的电子显微分析

本文研究了磁光盘介质薄膜－ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的电子显微结构，通过透射电镜分析了ＡｌＮ薄膜的多晶结构和ｃ轴垂直取向；通过Ｘ射线衍射分析、透射电镜分析和Ｘ射线光电子能谱分析，确定了ＡｌＳｉＮ薄膜并不是多晶ＡｌＮ和ＳｉＮ薄膜的简单组合，而是形成了稳定的非晶特征结构。且ＡｌＳｉＮ薄膜由于其非晶结构而比ＡｌＮ薄膜的磁光克尔效应增强效果更优越。     

RE－TM磁光记录薄膜的磁场电效应研究

研究了磁性薄膜磁场电效应的测试方法，ＲＥ－ＴＭ磁光薄膜的测试样品制备、样品的磁场电效应（霍尔效应和磁阻效应）及其温度特性。实验结果表明，制备的ＴｂＦｅＣＯ薄膜的补偿点约为─３８℃。     

相变存储器存储单元瞬态电流测量

介绍了相变存储单元瞬态电流的测量方法。根据相变存储器的工作特性,利用微弱电流取样电阻测量法,合理选择测量参数测得了相变存储单元的瞬态电流,电阻与电流关系特性曲线和动态电阻。并根据测量电路等效电路模型分析影响测量的因素,估算出电路中的分布电容。     

非对称结构相变存储单元的三维模拟与分析

文章提出一种具有非对称结构的新型相变存储器单元结构,并通过有限元方法对该非对称结构相变存储单元进行了三维电热模拟.模拟结果表明,在相同的特征尺寸下,非对称结构相变存储单元的操作电流明显小于传统的对称型T型结构相变存储单元.     

SmCo5垂直磁记录薄膜的研究进展

SmCo5垂直磁化膜具有极高的单轴磁晶各异性,能有效克服当前垂直磁记录介质所面临的超顺磁效应问题,是未来超高密度磁记录介质的候选材料。本文叙述了SmCo5垂直磁记录薄膜制备的国内外发展现状,着重介绍了底层材料和结构对SmCo5垂直磁化膜微观结构和磁性能的影响,同时对今后SmCo5垂直磁记录薄膜的研究方向作了展望。     

基于二分法的混合信号接口板的设计

介绍了一种基于二分算法的混合信号接口板.该接口板可通过编程任意配置测试芯片管脚实现模拟或数字信号输入端口与输出端口的无损连接,可广泛应用于芯片自动化测试领域.本设计采用二分法来实现管脚的分级,采用遍历引脚逐一比较的方式来配置引脚连接,通过控制模拟开关阵列来实现模拟信号的输入与输出端口连接,通过FPGA实现数字信号的输入与输出端口连接.该设计方案利用极少的开关实现了复杂线路的配置,具有较高的资源利用率,极大降低了芯片测试的难度和成本.