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Namsar Orapim Autthawong Thanapat Boonprachai Ruttapol Yu Aishui Sarakonsri Thapanee 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》2022,33(9):6536-6548
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The new nanocomposites of silicon dioxide/reduced graphene oxide (SiO2/rGO) and silicon dioxide/nitrogen-doped reduced graphene oxide... 相似文献
6.
Venhryn Yu. I. Popovych I. D. Serednytski A. S. Kolomys O. F. Luchechko A. P. Strelchuk V. V. 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》2022,33(14):10715-10722
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - The ZnO and TiO2 nanopowders have been prepared by means of the pulsed laser reactive ablation of metallic (Zn, Ti) targets. The Structural,... 相似文献
7.
Zhou Yu Fang Bijun Zhang Shuai Lu Xiaolong Ding Jianning 《Journal of Materials Science: Materials in Electronics》2022,33(14):10977-10989
Journal of Materials Science: Materials in Electronics - 0.95(Li0.02Na0.50K0.48)(Nb0.95Sb0.05)O3–0.05AgTaO3@BaZrO3 (LNKNbSAT@BZ) lead-free ceramics were prepared via a sol–gel... 相似文献
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采用固相反应法制备了四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ(x=0~1.0)多晶。用热重-差示扫描量热分析,X射线衍射研究了多晶的有序化相变及结构。在固溶范围内(x=0~0.4),观察到有序峰(103)和(215),说明四方Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶为超结构,这是由于合成时在1000℃以上发生了吸氧(δ)有序化相变;当x=0.6~1.0时,978℃时在晶界处形成了单斜杂相,破坏了Sr3YCo4-xCuxO10.5+δ多晶的有序。当x=0~0.4时,多晶呈半导体输运行为。随着Cu掺杂量的增加,Co4+提供的空穴载流子浓度增大,电阻率明显下降;由于Cu的固溶,自旋熵增加,载流子浓度和自旋熵的共同作用使x=0~0.2多晶的热电势不变,x=0.4的热电势降低。并且Cu掺杂导致的晶格畸变使Co3+离子由高自旋态转变为高/低自旋混合态,磁化强度和铁磁转变温度(Tc)降低,磁结构由G-型反铁磁转变为铁磁。在进行二次烧结后,300K时电阻率明显降低,热电势为一次烧结的2倍,可能是二次烧结使多晶的有序化程度增大,提高了铁磁有序排列。 相似文献
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高面板坝的变形对面板的安全运行有着特别重要的影响,国内外已建的高面板坝工程中,因坝体变形大导致防渗面板挤压破损,坝体渗漏量大的实例较多,不得不降低水库水位进行修复处理,造成较大的经济损失乃至给大坝的长期运行留下安全隐患。通过发生挤压破损的实例分析,发现变形控制缺乏系统性是发生面板挤压破损的主要因素,为预防面板破损,系统提出了“控制坝体总变形,转化有害变形,适应纵向变形”的坝体变形控制方法,并在使用软硬岩混合料筑坝的董箐面板堆石坝中得到的应用,取得了良好效果,该工程运行至今达十余年,未见面板有挤压破损迹象,该方法对建设200 m以上乃至300 m级超高面板坝具有重要借鉴意义。 相似文献