真空蒸馏法制备高纯镁

在热力学分析的基础上研究工业金属镁的真空蒸馏提纯过程。结果表明,控制蒸馏塔上、中、下三段的温度分别为450、650和700℃时,产物高纯镁的分布较为集中,几乎全部凝结在冷凝塔中间部位塔盘上,蒸出率高达94.5%,经过一次蒸馏即可获得纯度高达99.9995%的高纯金属镁。     

金属镁在腐蚀介质中界面结构特征与负差数效应关系研究

利用扫描隧道显微镜,在微观尺度观察腐蚀界面形貌特征.发现pH=11的1 mol/L NaCl水溶液中,金属镁表面形成块状氧化物,但微观尺度上氧化膜厚度不均,阳极化后块状氧化物尺度变小,保护作用降低,导致镁金属溶解出现负差数效应.金属镁在0.5 mol/L Na2SO4 和1 mol/L NaCl两种介质中都产生负差数效应,但氧化膜结构不同,负差数效应强弱有别.     

真空蒸馏法制备高纯镁的热力学及工艺

本文对工业金属镁的真空蒸馏提纯效果及相关热力学数据进行了理论分析与计算,并在自行设计制作的蒸馏塔中进行了真空蒸馏实验研究。研究表明,控制蒸馏塔上、中、下三段的温度分别为450℃、650℃和700℃时,产物高纯镁的分布较为集中,几乎全部凝结在冷凝塔中间部位塔盘上,且蒸出率高达94.5%,经过一次蒸馏即可获得纯度高达99.9995%的高纯金属镁。     

辉光放电质谱法测定棒状高纯镁中12种杂质元素

建立了辉光放电质谱法(GD-MS)测定棒状高纯镁中Al、Si、Ca、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn、Sn、Pb、Bi共12种主要杂质元素的方法。试验表明:棒状样品的放电表面积小、放电容易不稳,将放电电流设在47.0mA、气体流量设在599mL/min时,基体信号稳定且强度可满足测试的要求;预溅射15min可完全消除样品表面的Na、Fe、Ca等元素的污染。²⁷Al、²⁸Si、⁵²Cr、⁵⁵Mn、 ⁵⁶Fe、⁵⁸Ni、⁶³Cu、⁶⁴Zn、²⁰⁸Pb、²⁰⁹Bi丰度最高,在中分辨下分析即可得到较好的结果;由于存在⁴⁰Ar对⁴⁰Ca的干扰,所以选择⁴⁴Ca作为分析同位素,在中分辨下进行分析即可得到较好的结果;¹²⁰Sn与⁴⁰Ar⁴⁰Ar⁴⁰Ar在分辨率大于7960时才能完全分开,所以在高分辨模式下以¹²⁰Sn为测定同位素进行测定。按照实验方法对棒状高纯镁中12种杂质元素进行测定,相对标准偏差(RSD,n=5)为1.8%~10.9%,所有分析结果的标准偏差(SD,n=5)要小于国家标准方法GB/T 13748中的重复性限量;测定值与电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法及电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)标准加入法的结果进行比对,大部分元素符合性较好,由于棒状镁样品的相对灵敏度因子(RSF)与标准RSF存在差异,Fe、Cu、Zn元素测定值差别较大,但是测定结果对高纯物质纯度定级无太大影响。     

用硫酸镁代替高纯镁对重熔用镁锭中硅的测定

本文介绍重熔用镁锭(1—3级)中硅的测定用硫酸镁代替高纯镁做底液,绘制工作曲线,该方法具有快速、准确、成本低、污染少的优点。     

纯镁等通道转角微挤压成型工艺及摩擦效应研究

以99.95%的高纯镁为研究对象,借助有限元分析软件DEFORM对等通道转角微挤压(equal channel angular micro pressing, M-ECAP)过程进行数值模拟,优化等通道微挤压(简称M-ECAP)变形的成形工艺,讨论变形过程中的材料流动、挤压载荷变化规律、等效应力应变分布规律、摩擦效应对M-ECAP变形过程的影响。结果表明:试样等效应变趋于均匀,累积应变量增加,晶粒细小且均匀,塑性得到有效提高;随着摩擦因子的增大,载荷逐渐增大,最大等效应变变化不明显、最大等效应力小幅减小。