X射线干涉光刻光束线关键光学元件热-结构耦合分析

为了保证上海光源X射线干涉光刻光束线的稳定性,减小热变形对实验结果的影响,对X射线干涉光刻光束线的3个关键光学元件——偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝进行热-结构耦合分析。首先,计算偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝所承载的功率密度;然后,建立其有限元模型;最后,获得光学元件的温度场和热变形的结果。结果表明,偏转镜和聚焦镜采用间接水冷方式可有效抑制热变形,冷却后的最大面形误差分别为7.2μrad和9.2μrad。精密四刀狭缝未冷却时,刀片组件温度介于271.56~273.27℃,刀口热变形为0.19 mm,直线导轨热变形为0.08 mm;经过铜辫子冷却后,刀片组件温度降至22.24~23.94℃,刀口热变形降至0.2μm,直线导轨热变形降至0.1μm;采用影像法和接触探头法测试后,刀口直线度、平行度和重复精度均满足技术要求。偏转镜、聚焦镜和精密四刀狭缝的热变形通过间接水冷和铜辫子的冷却方式可以得到很大程度的抑制,进而保证光斑质量。     

下一代光刻开发的进展

虽然下一代光刻(NGL)技术的开发仍在继续大力开展工作，但许多人一直支持“不断延续光学光刻”的呼声。248nm光刻性能的进一步扩展，更激励许多企业界人士指望用193nm光刻来完成45nm技术节点的光刻。     

光刻版图形处理过程的计算机仿真

采用有限状态机模型来仿真集成电路行业中光刻版图形的处理过程,涵括了层次处理、涨缩处理和反转处理。将不同的处理过程定义为相应的状态,将图形处理要求定义为输入条件触发状态转换。该模型已应用于光刻版数据处理的电子设计自动化软件。     

蒙特卡洛模拟方法在扫描电子显微学中的应用

用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中，借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程，从而理解各种衬度形成的物理机制。     

单片集成电路高台面联线

介绍了ＧａＡｓ ＭＭＩＣ高台面刻蚀制备工艺方法，解决了高低台面联线问题，提高了单片集成电路性能，保证了可靠性。     

基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理

讨论了如何选择适当的规则,如何建立简洁实用的规则库,如何应用规则库.提出了四种主要的光学邻近矫正规则,在实验结果中列举了规则库中的部分数据.利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善.规则库的自动建立部分 (OPCL)是基于规则的光学邻近矫正系统的重要组成部分.     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

高分子纳米LB膜的制备及其光刻性能研究

合成并表征了N-十六烷基丙烯酰胺（HDA）和对叔丁基苯酚甲基丙烯酸酯（BPhMA）的共聚物p（HDA-BPhMA）s。当HDA含量较高时，共聚物可在气，液界面上形成稳定，排列紧密的单分子薄膜，并可以Y型膜的方式沉积在各种固体基片上，形成多层均匀的Langrnuir-Blodgett（LB）膜。这种LB膜被成功地应用于光刻，获得了分辨率为0.5μm的LB膜图形。以该图形为抗蚀层，可将图形进一步转移至金属薄膜上，得到分辨率较高的金属图形，在图形转移的过程中，这种LB膜显示出较高的抗蚀性，有望作为纳米抗蚀薄膜材料在亚微米刻蚀领域得到应用。