上榆泉煤矿煤泥水多参数在线检测系统应用研究

针对上榆泉煤矿煤泥水性质参数人工检测周期长、误差大、滞后性严重的问题,采用多参数传感器和PLC,开发了煤泥水多参数在线检测系统。经过8 h稳定运行,平均结果显示该厂煤泥水参数为pH值为7.71、浓度9.45%、中值直径(D50)39.56μm、流量2 440 m3/h、水质硬度428.94 mg/L,与人工检测结果相一致。应用结果表明,该检测系统能够实现煤泥水多参数在线监测和数据分析功能,使煤泥水的处理更高效。     

基于密集神经网络的灰度图像着色算法

针对在灰度图像着色领域中，传统算法信息提取率不高、着色效果不理想的问题，提出了基于密集神经网络的灰度图像着色算法，以实现改善着色效果，让人眼更好地观察图片信息的目的。利用密集神经网络的信息提取高效性，构建并训练了一个端到端的深度学习模型，对图像中的各类信息及特征进行提取。训练网络时与原图像进行对比，以逐渐减小网络输出结果的信息、分类等各类型的损失。训练完成后，只需向网络输入一张灰度图片，即可生成一张颜色饱满、鲜明逼真的彩色图片。实验结果表明，引入密集网络后，可有效改善着色过程中的漏色、细节信息损失、对比度低等问题，所提算法着色效果较基于VGG网络及U-Net、双流网络结构、残差网络（ResNet）等性能优异的先进着色算法而言取得了显著的改进。     

水泥浆失水制约下套管与井眼间隙的研究

通过对水泥浆失水规律的室内试验分析以厦对注水泥顶替过程中水泥浆失水桥堵套管与井眼间隙问题的研究，建立了顶替过程中滤失层不发生水泥浆失水而桥堵环形空间的临界失水量计算模型，提出了调配水泥浆失水性能和确定合理套管井眼间隙的具体方法，对注水泥现场施工和井身结构设计具有一定的指导意义。     

一种可替代漂珠的低密度材料

漂珠低密度水泥浆由于密度低、强度高、体系稳定而在油田低压易漏层及低压油气层长封固段固井作业中获得了广泛的应用。但近年来,由于漂珠的产量越来越少,油田低成本要求急需开发代替漂珠的新型减轻材料,以满足配制低密度水泥浆的需求。开发了BCL-10S低密度混合减轻材料,其物化性能与漂珠相当,用它作减轻剂配制的低密度水泥浆性能与用漂珠作减轻剂配制的低密度水泥浆性能相媲美,并已经在长庆油田获得了应用。     

乐滩灌区输水隧洞穿合山煤矿采空区处理设计

分析了乐滩灌区工程北干渠溯河隧洞段长约1.06 km穿合山煤矿采空区的地质情况.借鉴高速公路煤矿采空区的成功处理经验,通过科学分析,对采空区变形和区域内覆岩的稳定性做了评价,论述了输水线路穿采空区段采取全充填压力注浆法的工程处理方法.     

超临界流体萃取技术生产重交通道路沥青的研究

研究了采用超临界流体萃取技术(SFEF),以减压渣油和催化裂化油浆为原料,制备重交通道路沥青产品的可行性.结果表明:当原料中油浆掺入量为10%～30%时,可以生产出牌号为AH70,AH90,AH110的重交通道路沥青产品.工业试验表明,生产牌号为AH70,AH90的重交通道路沥青,采用此技术方案是可行的.     

粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中的作用

阐述了粉煤灰超细玻珠复配轻集料在固井低密度水泥浆中对其流变性能、强度、质量均匀性以及密度的影响和作用机理。表明该复配轻集料可以明显改善水泥浆的流动性、保水性以及水泥与高效外加剂的相容性,水泥石抗压和抗折强度有显著改善,水泥浆具有良好的质量均匀性,用该集料配制的超低密度水泥浆能满足固井要求,并由此提高固井的经济性。     

基于均匀光纤光栅的DWDM系统PMD补偿方法

提出一种基于均匀光纤Bragg光栅(FBG)的透射型密集波分复用(DWDM)系统多信道偏振模色散(PMD)补偿方案。当FBG受到横向挤压时，会产生双折射现象。当一波长的光信号从光栅带隙附近透射时，就会在快轴和慢轴之间产生时延差(DGD)。通过改变外力的大小来调节DGD的大小可以实现对PMD的补偿。通过将多个补偿光栅级联，就可以实现对DWDM系统多信道PMD的补偿。在100N外力作用下，5cm长的光栅最大可以补偿121ps的PMD，而对相邻0．8nm的信道，只引入0．2ps的DGD。     

Characterization and optimization of copper chemical mechanical planarization

The feature scale planarization of the copper chemical mechanical planarization (CMP) process has been characterized for two copper processes using Hitachi 430-TU/Hitachi T605 and Cabot 5001/Arch Cu10K consumables. The first process is an example of an abrasive-free polish with a high-selectivity barrier slurry, while the second is an example of a conventional abrasive slurry with a low-selectivity barrier slurry. Copper fill planarization has been characterized for structures with conformal deposition as well as with bumps resulting from bottom-up fill. Dishing and erosion were characterized for several structures after clearing. The abrasive-free polish resulted in low sensitivity to overpolish and low saturation levels for dishing and erosion. Consequently, this demonstrated superior performance when compared to the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 2000 roadmap targets for planarization. While the conventional slurry could achieve the 0.13-μm technology node requirements, the abrasive-free polish met the planarization requirements beyond the 0.10-μm technology node.