反应溅射法制备的软磁铁氮膜

用反应溅射法在Ａｒ＋Ｎ２混合气氛中制备了软磁性铁氮膜，并对样品进行了真空退火热处理。考察了制备条件和热处理对铁氮膜的微结构和软磁性能的影响。发现氮气的加入导致了晶粒尺寸减小和软磁性能改善，还能抑制热处理过程中的晶粒生长。     

磁控反应溅射制备氧化锡膜的工艺研究

介绍了磁控反应溅射制备氧化锡薄膜时，反应气体氧流量对放电参数、薄膜沉积速率及沉积膜性能的影响。指出随氧流量的不同，放电分别处于金属溅射、过渡溅射和氧化物溅射三种不同的模式。三种模式下的放电电压及沉积速率均有较大差别，相应的沉积膜依次具有金属相、金属及氧化物混合相和氧化物相三种不同属性。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响

用直流溅射方法制备氮化锆薄膜，其晶体结构，氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构，随氮气分量由5％至30％增加，玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向；然后(200)取向逐渐消失，只有(111)单个优化生长取向；最后，没有衍射峰出现，薄膜趋于无定型结构。     

靶面化合物覆盖度的计算方法研究

由溅射速率方程和反应粒子输运方程得出了靶面化合物的覆盖度。所有方程都用反应室结构参数和宏观参数表示，文中还给出了溅射沉积TiN薄膜的计算结果，结果表明与实验数相吻合，所建立的方法便于工艺优化的实施，属新的工程方法。     

氮化铝薄膜的制备及介电性能研究

采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。     

反应磁控溅射MgO薄膜溅射模式的分形维表征

用反应磁控溅射的方法制备了MgO薄膜，基于原子力显微镜观测，并借助Fourier变换，计算了薄膜表面形貌的分形维数。发现分形维数变化对应于薄膜溅射模式的变化，二者之间有相关性，氧分压30％的分形维数是一个临界点，分形维数若发生明显跌落，意味着溅射模式发生变化，界于临界值两侧的分形维数，分别对应两种截然不同的溅射模式，与临界值对应的溅射状态则处于金属模式和氧化物模式的混和状态。     

Microstructure of ternary Zn1-xCdxO films on silicon substrate

Ternary Zn1-x CdxO alloying films were deposited on silicon substrates by a reactive magnetron sputtering method. The structures of the films were characterized by transmission electron microscopy(TEM) and X-ray diffraction(XRD) analysis, respectively. The XRD measurement shows that the wurtzite-type structure of Zn1-xCdxO can be stabilized up to Cd content of x=0.53 without a cubic CdO phase separation. The TEM measurement shows that the films have a columnar structure and the grains are highly c-axis oriented perpendicularly on silicon substrate although some grain boundaries are slightly tilted. High resolution TEM observation indicates that a native layer of amorphous SiO2 exists at the ZnCdO/Si interface and that ZnCdO grains with c-axis preferred orientation nucleate directly on substrate surface.