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研究了影响LEC生长GaAs单晶锭长的因素。发现,LEC系统中热场分布,热对流,坩埚直径和坩埚初始位置及装料量的多少等对LEC法生长的GaAs单晶锭子长度都有影响。 相似文献
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本文给出了一种新颖的微波有源滤波器的拓扑结构及综合方法,并对有源滤波电路进行了计算机模拟,结果表明本文给出的微波有源滤波器电路具有优良的的窄带滤波特性,通带内正向增益大于10dB,带外抑制大于30dB。 相似文献
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采用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火在n-GaAs上形成了低阻欧姆接触,利用二次离子质谱技术揭示和讨论了低欧姆接触形成的机理。比较了采用X^+和GsX^+信号检测的Ge,Pd,Ga和As的深度分布。结果表明采用CsX^+可以提供更准确的结果和成分信息。 相似文献
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介绍了一套用于AlGaAs/GaAs HBT集成电路的CAD软件,它可完成HBT的器件模拟、模型参数提取及电路模拟。应用该软件对HBT运算放大器进行了模拟,为电路的研制提供了依据。 相似文献
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报道了用光致发光光谱,吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽,不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果,结果理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量,应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品应变值和导带不连续因子Qc,并讨论了这种结构发光机制。 相似文献