Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流(Trench SBR)技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP,能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流,并以较低的温度工作,有效满足充电器输出整流二极管的要求,从而易于处理36 k Hz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15 A SBRT15U50SP5,以及为12.5 W平板电脑充电器而设的     

高效液相色谱-二极管阵列检测器法测定青霉素亚砜酯含量

建立高效液相色谱-二极管阵列检测器法测定青霉素亚砜酯的含量。采用Agilent Eclipse Plus C18(3.0 mm×100 mm, 3.5μm)色谱柱;柱温30℃;以25 mmol·L~(-1)的醋酸铵水溶液(A)-乙腈(B)为流动相进行梯度洗脱;流速为0.5 mL·min~(-1);检测波长267 nm。青霉素亚砜酯在0.01～0.80 mg·mL-1(R~2=0.999 9)范围内线性较好,精密度RSD为0.15%。方法操作简单,结果准确,特异性强,稳定性好,适用于青霉素亚砜酯的含量测定。     

美国三大公司激光二极管的最新进展

在美国西部光电博览会高功率二极管激光器会议上，美国的Alfalight公司公布了25℃，22W，970nm连续输出的单发激光二极管。该公司同时报道了他们在美国国防部高级计划研究署（DARPA）超高效率二极管发射源计划中的功率转换效率（PCE）为80％的目标计划进展。他们的最新结果是，带1mm长腔的占空比为20％的半导体条在25℃时的功率转换效率达到71％。     

二极管侧面抽运薄片激光器耦合系统研究

设计了二极管侧面抽运Nd:YAG薄片激光器,耦合系统由消像差透镜组和空心光波导组成,对二极管快轴和慢轴方向的抽运光进行压缩和均匀化.采用光线追迹法,同时考虑二极管在快轴和慢轴方向的发散特性及薄片侧面的散射特性,模拟并分析了光线在耦合系统内的传输和薄片内抽运光分布的规律.模拟结果表明耦合系统具有98.1%的耦合效率,同时薄片内具有理想的抽运光分布.     

AD590在光电测量电路中的应用

温度传感器是用来感测温度的，因此利用温度传感器可以将周围环境中温度的变化转换成电流或电压的变化，从而可以实现电流或电压的调整。现以AD590为例介绍温度传感器在激光器和光检测器中的这种应用。     

声底醇厚、韵味飘逸的胆前级的制作

放音系统中前级放大器的重要作用是众所周知的。一般合并式功率放大器输入端的电压放大级，又称前置放大级，此级的位置虽然很重要，但在合并式放大器中，设计者往往注意力多集中到功率放大级上，而前置电压放大级就显得不重要了，所以对前置放大级的投入也较少。并且，因功放级的影响，B 电压也不够稳定(有     

高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

元器件与组件

高度为0.98mm的SMF二极管120多款二极管器件已采用SMF(DO219-AB)封装,该封装综合了高功率和微型尺寸(3.7 mm×1.8mm×0.98mm)的优势,高度仅为0.98mm,比同类型器件低50%,减少了空间要求,提高了电路板密度。折叠引线框专利技术提供高功率和低正向电压,可以确保最佳的功率效率和优越的冲击电流功能,在保护器件方面的优良效率可与接线封装比肩。利用低漏电硅片技术设计了这一新的节能封装。SMF(DO219-AB)也在环保型无铅(Pb)封装平台上提供了此加强功能。其回流焊温度为260℃,湿度灵敏度(MSL)为1,与现有回流焊流程后向兼容。Vishayhttp:…     

无线电遥控多路开关系统的设计

文章介绍了一种应用新型射频收发模块对,并结合编译码芯片组设计无线电遥控多路开关系统的方法。在该方法中详细阐述了无线电遥控开关系统的组成结构和工作原理。其中,在发射电路中我们采用二极管组合逻辑开关阵列实现对开关按键编址,从而对受控电路进行选择控制,明显降低了系统成本;在接收控制电路中引入单片机,通过充分利用其软、硬件资源,使系统具有优异的可扩展性、可升级性和操作方便等特点。     

高密度垂直集成光电二极管焦平面列阵技术（下）

在p型材料中,俄歇复合包含两个空穴和一个电子,并且被称为俄歇7。对HgCdTe进行的计算表明,当0.2相似文献