全文获取类型
收费全文 | 1562篇 |
免费 | 99篇 |
国内免费 | 353篇 |
专业分类
电工技术 | 51篇 |
综合类 | 89篇 |
化学工业 | 72篇 |
金属工艺 | 113篇 |
机械仪表 | 59篇 |
建筑科学 | 12篇 |
矿业工程 | 9篇 |
能源动力 | 41篇 |
轻工业 | 22篇 |
水利工程 | 17篇 |
石油天然气 | 40篇 |
武器工业 | 11篇 |
无线电 | 1040篇 |
一般工业技术 | 348篇 |
冶金工业 | 19篇 |
原子能技术 | 24篇 |
自动化技术 | 47篇 |
出版年
2024年 | 7篇 |
2023年 | 31篇 |
2022年 | 31篇 |
2021年 | 44篇 |
2020年 | 27篇 |
2019年 | 36篇 |
2018年 | 28篇 |
2017年 | 32篇 |
2016年 | 33篇 |
2015年 | 50篇 |
2014年 | 103篇 |
2013年 | 70篇 |
2012年 | 100篇 |
2011年 | 113篇 |
2010年 | 106篇 |
2009年 | 114篇 |
2008年 | 134篇 |
2007年 | 142篇 |
2006年 | 118篇 |
2005年 | 128篇 |
2004年 | 93篇 |
2003年 | 72篇 |
2002年 | 67篇 |
2001年 | 42篇 |
2000年 | 46篇 |
1999年 | 36篇 |
1998年 | 30篇 |
1997年 | 20篇 |
1996年 | 21篇 |
1995年 | 24篇 |
1994年 | 35篇 |
1993年 | 13篇 |
1992年 | 15篇 |
1991年 | 5篇 |
1990年 | 20篇 |
1989年 | 19篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 1篇 |
1986年 | 2篇 |
1985年 | 2篇 |
1983年 | 1篇 |
1981年 | 1篇 |
排序方式: 共有2014条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
3.
Au/NiCr/Ta多层金属膜通过磁控溅射沉积在Si(111)基片上。XRD分析其晶体取向,SEM观察薄膜断面形貌,AFM研究薄膜表面粗糙度。结果表明薄膜表面粗糙度与沉积温度有关,随着沉积温度100℃→250℃的改变,薄膜表面发生从粗糙→光滑→粗糙的变化过程。根据不同的沉积温度探讨了薄膜表面粗糙化机理。 相似文献
4.
5.
Si衬底上Ta-N/Cu薄膜性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对Si衬底上Ta-N/Cu薄膜进行了电学和热学分析,结果发现500℃以下薄膜电随几乎不变,600-690℃下的退火引起的电阻率降低是由于Ta-N电阻的热氧化和Cu熔化扩散引起的,而690℃以上的电阻率增加是由于Cu引线传输能力减弱所致,为0.18μm以下的超大规模集成电路中的Cu引线和电阻薄膜的制作提供了有益的借鉴。 相似文献
6.
7.
8.
日本NTT公司和台湾国立交通大学合作利用si衬底研制出一种AiGaSb/InAs HEMT结构,其迁移率高达27300cm^2/V.s,该种结构将用于逻辑电路,它把Ⅲ一V族结构的高迁移率和si衬底的低成本、高硬度和大直径结合起来了。[第一段] 相似文献
9.
本文根据实际测量结果,一叙述了半导体衬底制片质量对外延生长的影响。特别是,讨论了在 GaAs、InP 衬底中,产生于切片、研磨和抛光加工过程中的机械损伤的影响。 相似文献
10.
硅基红外信平面阵列技术的新进展(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
主要介绍以硅为衬底的PbS,PbSe,PbTe,PbSnSe,HgCdTe,InSb等红外探测器焦平面阵列的新进展。 相似文献