基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟北大核心

为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。     

基于磁偶极子的2阶磁场梯度张量缩并方法

针对磁场定位中2阶磁场梯度张量的理论尚不够完善的现状，提出基于磁偶极子的2阶磁 场梯度张量缩并方法。给出2阶磁场梯度张量的全局模量和局部模量计算公式，分析2阶磁场梯度张量的全局模量和局部模量及相关参数的三维空间分布规律，并给出相关参数k_H、k_Hxy和k_Hz的近似计算公式，比较1阶磁场梯度张量和2阶磁场梯度张量及其模量的分布规律及与距离的关系。计算结果表明：全局模量C_H及参数k_H值在0°≤≤90°时，随着增大而减小，在=0°时最大，在=90°时最小；局部模量C_Hxy和参数k_Hxy值在0°≤≤90°时，随先增加、后减少，当=35° 时最大，当=90°时最小；局部模量C_Hz和参数k_Hz随先减少、后增加，当=0°时最大，当=71°时最小；k_H、k_Hxy和k_Hz的拟合值与理论反演值高度吻合；在距离较近时，2阶磁场梯度张量及模量更敏感；在距离较远时，1阶磁场梯度张量及模量更敏感；在实际磁场定位的应用中，可结合1阶和2阶磁场梯度张量及全局模量进行使用。     

高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器北大核心

针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。     

新旧钢规下重级钢吊车梁疲劳验算的对比分析

疲劳验算是重级钢吊车梁设计的重要内容,新版《钢结构设计标准》引入疲劳截止限的快速判别法,明确区分正应力幅和剪应力幅,并对验算部位的类别进行重新划分。为了更好地把握重级钢吊车梁的疲劳验算要点,让新钢规可以更有效地指导吊车梁设计,本文对新、旧钢规的疲劳验算进行归纳总结,并结合具体工程实例进行分析计算。结果表明:当吊车梁承受高应力幅时,利用疲劳截止限快速判别出正应力幅一般较容易满足,而剪应力幅较难满足,需按容许应力幅法进一步判断。此外,通过理论公式和Sap2000有限元软件相结合的方法,对3种变截面吊车梁的疲劳验算结果进行对比分析,得出疲劳应力幅大小关系:圆弧突变式>渐变式>直角突变式。其中对于直角突变式吊车梁,其理论计算的疲劳应力集中系数偏大于有限元分析值,验证了新钢规中关于直角突变吊车梁对抗疲劳更为有利的结论。     

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组介绍北大核心CSCD

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组(TG 121)是ICRP 2021年主委员会会议设立的一个任务组,任务是准备《电离辐射照射对后代的影响》的报告,报告目的是:(1)重新审议关于人类和非人类物种个体后代受到电离辐射照射后辐射诱发效应的相关科学文献。审议将包括两个主要部分:由于双亲受到照射后产生的孕前效应:遗传效应和隔代效应(涉及遗传和表观遗传机理及对疾病的影响)、及对生育和繁殖力的影响。     

ICRP 146号出版物 《重大核事故情况下人与环境的放射防护》内容摘要

放射防护中使用的主要剂量量是吸收剂量、当量剂量和有效剂量。有效剂量的概念是由ICRP提出的,将其作为一个调节危险度的剂量学量,用于管理对随机效应(主要是癌症)的防护,以便能够将估算的剂量与以相同量表示的剂量限值、剂量约束值和参考水平加以比较。使用有效剂量,可以基于线性无阈剂量响应关系、低剂量或低剂量率下急性和慢性照射的当量值、以及内外照射的当量值,将来自外照射和内照射的所有辐射照射一并考虑,予以求和。     

高熵形状记忆合金的研究进展

高熵形状记忆合金是在等原子比NiTi合金的基础上,结合高熵合金的概念,逐渐发展起来的一种新型高温形状记忆合金。近年来,已开发出了综合性能优异的(TiZrHf)50(NiCoCu)50系和(TiZrHf)50(NiCuPd)50系高熵形状记忆合金,引起了广泛的关注和研究兴趣。本文从物相组成、微观组织、马氏体相变行为、形状记忆效应和超弹性等角度出发,综述了高熵形状记忆合金的研究进展,并对高熵形状记忆合金未来的研究重点进行了展望。     

地表“锅盖效应”水汽迁移量的计算方法研究

地表不透气的覆盖层使土体表面蒸发受阻，引起水分在覆盖层下集聚，导致覆盖层下土体含水率升高的现象被称为“锅盖效应”。““锅盖效应””会引起一系列的工程病害。目前在计算“锅盖效应”水汽迁移量时，大多采用多场耦合的数值计算方法，计算繁琐不便于使用。根据工程实际条件，推导并得到了可以预测不同埋深位置土体温度的计算式；基于Fick定律，推导得出能反映气态水迁移量的计算式；进而提出一种简单的“锅盖效应”水汽迁移量计算方法。对该计算方法得到的计算值与现场试验的实测值对比显示，变化趋势较为接近；表明该方法能够反映出土体不同埋深位置含水率变化趋势，有效、可行。