低熔点玻璃粉对导电银浆烧结性能及微结构的影响

采用熔融冷却法制备了无铅低熔玻璃粉,利用XRD对所得玻璃粉进行表征。通过四探针仪、扫描电镜等手段研究了玻璃粉含量、软化点对银浆性能的影响。结果表明,玻璃相粘度特性和液相量对粘性流动传质及烧结致密化过程有很大的影响。随着玻璃粉软化点的升高,银浆的方阻逐渐增大,附着力则先增大后减小,玻璃的软化点为420℃时,银浆的导电性能最好,方阻最小为2.4 mΩ/;当玻璃软化点为450℃时,银膜层的附着力最优为13 N。随着玻璃含量的增加,方阻先增大后减小,当玻璃含量为5%时方阻最小为2.3 mΩ/,导电性能最好;随着玻璃含量的增加,银层附着力持续增大,通过调节玻璃含量完全可以满足银膜的使用要求。     

一种电子元器件银浆用玻璃粉的研制

不同基体的银浆需要采用不同成分的玻璃粉才能达到合适的性能。采用Bi2O3-SiO2-B2O3体系，研究了Ag2O对Zn2SiO4介质陶瓷附着力的影响。当Bi2O3含量(质量分数)为65%，SiO2含量为15%，B2O3含量为10%，Ag2O含量为5%，Al2O3含量为5%时，制备的银浆附着力≥20N；所得银浆料的印刷性能、方阻、附着力、与焊料的润湿性及耐焊性等各项指标符合要求。     

银粉粒径及形貌搭配对无铅导体浆料性能的影响

从银粉的不同粒径级配与形貌搭配方面考察其对无铅导体银浆烧结后膜层的电阻率、附着力的影响。选取了平均粒径分别为0.1,0.4,1μm的球形银粉以及平均粒径为3~6μm的片状银粉,首先将3种粒径的球形银粉按不同比例的搭配得到3种球形银粉最紧密堆积的最佳比例,然后根据Dinger-Funk粉体堆积原理进行验证,最后再与片状银粉搭配制得导电银浆。实验结果表明,在大颗粒间填充小颗粒能增加粉体堆积的致密度,从而明显降低烧结后膜层的方阻,同时通过在片状银粉之间空隙填充这种致密度好的球形混合银粉颗粒,比单纯使用片状银粉制得的银膜层方阻更低。通过本次实验制得的银膜外表致密光洁,可焊性、耐焊性良好,方阻为3.78 m?/□、附着力40 N/mm~2。     

背银浆对晶硅太阳能电池串联电阻影响的初步探讨

通过对市场上现有成品的晶硅太阳能电池片背面电极进行观察发现,在背银电极与背铝电极重叠部位普遍存在裂隙。经过分析发现,这一裂隙的存在会导致电池片串联电阻的增大,进而对电池片的电性能产生不利影响。针对这一问题,对背银浆料配方进行改进,改进后的浆料可以有效降低裂隙出现的概率,使电池串联电阻由2.269mΩ降至2.167mΩ,并可提高电池片的转换效率。     

银浆磁漆施工应用性的改进

重点分析银浆磁漆采用高压无气喷涂方式喷涂大型储罐或刷涂时,涂膜表面存在涂膜流挂后发黑、发花现象以及大面积辊涂时也存在不同程度的发黑现象的相应的解决方案。实验结果显示:影响银浆磁漆涂膜外观及贮存稳定性的因素主要有树脂酸价及其贮存稳定性、银粉粒径大小及用量、溶剂挥发速率及表面张力。     

键盘式薄膜开关的制造工艺研究

讨论了制造薄膜开关的材料性能与网印工艺条件,通过金相显微镜观察并分析了印刷层的厚度与均匀性关系,研究了薄膜开关导电银浆线路的电阻性能。选择恰当的印刷工艺参数,如括板压力0.3～0.4MPa、移动速度0.2～0.3m/s等,制造出厚度均匀、与电阻匹配的薄膜开关,其导电银浆各处线路的参数均匀,方阻为28.01mμ/□,厚度为4.33μm,锯齿边缘的平均深度约为23.53μm,且外观无明显色差,实现了薄膜开关的低成本与高可靠快速制造。     

西北稀有金属材料研究院

正西北稀有金属材料研究院(以下简称"西材院")是中色(宁夏)东方集团有限公司的全资子公司。是我国惟一的铍材研究和生产基地,国家重点高新技术企业,国家863计划成果产业化示范基地,国家重点高新技术产品产业化基地,建有宁夏特种材料重点实验室和稀有金属铍材行业重点实验室。西材院拥有铍材、粉体、靶材3大核心产业。主要     

瑞萨评测EV和HEV用功率半导体芯片键合材料的烧结银浆

正瑞萨电子在"2012最尖端封装技术研讨会"的"EV和HEV时代功率电子最新技术动向"分会(6月14日举行)上,谈到了该公司的产品并以封装为中心,就车载半导体封装作了阐述。该研讨会由日本电子封装学会主办,在东京有明国际会展中心与JPCAShow2012(2012年6月13日～15日)一同举行。演讲者是瑞萨的平松真一(生产本部封装及测试技术统括部通用封装设计部主管工程师),演讲题目为"功率电子用半导体封装的动向"。据平松真一介     

特殊功能性油墨问答5

导电银浆在薄膜开关电路图形中的应用,其最大的弱点是银离子的迁移,其极易致使薄膜开关功能的早衰或失效。在我们的日常工作中,通常会出现一种现象,我们的产品在出厂检验时性能良好,各项参数指标完全合格,但是在用户使用一段时间后发现某些产品电阻增大,甚至出现短路自通、功能紊乱的现象。究其原因,这就是银离子的迁移作祟。     

瓷介质电容器银浆堆烧“粘片”讨论

从浆料的组成和烧成工艺研究瓷介电容器银浆堆烧“粘片”问题，ＤＴＡ和ＳＥＭ分析证实粘片是由于表面银层片间叠压交互烧结形成的，并提出解决方法，以满足生产要求。