用Sol－Gel法合成莫来石超细粉机理及过程的研究

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）和硝酸铝为原料，用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法合成了莫来石超细粉。探讨了ＴＥＯＳ在硝酸铝存在下的水解缩聚机理。并用差热一逸气、Ｘ一射线衍射、红外光谱及透射电镜等对莫来石的形成过程、结构及颗粒大小进行了研究。结果表明，参与了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ过程，并起酸的催化作用，Ａｌ￣（３＋）也参与了网络结构。莫来石相是经过铝硅尖晶石转化成的，在１１５０℃明显生成。１２００℃尖晶石相消失，全部为莫来石，平均粒径为０．０５μｍ。     

二十四所半导体工艺技术发展历程与展望

回顾了中电科技集团公司第二十四研究所自建所以来的半导体集成电路工艺发展历程.晶圆尺寸从1.5吋(40 mm) 到6吋(150 mm),特征线宽从10 μm到0.5 μm,器件特征频率从低频到射频,工作电压从5 V到800 V,包括射频和高压大功率的各种器件.从研制成功全国第一块大规模集成电路至今,二十四所作为全国唯一的模拟集成电路专业研究所,在各个领域均取得了突出的成就,见证了中国半导体集成电路事业的发展历程.最后,展望了二十四所模拟及专用集成电路工艺技术的发展前景.     

SOI电路可靠性筛选技术及失效机理研究

可靠性筛选是提高电子产品良率的重要技术手段。针对绝缘体上硅（SOI）技术日益广泛的应用,通过大量实验研究了SOI电路的常用筛选试验,并对失效样品进行了相应的失效机理研究。首先讨论了SOI电路失效模式和筛选方法之间的关系;其次,针对三款SOI电路分别开展了老炼应力、高温贮存及恒定加速度试验来进行可靠性筛选;最后,利用光发射显微镜、扫描电子显微镜、聚焦离子束和激励源诱导故障测试等失效分析手段,对失效样品进行了失效模式及机理分析,揭示了失效根源,为改进工艺、提高SOI电路可靠性提供了依据。     

溶胶—凝胶法制备WO_3电致变色薄膜

本文以六氯化钨和乙醇为主要原料, 采用溶胶—凝胶法制备了ＷＯ３ 非晶态电致变色薄膜, 研究了ＷＯ３ 薄膜的结构、化学组成、电致变色性能, 结果表明用该法制备的非晶态ＷＯ３ 薄膜具有良好的电致变色特性     

PDSOIBTSNMOS器件的三维SEU仿真

采用silvaco软件对抗辐射PDSOIBTSNMOS器件进行了三维SEU仿真。器件建模采用devedit软件,工艺参考标准0．8μmPDSOI工艺平台。器件基于SIMOXS01材料,其埋氧层厚度为375nm,顶层硅膜厚度为205nm。三维SEU仿真的入射粒子轨迹垂直于器件表面,主要选取了垂直于沟道方向（DS）和平行于...     

一种全nMoS SOI晶体管4管静态存储器单元

提出了一种新颖的无负载4管全部由nMOS管组成的随机静态存储器(SRAM)单元.该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管.存取管的沟道长度小于下拉管的沟道长度.由于小尺寸MOS管的短沟道效应,在关闭状态时存取管具有远大于下拉管的漏电流,从而使SRAM单元在保持状态下可以维持逻辑"1".存储节点的电压还被反馈到存取管的背栅上,使SRAM单元具有稳定的"读"操作.背栅反馈同时增强了SRAM单元的静态噪声容限(SNM).该单元比传统的6管SRAM单元和4管SRAM单元具有更小的面积.对SRAM单元的读写速度和功耗做了仿真和讨论.该SRAM单元可以工作在0.5V电源电压下.     

评价功率MOSFETs热稳定性的客观标准

为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。     

溶胶法合成ZrO2（Y2O3）纳米晶超微粉研究

研究了水基溶胶法合成ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）纳米晶超微粉体的可能性。结果表明，这种方法能够合成粒径为数十至数个纳米的超微粉体，合成的粉体粒径分布均匀，分散性好。通过选择溶胶形成过程中前驱物浓度值，可以有效地控制合成的超微粉体的粒径，浓度增大，粉体粒径减小。合成的ＺｒＯ２（Ｙ２Ｏ３）粉体最小粒径为６ｎｍ，该值由溶胶中胶体粒子临界晶核的大小所决定。