采用梯形棱镜波前分割的激光干涉光刻技术

光学光刻技术在微细加工和集成电路(IC)制造中一直是主流技术。随着IC集成度的提高,要求越来越高的光刻分辨力,但光学光刻的分辨极限受光刻物镜数值孔径(NA)和曝光波长(λ)的限制。激光干涉光刻技术具有高分辨、大视场、无畸变、长焦深等特点,其分辨极限为λ/4,在微细加工、大屏幕显示器、微电子和光电子器件、亚波长光栅、光子晶体和纳米图形制造等领域有广阔的应用前景。阐述了激光干涉光刻技术的基本原理。提出了一种采用梯形棱镜作为波前分割元件的激光干涉光刻方法。建立了相应的曝光系统,该系统可用于双光束、三光束、四光束和五光束等多光束和多曝光干涉光刻。给出了具有点尺寸约220nm的周期图形阵列的实验结果。     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用,具体分析多种短波长光刻技术的最新进展,并对在0.1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望。     

激光全息光刻技术及其应用

论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用。     

100nm及其以下线宽的微(细)加工技术

<正> 随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子淀积技术等。x射线毫微米光刻技术因其效率高、工艺能力强等特点对100nm及其以下线宽的光刻具有特殊的作用,它能达到和产生扫描电子束或聚焦离子束光刻单独使用所达不到的效果。为了消除图形的畸变,该技术目前研究成功一种用无机薄膜(Si、Si_3N_4和SiC)制作的新一代掩模版。为了实现适合50nm线宽光刻的多掩模多次对准,该技术设定了4μm的标准掩模间隙,以通过     

光刻技术在微电子设备的应用及发展

介绍了光刻技术在微电子领域的应用，具体分析多种短波长光刻技术的最新进展，并对在0．1μm之后用于替代光学光刻的下一代光刻技术的发展趋势作了展望．     

下一代光刻技术研究开发情况

一、前言在微电子制造技术中,最为关键的是用于电路版图图形生成和复制的光刻技术,光刻技术的研究与开发在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点就是即将到来的光刻技术变革。这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。由于分辨率增强技术的发展,光学光刻的极限分辨率可以达到光源波长的1/2。因此,193nm 波长     

用于高分辨大视场激光刻的全息照相技术研究

介绍一种全息光刻技术的基本原理,全息掩模复位精度的影响,全息光刻技术的优点及其应用,并对全息光刻系统的设计考虑作了详细介绍,并给出部分实验结果。     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。     

激光在微电子器件制造中的应用

本文简要综述激光辅助的加工技术在微电子器件制造中的应用,包括激光修复电路和掩模、激光制版、激光光刻,以及激光直接投影作图加工等情况。值得注意的是,作为微细加工关键设备的以准分子激光器为光源的分步重复光刻机近年来有了突破性进展,达到的分辨率为0.5～0.25μm,视场约15mm×15mm,能对Φ200mm的硅片以每小时十几片的生产率进行光刻,这已为生产16M DRAM(动态随机存储器)作好准备。     

激光数码全息在DVD光盘产业的应用

本文介绍了一种激光数码全息在DVD光盘产业中的应用.包括数码全息图像设计、母版光刻、金属模版制作,注塑模加工和DVD全息图像注塑等工序.DVD光盘采用数码全息版面装饰,一方面可免去对环境空气有严重污染的光盘油墨印刷工序,更为重要的是可为正版光盘提供版权保护.并分析讨论了数码全息与DVD光盘结合的产品质量因素及其在光盘产业中的应用前景.     

激光全息技术的发展及应用趋势研究

介绍了激光全息技术在几个学科和产业领域的应用状况,分析了激光全息技术在实际应用中的突出优点和存在的问题,讨论了在几个学科领域激光全息技术的发展趋势。结论是:随着激光全息技术不断与其它学科最新技术的交叉和综合运用,其应用前景将越来越广泛。目的是明晰激光全息技术的发展方向,推动其发展和应用研究。     

ArF准分子激光光刻的研究现状

193nmArF准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点。作者从193nm激光光刻的光学系统设计、光学材料、光源、光致抗蚀剂及器件应用等方面综述了深紫外激光光学光刻技术的近期发展及应用。     

微电子工业中的激光器及激光加工机

1984年5~6月，作者有机会考察了美国旧金山及硅谷地区，并参观了规模宏大的半导体博览会，了解到美、日等国将先进的激光技术用于微电子工业，使其取得惊人进展。如80年代激光对准，激光对焦技术促进了分步重复光刻机的发展以及激光图形发生器的发明，使微电子工业进入超大规模集成电路时期。激光还广泛应用于掩模制造、光刻、腐蚀终点检测与硅片检查等各工艺及生产环节，并产生了各种激光加工机。     

CRT荫罩制造技术及其应用领域的延伸

CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀。应用于制造荫罩的精密光刻、精细腐蚀技术可以引伸应用到平板显示、微电子、微机械等许多领域，使这一非常成熟的工艺焕发出新的活力。     

极紫外光刻材料研究进展

极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术,光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考,综述了最近几年来文献报道的研究成果,介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求,总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类,着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理,光刻性能所达到的水平和存在的主要问题,最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。     

国外光刻技术概况

大家知道,在微电子器件制作中,光刻技术是关键工艺之一。光刻质量的优劣,直接影响微电子器件的性能和成品率。特别是在微电子工业发展到芯尺面积为5×5毫米、集成度达1800位的今天,光刻技术尤为重要。随着微电子工业的发展,与光刻技术有关的设备、材料、新的工艺也相应地发展。本着毛主席有关“洋为中用”和“知已知彼,百战不殆”的教导,为了便于战斗在微     

激光全息防伪技术中的安全保护方法研究

近年来,激光全息技术在防伪领域中已取得了巨大的进展,但在防伪性能方面仍存在不足,针对激光全息防伪应用中的仿冒问题,分析了其中的原因,并提出了相应的安全保护方法,从而能促进激光全息防伪技术的发展,使激光全息产业立于不败之地.     

基于DMD的数码全息光刻系统

利用DMD空间光调制器与计算机的良好接口和控制系统的可编程性,将其作为二维图像发生器介入激光直写系统;采用高质量相机镜头,设计了基于DMD数字微镜的激光面阵干涉成像系统和相关的光刻软件,并进行了实验,制作了缩微图像、数字掩模灰度图像和激光数码全息图像等.     

激光全息技术在防伪中的应用及发展趋势

本文论述了目前应用于防伪领域的主要激光全息技术，说明了实际中激光全息术的应用形式，并详细阐述了激光全息防伪技术的四个发展方向。     

产业新闻

激光产业走向成熟4大基地雏形渐显经历40多年的发展,中国激光产业开始走向成熟。随着国际微电子、汽车及消费品市场的快速增长,激光、光电子市场正处于一个稳步的发展时期。2006年中国激光产品市场继续保持较强的发展势头,市场销售总额(含全息制品)有望达到60亿元。