超磁致伸缩薄膜微机械变形镜驱动器的研究

分析了微机械变形镜MEMS驱动器的种类及其特点,并在磁致伸缩薄膜具有低磁场下的大形变、低功耗、高响应速度等特性基础上,提出了超磁致伸缩薄膜MEMS驱动器的原理.由于TbFe磁致伸缩薄膜在外加磁场作用下,微桥将在水平方向上产生伸长变形,从而引起微桥在垂直方向上发生位移.根据这一原理,设计了一种用于微机械变形镜MEMS驱动器的超磁致伸缩薄膜驱动结构,同时提出制作磁致伸缩薄膜连续式微机械变形镜的工艺流程.     

激光直写系统在ASIC器件制作中的应用

激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统，利用这台系统，通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光，能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上，本文介绍激光直写系统在ASIC器件制作中的应用和具体工艺。     

半导体激光端点干涉长法原理探讨

阐述利用半导体激光的频率变化和波长变化测量干涉仪光程差的基本原理，探讨一种在长度的两个端点干涉测量长度的新方法，即端点干涉测长法的原理，推导这种方法测量长度的公式，指出这种方法区别二其它干涉测长方法的独特优点，最后讨论测量中的注意事项以及需要深入的研究的问题。     

Intelligent System for Mask Phase-Shifter Design

讨论了一个用于相移掩模智能设计的专家系统。这个系统包括输入输出系统，仿真系统，知识库系统，人—机接口，黑板系统。它有一个包括图形获取、预处理、模式抽取、搜索与解释、图形复合与输出等环节的工作过程。系统的软件实现运用了面向对象的表示方法。     

半导体激光端点测长干涉仪实验系统

半导体激光端点干涉测长法是利用半导体激光频率调制特性的一种在长度的两个端点干涉测量长度的新方法。本文介绍基于这种测长方法研制的半导体激光端点测长干涉仪实验的基本原理,构成,定标方法和测量结果。     

一种简单的衰减相移掩模

:本文介绍了一种与传统Cr掩模制作工艺相兼容的单层衰减相移掩模的结构、原理和制作方法 ,提供了部分实验结果。     

亚分辨图形相移掩模的制作方法

介绍亚分辨图形掩模的原理,应用及具有亚分辨图形的相移掩模和传统掩模的制作方法和工艺。     

准分子激光刻蚀聚碳酸酯材料研究

准分子激光刻蚀聚合物一般认为是由于聚合物材料吸收光子能量而升温,同时分子链上的 化学键也会因吸收光子能量而断裂。本文在讨论分析了准分子激光烧蚀聚合物机理的基础上,通过对不同能量密度情况下得到的不同烧蚀深度的实验结果进行分析计算,得出聚碳酸酯(PC)材料对波长248nm激光的吸收系数为4.17×104cm-1,能量阈值为49.8 mJ/cm2。     

相移掩模和光学邻近效应校正光刻技术

详细地论述了相移掩模提高光刻分辨力和改善焦深的原理。介绍了光学邻近效应校正方法、改善光刻图形质量的机理及邻近效应校正掩模的一些设计问题。     

全息信息存贮实验系统的研制

本文介绍一种激光全息信息存贮实验系统,包括光路分析、主要机械装置、电控功能、系统特点及实验结果等方面。此系统利用付里叶变换全息图的原理,将胶片上的图象信息以点阵全息图的形式存贮在全息干板上,并用电子控制装置使全息图的记录和再现过程都能自动进行。