超微细平面图形成形技术的发展

<正> 概 述 为适应微电子技术迅速发展的需要,作为其中一项基础技术的微细平面图形成形技术随之得到飞速的发展。 平面图形的成形技术,到目前为止有以下几种: 1、a.绘图、刻图、揭膜、初缩、精缩、接触光刻; b.自动刻图、揭膜、初缩、精缩、 接触或接近式光刻; 2、a.光学图形发生器作初缩版、精缩、接触或接近或投影式光刻;     

间隙设定技术在光刻机中的应用

<正> 目前,在大规模和超大规模集成电路微细加工和超微细加工技术中,接触—接近式光刻在多种光刻工艺中仍然占有极其重要的地位,它同所有其它半导体专用设备一样,具有独自的、需要解决的某些关键技术,本文所述的间隙设定机构就是实现接触—接近式光刻机的关键技术之一。 间隙设定技术在接触接近式 光刻机中的重要意义     

纳米压印技术进展及应用

半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展.在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位.其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术.介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等.     

远紫外线复印装置

<正> 属微细加工技术的离子束曝光法及电子束曝光法是在真空中处理试料的,它做为平坦而厚的掩模制造方法逐步为人们所认识。把图形光刻在硅片上,其光刻方法正从以往采用的紫外线接触光刻或接近式光刻向缩小投影曝光或反射投影曝光方向转变。您想找到一种适于批量生产的微细图形复印的理想方法吗?笔者认     

硅片加工中的光刻技术

光刻是在半导体、金属及其他精密的表面加工中常用到的一种技术。尤其是在半导体工业中,为了制造二极管、晶体管、集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI),采用光刻的方法,把非常复杂和精细的图形做在硅片上。     

近期光刻用ArF准分子激光技术发展

193 nm ArF准分子激光光刻技术已广泛应用于90 nm以下节点半导体量产。ArF浸没式也已进入45 nm节点量产阶段。双图形光刻（DPL）技术被业界认为是下一代光刻32 nm节点最具竞争力的技术。利用双图形技术达到32 nm及以下节点已经被诸多设备制造商写入自己的技术发展线路。Cymer公司和Gigaphoton公司为双图形光刻开发了高输出功率、高能量稳定性和具有稳定的窄谱线宽度ArF准分子光源。分析了近期发展用于改进准分子激光性能的关键技术：主振-功率再生放大(MOPRA)结构、主振-功率振荡(MOPO)结构,主动光谱带宽稳定技术,先进的气体管理技术。对光刻用准分子激光光源技术发展趋势进行了简要的讨论。     

ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高

<正>光刻巨头ASML Holding NV(ASML)公司日期推出了创新光刻平台TWINSCAN NXT,套刻精度(overlay)及生产能力(productivity)显著提高,将有力推动半导体制程蓝图的前进。另外,ASML Research Review称,TWINSCAN NXT平台也适用于双图形曝光(double patterning)技术。TWINSCAN NXT平台具有创新的晶圆载物台设计,     

国际新闻

北美半导体设备市场6月份订单出货比为0.85;IMEC缩减双重图形光刻技术成本;Hynix将关闭俄勒冈州200mm晶圆厂;2008年半导体研发支出将增长8％;2008年全球半导体外包收入将增长10．8％……     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。     

大规模集成电路制作中的光刻技术——紫外线曝光和电子束曝光

本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触曝光和投影曝光的对比、图形对准精度和正性胶图形的缺陷进行了讨论;对电子束曝光亦进行了讨论,这里包括扫描电子束曝光系统的稳定性、绘图精度、电子束光刻胶特性及其在有掩模制备和芯片直接曝光方面的应用等问题。     

Micronic革新图形技术与客户双赢

光刻胶、掩膜版和光刻机一直以来是构成光刻的三要素,掩膜版的技术水平直接影响着半导体光刻技术的发展,而目前几乎所有平板显示器的制造过程也必须用到光掩膜。Micronic Laser Systems AB正是提供TFT-LCD、半导体和先进电子封装制造中掩膜版生产工具-激光图形发生器的公司。     

光刻技术及其新进展

介绍了用于制作半导体集成电路的光刻工艺的概念、分类及发展过程，阐述了当前光刻工艺的主流，并重点介绍了极紫外光刻、X射线光刻、电子束光刻、离子束光刻、纳米图形转印等下一代光刻技术的特点及其面临的挑战。     

双重图形填补光刻技术鸿沟

在不到一年前,仅仅只是提及双重图形就会使整个半导体制造业界“抖三抖”。不过今年已经出现相当多的对该项技术的正面评价。芯片制造商们不再因为担心生产力损失和套刻精度误差而对这种技术敬而远之,而且看起来大家已经开始接受这样一个事实,需要一种方法来填补产业从浸入式光刻转到EUV所出现的光刻技术鸿沟。     

纳米压印模板需要高质量的检测技术

纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后，已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲，纳米压印是把一个1&#215;的模板压进一个柔性层，从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授Fabian Pease说：“它引人注意之处是具有半导体行业现在非常感兴趣的分辨率，即远低于100nm的线条，而在这个范围内，如果无法用纳米压印光刻来实现，光学光刻将变得很昂贵。”     

双重图形推动浸没式光刻继续前进

随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望,业界现在开始热烈地讨论双重图形,想以此作为拓展水浸式光学光刻强有力的方法     

Micronlc革新图形技术与客户双赢

光刻胶、掩膜版和光刻机一直以来是构成光刻的三要素．掩膜版的技术水平直接影响着半导体光刻技术的发展．而目前几乎所有平板显示器的制造过程也必须用到光掩膜。Micronic Laser Systems AB正是提供TFT-LCD．半导体和先进电子封装制造中掩膜版生产工具．激光图形发生器的公司。     

双重图形填补光刻技术鸿沟

在不到一年前，仅仅只是提及双重图形就会使整个半导体制造业界“抖三抖”。不过今年已经出现相当多的对该项技术的正面评价。芯片制造商们不再因为担心生产力损失和套刻精度误差而对这种技术敬而远之，而且看起来大家已经开始接受这样一个事实．需要一种方法来填补产业从浸入式光刻转到EUV所出现的光刻技术鸿沟。     

用抗粘附表面转换技术来减少光刻图形缺陷

在对接触式光刻工艺进行了详尽评价之后,我们断定出光致抗蚀剂粘附到掩模版表面上是产生图形缺陷的主要原因,并研究出了一种预防性措施——抗粘附表面转换法(SURCAS),采用此种方法可使缺陷密度减少到常规接触光刻图形缺陷密度的四分之一。这种技术为改进目前大规模集成电路的生产开辟出了新的途径,而且在不久的将来还可用于线宽小至1微米的超微细图形光刻中。     

浸没式光刻向22nm挺进

简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。     

远紫外光刻

<正> 一、引言传统的半导体光刻工艺所用的光谱波长为350～450毫微米,因为几乎所有以前使用的光致抗蚀剂、光源和照明光学系统在波长低于350毫微米时都不能适应,因此不能用更短的波长。这样,传统波长范围内的衍射效应就成为影响图形最小尺寸、掩模片子间隙容许值和抗蚀剂图形厚-宽比(指抗蚀剂厚度与图形线条宽度之比)的限制因素。为适应微细加工的需要,已研究出诸如 X 射线光刻,电子束投影及电子束直接光刻等方法,但由于这些方法机构复杂,装置价格高及位置对准、掩模制造等问题,要作为实