调制激光用的DKDP电光晶体

随着最近光电子管的发展,电光效应的应用受到人们的重视,这次堀场制作所在日本首次研制成功了激光调制用的电光晶体(DKDP单晶)。这种DKDP单晶是把KDP晶体中的氢置换成它的同位素氘而成的,它能增强电光效应（最大重氢置换率是 99.7%)。     

KDP和DKDP电光晶体沿表层缺陷研究

对激光技术广泛使用的磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)电光晶体另件加工的基本要求是获得的抛光表面缺陷要最少。根据对晶体损伤提出的热电子机理得出,为了提高表面的抗光强度首先要改善加工,即在保持表面光学质量条件下尽可能完全消除由于机械加工而引起的损伤裂纹层。根据文献[2]数据,KDP晶体经极粗的机械加工(切割)后,其〔001〕面方向损伤层深度不大于145微米。关于DKDP晶体的类似数据文献中未见到。作者研究了KDP和DKDP晶体用不同粒度金刚砂粉研磨后的凸凹和裂纹层,并讨论     

比较法测量晶体的电光系数

我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致.     

一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法——比较法

在正交偏光干涉实验装置中,用DKDP晶体的电光效应补偿其它晶体电光效应所引起的光程变化,测量晶体电光系数相对于DKDP晶体γ63的数值,提出了一种简单和高灵敏度测量晶体电光系数的方法。     

用于激光偏振调制的低压大孔径电光调制器

采用组合型大孔径 DKDP 纵向电光调制器,成倍地降低了工作电压,并在较大的通光孔径下获得了优良的消光比。适用于激光记录、显示;也可用于非激光光源的调制。     

DKDP电光晶体真空性能的研究

一、概述 用于晶体光阀管中的DKDP电光晶体,由于它处于真空环境并依靠电子束的轰击而工作,所以它的真空性能以及抗电子束轰击的能力对电光晶体本身是否能正常工作显得十分重要。 晶体光阀管真空性能的研究,国外早有报导,但它们只研究了电子束轰击下以及不同温度下光阀管内气体总压强的变化,没有进一步分析气氛变化的过程和气体的种类。这对保证DKDP电     

近光轴电光调制和单块晶体激光Q开关

本文分析了LiNbO_3和KDP类晶体的偏光电光调制器中的近光轴调制性能,讨论光预偏置技术,单块晶体双45°开关的工作点和光轴长度选择.实验表明,单块晶体Q开关结构简单可靠,具有能做各种形式Q开关的多样化特点.     

掺钕钇铝石榴石激光器二次谐波辐射的内腔振荡和同时调制

在非线性晶体置于交流电场时,通过同步角的改变可以实现激光器二次谐波辐射的同时振荡和调制。但是,当电场值很大时(KDP型晶体,约几十千伏/厘米,LINbO_3约几千伏/厘米)相匹配条件明显破坏。只有在过渡到居里点附近的温度区。才有可能降低必要的电场强度,然而实际上这是不允许的。内谐振腔法是能够降低调制信号控制电压实现激光器辐射二次谐波振荡和辐射调制的最有效的方法。     

晶体光阀显示

本文论述了国外晶体光阀的研制和发展情况,主要包括DKDP光阀,BGO光阀和PLZT光阀.另外还简单地介绍了用作全息存贮的PROM和铁电光折射器件,并在第二部分叙述了作为晶体光阀物理基础的普克尔斯效应.我国晶体的研制和生产都有一定基础.如何将各种新晶体引入信息存贮显示领域是个很值得重视的问题     

薄片DKDP晶体前后表面损伤识别技术研究

在全内反射边缘照明的基础上,利用DKDP晶体的双折射特性,解决了区分DKDP晶体自身前后表面损伤的问题。紫外光入射到11 mm厚的DKDP晶体会分解为o光和e光,并在出射面产生254.738 m（理论值）的偏离量。这个偏离量导致DKDP晶体后表面损伤在CCD上成双像（一个是o光成像,另一个是e光成像）,可以用偏振片对双像进行调制;DKDP晶体前表面损伤在CCD上只有单像,不受偏振调制影响。通过偏振调制,可以避免重复提取同一个损伤信息,提高损伤识别精度。实验证明:该方法可以区分厚度为11 mm的DKDP晶体前后表面损伤。     

自身电光效应补偿法测量DKDP晶体感应主轴方向的应力双折射

本文用DKDP晶体自身电光效应补偿的原理,测量了其感应主轴方向的应力双折射。     

高平均功率热补偿电光开关

慨述了高平均功率激光器电光开关中产生的热光退偏和波前畸变，介绍了采用KTP和DKDP晶体热补偿电光开关的原理和技术。     

激光微孔加工中调节孔锥度的算法研究

基于超快激光倒锥孔微加工技术需要,提出了一种利用电光晶体的电光偏转原理调节光束产生动态精密微位移的方法。通过四块楔形电光晶体的特定方式组合,调节施加在电光晶体上的电压大小,可使出射光束产生动态的横向位移。在此方法的基础上施加旋转运动,可实现激光加工锥度可控的倒锥孔。本文介绍了横向位移的产生方法,分析了产生最大横向位移的影响参数,举例使用KDP,D-KDP,RTP等电光晶体,讨论了不同长度下,所产生的动态横向微位移范围。入射光束直径3 mm,电光晶体厚度3 mm,宽度30 mm,总长为210 mm,楔角α为0.3 rad,调节电压从0～90000 V时,RTP电光晶体可产生0～700μm的动态横向位移。     

连续可调V_π的LN电光调制混合型光双稳设计原理

本文在研究LiNbO_3为非线性介质,利用电光调制特性实现了LN晶体混合型光学双稳态的基础上对“调制函数曲线”进行了初步探讨,提出了《调制函数曲线》的平移方法:当原光双稳系统插入单轴折射晶体后其原调制函数曲线不但相位发生了改变而且将晶体的半波电压1435伏降为750伏。据此,绘制了θ与V_π关系曲线。此曲线被称为LN晶体半波电压工作曲线,亦即LN晶体调制函数曲线。由实验得知:当双轴折射晶体与两平行偏振面的调制夹角θ_j=10°、20°……45°,则非线性晶体半波电压降为V_(πj)=125、     

双45度DKDP晶体Q开关YAG激光器研制

本文叙述了双45°DKDP晶体Q开关YAG激光器基本原理和实际存在的近轴调制问题,介绍了样机主要性能及DKDP晶体加工。固体激光器采用Q开关方法,获得高峰值功率激光输出,已得到广泛应用。Q开关方法有转镜Q     

基于宽度调制谐振腔的光子晶体电光调制器

针对目前电光调制器插入损耗高的问题,提出了一种基于宽度调制(WM)型谐振腔的光子晶体电光调制器.该器件由输入端纳米线波导、硅基光子晶体波导和WM型谐振腔组成,前二者的连接处采用锥形结构,用于减少2种波导之间的级联损耗.根据时域耦合模理论与等离子体色散效应,采用WM型谐振腔和PN掺杂结构实现对横电(TE)模的调制,并应用...     

铌酸锂电光调制器的温度特性研究

采用折射率椭球基本理论和数值计算方法,分析了纵向和横向调制下,出射光光强随温度的变化趋势,以及在这过程中与晶体折射率、晶体热膨胀系数及晶体尺寸间的关系,并进行了相应的数值模拟。结果表明,纵向调制下出射光光强随温度的变化趋势只跟晶体折射率的变化有关;横向调制下出射光光强随温度的变化趋势不仅要受到晶体折射率的影响,还要受到晶体尺寸及其膨胀系数的影响,因此可以利用特殊尺寸的晶体来提高电光调制器的温度稳定性。     

非偏振辐射激光器调Q用的整体光电开关

在利用各向同性媒质和各向异性电介质界面双反射效应的基础上,研究了非偏振辐射激光器调Q用的整体光电开关,并测量了钕玻璃激光器系统中用KDP和DKDP材料作的开关从自由振荡过渡到Q调制的转换及各种介入损耗的系数值。     

大口径电光晶体高精度定轴研究

大口径KDP电光开关是新一代高功率激光器多程放大系统的关键部件。分析了定轴误差对开关性能的影响,介绍了首次研制成功的240mm×240mm×14mm大尺寸KDP开关晶体的制造、定轴及性能测试装置和检测结果。     

KDP三维正常声电光器件

给出了三维声电光效应的耦合波方程，推出了其衍射效率的计算公式；讨论了KDP三维正常声电光器件的设计方法，包括晶体切向结构和换能器尺寸的设计；制作了KDP三维正常声电光器件，测试了器件相对衍射效率随直流电压变化的实验曲线，测试结果与理论计算相符合。多维声电光器件在多通道光信号处理和多路光通信领域有广泛应用前景。