军品级性能的零阻值贴片电阻

RCW PM Jumper零阻值贴片电阻通过了MIL-PRF-32159的RCZ型认证，对于军工、航空、航天、医疗及其他在恶劣环境中的应用，RCW PM Jumper可提供确定的可靠性和军品级的失效率。     

元器件与组件

正用于智能手机、可穿戴设备的低阻值贴片电阻UCR006是0201 inch(0.6mm×0.3mm)的厚膜型产品,实现了超高级别的低阻值100mΩ,有助于设备的节能化。另外,作为低阻值范围的0201 inch贴片电阻器,实现了-55~+155℃的使用温度范围,可支持更广泛的应用。而且,额定功率保证0.1W,达同尺寸通用产品的2倍。该产品同时具备低阻值化与大功率化,使0402inch(1.0mm×0.5mm)的替换更加容易,还有助于设备的小型化。另外,该产品采用罗姆独有的修整技术,使实现低阻值时面临的课题——电阻值容许差实现1%(F级);采用背面贴装结构,     

低TCR高温薄膜电阻

PLTT精密低TCR高温薄膜电阻现可提供0805、1206、2010和2512外形尺寸,阻值范围扩大至250Ω～3MΩ,并可提供非标阻值。PLTT电阻的工作温度范围为膜电阻扩大了近100℃。器件±5×10^-6／℃的标准TCR,比传统薄具有低至容差低至±0．02％,噪声低于-35dB,     

Vishay扩大ORN薄膜模压双列直插式电阻网络的阻值范围

日前．Vishay宣布扩大了ORN系列薄膜模压双列直插式表面贴装电阻网络的阻值范围。增强后的器件可提供499Ω～500kΩ范围内的13种标准阻值,使设计者在相同的标准窄体SOIC鸥翼型封装内可使用阻值更高或更低的电阻。     

叠层埋入式电阻温度分布的影响因素分析

选取方阻阻值、电阻表面积、电阻层间距、电阻距PCB板表层距离、同层电阻间距和电阻电流作为影响温度分布的关键因素,基于正交表L25(56)设计并建立了25种不同参数水平组合的叠层埋入式电阻有限元模型进行温度场分析,对所得25组温度数据进行极差分析和方差分析。结果表明:方阻阻值对温度影响最大,其次是电阻表面积、电阻电流、同层电阻间距、电阻距PCB板表层距离,最后是电阻层间距;在置信度为90%时,方阻阻值对温度有显著影响。     

片状电阻硫化失效机理及应用可靠性研究

空调控制器主板在售后使用1-3年后出现的报PL故障,经过失效品分析及大量数据统计,大部分电阻失效集中在控制器外电路的直流母线电压检测电路片状电阻位置,电阻表现为值大、开路失效,通过对售后返回大量的电阻失效分析和电阻硫化实验验证,采用扫描电镜、能谱分析等手段研究了厚膜片式电阻器的硫化现象和失效机理.分析研究结果显示,片状电阻端电极和二次保护包覆层之间存在缝隙,空气中的硫化物通过灌封硅胶吸附进入到片状电阻内电极,导致内电极涂覆银层的银被硫化,生成电导率低的硫化银,使电阻的阻值变大甚至呈现开路状态.经大量的方案分析验证最终确定从器件本身提高器件的应用可靠性的可行方案,有效解决了电阻硫化失效问题.     

受控电阻及其基于LDO零极点追踪频率补偿方案的应用

本文利用工作在深度线形区的MOS管电阻和辅助电路设计了一个受控电阻。其中辅助电路为MOS电阻提供正比于LDO输出电流的栅源电压,从而使得MOS电阻的等效阻值反比于LDO的输出电流,这种反比关系非常适合零极点追踪的频率补偿方案。通过调整MOS电阻的类型和流过辅助电路中的电流方向,受控电阻可以应用于不同的电路结构。利用该受控电阻,本文提出了三种分别基于带去零电阻的米勒电容、单位增益补偿模块和伪ESR功率级电路结构的零极点追踪频率补偿方案。三个方案都通过了仿真验证,并对其优缺点进行比较和讨论。     

半导体器件金属互连电阻失效分析方法研究

晶圆的失效分析在集成电路制造中起着十分重要的作用.通过对器件的失效分析,可确定器件的失效机理,并及时改善工艺.阐述了WAT(晶圆验收测试)中金属互连电阻(Rc)失效分析的优化流程.根据不同的金属互连电阻失效模型,如阻值偏低、阻值偏高以及断路,选择合适的失效分析方法,从而可以快速准确地揭示器件金属互连电阻失效的根本原因.     

电阻贴片频率选择表面(FSSR)的吸波性能研究

对电阻贴片频率选择表面(FSSR)的吸波性能进行了研究.将传统FSS的导体贴片用电阻贴片代替,制备了由不同尺寸、电阻的FSSR与不同厚度介质层构成的单层吸波材料.在以Agilent 8720ET矢量网络分析仪为核心的弓形法测试系统中,在2GHz～18GHz频率范围内测量了材料的反射率.结果表明:电阻贴片频率选择表面较Salisbury屏有更宽的吸收频带,其单元贴片尺寸、单元贴片电阻以及介质层的厚度都对吸波材料的反射率有明显的规律性影响,但与单一的Salisbury屏和传统的FSS明显不同,并采用传输线理论对其吸收机理进行了分析.     

埋入电阻式多层印制板的研制

本研究了埋入电阻式多层印制板的制作工艺,重点讨论了电阻设计、网印工艺、电阻浆料后固化工艺以及多层板的后续加工工艺对阻值的影响。通过试验掌握了电阻浆料的阻值变化规律,解决了埋入电阻式多层印制板制作过程当中的重要难题,对今后埋入电阻式多层印制板的批量生产有重要的指导意义。     

贴片电阻器趋向小型化，特种产品附加值高

本文通过采访贴片电阻的率先商用化企业、世界第四大电阻公司—ROHM,从中可窥见贴片电阻的应用与发展走势,及部分特种贴片电阻的发展状况,包括分流电阻的动向和抗硫化电阻的低成本工艺改进,最后介绍了ROHM的电阻发展策略和生产特点。     

基于单片机的简易自动电阻测试仪

设计了一种具有自动电阻筛选测试仪,选用低功耗单片机C8051F005、多路开关CD4051、步进电机驱动芯片TA8435、LCDLM9033液晶显示器等器件。利用多路开关实现量程自动切换,测量量程为100Ω、1KΩ、10KΩ、10MΩ四档,测量精度为1%。用户通过键盘输入要求的电阻值和筛选误差值,测量时能在液晶显示器上显示出被测电阻的阻值以及被测电阻是否符合筛选要求,在自动测量时,液晶显示器能显示电位器阻值随旋转角度变化的曲线。所有电路结构简单,所选器件价格便宜,并给出了测试结果。测试结果表明,该电阻测试仪在自动电阻筛选和自动测量等方面具有较好的指标、较高的实用性。     

场发射阵列中的分布电阻层

文章提出一种具有网格状分布电阻层结构的场发射阵列（ＦＥＡ）。讨论了电阻层的横向电阻和纵向电阻对器件性能的影响。实验结果表明，通过引入电阻层，器件发射的不均匀性得到较大改善，异常发射得到有效的抑制。     

Vishay公司MIL级薄膜片式电阻

Vishay Intercechnoloy公司发布其E／HMil级片式电阻，共有3种尺寸，紧凑型0402、0603和0502型，这为需要可靠性得到保证的设计师们在器件选择方面提供了更大自由度。Vishay薄膜电阻针对性能要求严格的军事应用，可满足Mil-PRF55342规范。采用标准封装尺寸，     

ZnS纳米薄膜的负微分电阻和记忆特性

通过激光分子束外延(LMBE)和热蒸发技术制备了基于ZnS纳米薄膜的Al/ZnS/ITO/玻璃器件,通过原子力显微镜(AFM)对ZnS表面薄膜形貌进行表征,采用Keithley 2400测量其电学特性,分别研究了扫描电压、ZnS薄膜厚度及不同温度的退火处理对器件电学特性的影响。实验结果表明:在不同的扫描电压作用下,器件均表现出稳定的负微分电阻特性,且其阻值随扫描电压的变化呈现出高低电阻两种状态,器件具有明显的记忆特性。适当减小ZnS薄膜的厚度或对器件进行400℃退火处理,均可有效减小低阻态的阻值,提高器件的峰-谷电流比率,进而优化器件的记忆特性。最后,基于能谷散射理论,对器件的负微分电阻特性进行了合理解释,理论和实验结果吻合较好。     

应用无掩膜印刷术埋嵌微型聚合物厚膜电阻

Optomec公司开发了一种名为M3DTM的新型印刷技术,用于沉积高精度PTF(Polymer Thick Film)电阻。这种新方法生产出的电阻,面积小到0.05mm2,阻值范围达到100Ω-10000Ω,阻值公差能够保持在10%以内。M3DTM技术可以直接利用CAD文件决定电阻的位置以及阻值大小,而不需要制作掩膜模版,也不需要事后对阻值进行微调,是一种印刷埋嵌电阻的高性价比解决方案。     

提高网印电阻阻值精确度的研究

印制电路板铜线路的分布严重影响了网印电阻阻值精确度。研究分析了两类线路分布对网印电阻阻值精确度的影响,用Minitab软件拟合了第一类线路分布对网印电阻阻值影响的回归方程,通过阻值分布概率图分析了第二类线路分布对网印电阻阻值的影响。应用正交设计试验,获得最佳网印电阻工艺参数,结合图形补偿的方法,将不同尺寸电阻图形的方阻值公差控制在±15%以内,有效地提高网印电阻阻值精确度。     

30 V UMOS中影响导通电阻平坦度的因素分析

功率MOSFET作为开关器件时,导通电阻的平坦度是衡量其性能的重要参数。研究影响导通电阻平坦度的因素,并对其进行优化,有助于改善器件的性能。低压UMOS中,沟道电阻是导通电阻的主要部分。文章以沟道电阻为分析对象,利用公式分析影响因素,通过Sentaurus TCAD仿真验证了导通电阻平坦度的变化趋势。通过改变P型基区离子注入剂量和栅氧层厚度进行仿真。仿真结果表明,通过减小栅氧层厚度和减少P型基区注入剂量,可获得较好的导通电阻平坦度。     

LCP柔性基板的薄膜电阻制作技术

针对液晶聚合物(LCP)柔性基板高频电子封装应用需求,采用一种薄膜溅射工艺直接在LCP柔性基板上制作TaN薄膜电阻,研究不同等离子体预处理方式对LCP表面形貌和LCP表面薄膜金属膜层附着强度的影响,进一步研究溅射气压和氮气体积分数等参数对电阻性能的影响,考察LCP柔性基板上的TaN薄膜电阻精度及电阻温度系数(TCR),并制备出50Ω的薄膜电阻。结果表明:当射频功率为300 W的氧等离子体预处理600 s时,LCP表面的面粗糙度低,LCP基板表面薄膜金属膜层附着强度高,其值>5.0 N/mm²;当溅射功率为400 W、氮气体积分数为3%、溅射气压为0.2 Pa时,制备的TaN薄膜电阻的阻值精度高,阻值精度≤±4%,TCR电阻稳定性能好。     

Vishay推出新款1020小外形尺寸Power Metal Strip电阻

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出在1020小外形尺寸内采用宽边接头结构实现2 W高功率等级的新款表面贴装Power Metal Strip电阻——WSL1020。该器件具有高功率小体积和0.003Ω的极低阻值,以及0.5%的稳定电阻公差。Vishay Dale WSL1020电阻的结构先进之处在于采用低TCR(<20 ppm/℃)的固体金属镍铬合金电阻芯,实现了可在-65～+170℃工作温度范围的高功率电阻,同时保持Power Metal Strip结构的优异电特性。WSL1020的尺寸为0.200英寸×0.100英寸(5.08 mm×2.54 mm),高度为0.025英寸(0.635 mm)。器件的小尺寸可让设计者