连续监测数据的时频分析及程序设计

随着各类自动化传感器在变化监测中广泛的使用,出现了大量的连续监测数据。在这些监测数据中含有大量的系统信息。正确分析并充分提取信息,是测量数据处理的一个重要内容。本文对连续监测数据在时域分析和频域分析中的处理特点和过程进行了讨论,并介绍了相应的应用程序。     

城市里的别墅

“城市别墅”命名的矛看性在于城市意味着集合与社交，而别墅意味着分散与独居。两者可否兼容？事实上典型传统中国城市中并无真正意义上的城市建筑，只有“别墅”。而这种别墅即低密度独户住宅在北方以四合院的形式出现，构成中国乃至亚洲特有的城市形态。     

从热蒸发多孔氧化硅薄膜表面形貌研究其生长机理

薄膜的表面形貌与生长机理相关,因此可以通过研究薄膜表面形貌的演变来外推其生长机理。利用热蒸发法在硅片上制备了纳米多孔二氧化硅薄膜,利用扫描电镜(SEM)和X射线能谱(EDS)对不同样品的形貌、成分进行了表征。研究发现所制备的薄膜是由线状结构或直立的片状结构所构成的多孔结构。利用马拉高尼效应和润湿理论,对薄膜的气-液-固生长机理和氧化物辅助生长机理进行了探讨。     

关于一种面向方面软件体系结构模型探究

建立面向方面软件体系结构模型,有助于分离软件系统中的核心关注点和横切关注点,从而简化系统的设计与维护。详细分析构建模型的三个基本元素:构件、连接件和方面构件,并通过一个网上支付实例验证该模型的理论意义和实用价值。     

Ti－24Al－11Nb金属间化合物的氢致滞后开裂

Ｔｉ－２４Ａｌ－１１Ｎｂ金属间化合物的氢致滞后开裂张跃，王忆，王燕斌，褚武扬，肖纪美（北京科技大学北京１０００８３）１引言复相金属间化合物Ｔｉ－２４ＡＬｌｌＮｂ合金是一种重要的新型高温结构材料，已被美国宇航局用作为新一代宇航飞机的发动机材料及结构件．...     

与温度、电压及工艺涨落无关的CMOS电流基准

利用工作在亚阈值区的MOS管代替传统电流基准中的三极管或电阻器件,实现了一款全CMOS器件的电流基准.利用PMOS管的体效应实现进一步的温度补偿;利用共源共栅和反馈结构有效地增加了基准电流源德电源抑制比;并利用当工艺发生偏差时CMOS管阈值电压、电子（空穴）迁移率和亚阈值区MOS管漏源电流之间的关系,降低了工艺涨落对基准电流的影响.本设计采用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC公司的0.5 μm CMOS混合信号模型进行仿真设计,设计的基准电流中心值为1.62 μA.综合考虑温度、电压和工艺涨落对电流基准的影响,温度系数为1.58×10－4%/℃,电源抑制比为90.5 dB,工艺涨落仅造成基准电流±3.5%的变化.     

基于面向特征编程范式的形式化验证技术的应用与研究

本文系统详尽阐述了FOP编程范式的思想,通过类比,指出FOP与面向方面编程范式的异同。同时还说明FOP给形式化验证技术带来的挑战。本文还比较了现有的FOP形式化验证方法以及我们所做的相关工作的优缺点,并对FOP形式化验证今后可能的研究和发展方向进行讨论。