NCR的32位VLSI处理器

NCR/32是NCR公司用NMOS工艺制成的“第一个外部可微编程的真正32位的VLSI处理器”。它只有指甲那么大,却提供IBM 370/138那样的功能,其指令周期时间为150ns。一般说来,处理器的中央处理单元要由30～40块插件板组成,而NCR/32却只有4     

0.6μm SOI NMOS器件ESD性能分析及应用

ESD设计是SOI电路设计技术的主要挑战之一,文章介绍了基于部分耗尽0.6μm SOI工艺所制备的常规SOI NMOS器件的ESD性能,以及采用改进方法后的SOI NMOS器件的优良ESD性能。通过采用100ns脉冲宽度的TLP设备对所设计的SOI NMOS器件的ESD性能进行分析,结果表明：SOI NMOS器件不适合...     

无输出电容的瞬态增强NMOS LDO

提出了一种用于片内数字驱动的瞬态增强NMOS低压差线性稳压器(LDO)。该LDO采用电容耦合动态偏置和双环路推挽式驱动调整管,极大地提高了电路的瞬态响应速度。基于0.35 μm BCD工艺的仿真结果表明,负载电流在0.1~100 mA之间的跃迁时间为100 ns时,电路的下冲电压为42 mV,过冲电压为66 mV,稳定时间仅为323 ns。该LDO电路的总体静态电流约为50 μA,输出电流最大值为100 mA。     

高速8K×8的混合式CMOS静态RAM

一、概述微处理器广泛应用对静态RAM的高速、高密集度和低功耗产生了强烈的要求。为了满足这一需求,采用NMOS工艺的16K静态RAM已设计成功。但是在高密集度的RAM中,NMOS增强/耗尽(E/D)电路的功耗问题一直未能完美地解决。这里介绍一个混合CMOS工艺制造的高速8K×8静态RAM。这一工艺就是将CMOS外围电路和NMOS贮存器模片相结合,用此RAM在典型的试验条件下我们得到了34ns的地址存取时间和90mW的有效功率。这里我们采用了带有4个子模块的分方位模片结构和一个新型的读出放大器。除了冗余贮存器单元之处,这个RAM包括     

64K 静态RAM松下半导体实验室

本文介绍应用双层多晶硅和NMOS/CMOS工艺设计具有典型存取时间为80ns的全静态RAM。该存储器工作和保持方式中功耗分别为300mw和75mw。 该RAM采用了具有N~+掺杂多晶硅栅的N型和P型MOS晶体管的N阱CMOS工艺。通过两步扩散工艺,避免了在形成源漏区的硼离子注入工序中硼掺杂到P型晶体管的硅栅中去,其结果避免了硼穿透400(?)(?)的薄栅氧化层引起P型晶体管的阈值电压漂移的问题。存储单元是在P型衬底上用NMOS工艺制作。外围电路,例如行和列译码器,输入/输出电路及读出放大器等由N阱CMOS形成。     

兆位级DRAM

<正> 加利福尼亚州的富士通微电子公司报导他们已研制了能贮存1M 位数据的 DRAM,预计在1986年底能大量生产。该器件采用 NMOS 技术,最小线宽为1.4μm。采用了三维叠式电容器单元的结构,在26.5μm~2的单元面积内可提供55pF 的数据存贮容量。该 DRAM 存取时间为90ns(t/rac)和45ns(t/cac),功耗为350mW(工作)和15mW(待机),用单一5V 电源,芯片面积为12.32mm×4.44mm,单元面积为8.4μm×3.15μm。另报导,东芝在美国的分公司研制了1M 位 CMOS DRAM,存取时间为100ns,最大工作电流40mA(待机时为1mA),使用1.2μm 设计规则。     

用示波器测量与分析抖动

对于50MHz的时钟或者20ns的时钟周期,100ps的水平抖动并非问题。这时上升或下降时为ns数量级,建立时间也在ns范围之内。然而,当时钟频率升高到400MHz、时钟周     

三维CMOS集成电路工艺及其性能研究

本文报道了一种三维(简写为3D)CMOS集成电路制造工艺及其性能.在P型单晶硅片上制作NMOS晶体管,在连续氩离子激光再结晶的N型多晶硅膜上制作PMOS晶体管,这两层器件之间用 LPCVD生长的二氧化硅层作隔离.已制成5μm沟道长度的9级3D-CMOS环形振荡器,每级门的延迟时间为2.7ns.     

产品之窗

高性能 SRAM 查询号176IBM宣布推出速度最快的商品化CMOS-SRAM:工作频率为250MHz的IMb SRAM及225MHz的4MbSRAM,瞄准高性能科学工作站和远程通信系统应用.器件是用该公司最先进的0.18μmCMOS 6S艺技术制作的,采用标准的读、写周期,可用单与双时钟工作.寄存器至寄存器操作时,IMb器件的存取时间为2.25ns,周期时间为4.0ns,4Mb器件分别为2.5ns及5.0ns;寄存器至锁存器操作时,IMb的存取时间为6.0ns,周期时间为6.0ns,4Mb与1Mb相同.器件I/O电平与LVTTL或HSTL兼容.器件采用7×17PBGA封装,将引线电感减少到最低限度.购买1000只时,1Mb售价95美元,4Mb售价425美     

MOSEL 1M×4 EDO DRAM提供Entry-Level PC不须L2

MOSEL 1Mx4 EDO DRAM,其行位址存取时间(RAS)为40ns、数据输出周期时间(EDO Cycle Time)为15ns。它的价格相当于慢速(RAS为60ns)快速页面方式(Fast Page     

采用分段式自适应PWM/PFM调制的Buck型DC-DC转换器设计北大核心

为了在轻重负载条件下获得更高的转换效率，采用分段式结构和导通电阻更小的NMOS作为输入级，并采用PWM/PFM双调制方式，设计了一种Buck型DC-DC转换器。为解决PWM/PFM调制信号切换问题，采用零电流检测方式进行切换。利用断续导通模式(DCM)和连续导通模式(CCM)下端NMOS管导通时电感电压的不同，检测下端NMOS在导通时电感电压大于零的周期。当电感电压大于零的周期大于2时，则处于DCM模式并自动采用PFM调制模式，关闭一部分功率管以减小开关频率和功率管寄生电容，优化轻载效率；反之则处于CCM模式并采用PWM调制。仿真结果表明，在负载电流10～1 000 mA范围内，该电路可以在两种调制模式平稳切换，在800 mA时峰值效率可提升到96%以上。     

以扩展页面方式为特征的256k RAM

MCM6256动态RAM适合于改进64k字节系统,它提供256kbits的存储容量,并具有扩展页面方式,该方式允许在所选择的多达512bits的列内随机位存取。MCM6256-10器件的最大页面周期为100ns,最大存取时间快达50nS。而对于MCM 6256-11和MCM6256-15,其最大存取时间分别为60ns和75ns,其周期分别为120ns和150ns。全部输入和输出包括时钟与TTL兼容。该RAM被封装在一个16芯30密耳的塑料DIP内,就一个+5v(±10％)的电源供电,备用时耗电4.5mA,工作时耗电70mA。以100个为批量,售价为:MCM6256-15 20.01美元,MCM6256-12 31.21美元,MCM6256-1036.41美元。     

SOI工艺下NMOS管的热载流子效应研究

摘要：本文研究了SOI工艺下环形栅NMOS和双边栅NMOS（H型栅NMOS、T型栅NMOS和普通条形栅NMOS）的热载流子效应。基于热载流子退化的化学反应方程式和一种与器件几何结构相关的反应扩散方程,提出了环形栅NMOS和双边栅NMOS的热载流子退化模型。根据此模型得出,热载流子退化的时间指数与NMOS的栅结构密切相关,且环形栅NMOS与双边栅NMOS相比,热载流子退化更加严重。通过对0.5 PD SOI 工艺下这几种不同栅结构的NMOS管的设计、流片和热载流子试验,验证了结论。     

紫外可见NMOS线阵图像传感器量子效率的定标研究

作为一种新型紫外可见线阵图像传感器,紫外可见NMOS已经应用于国外的空间遥感探测中,但是目前在国内相关研究甚少。在紫外可见波段针对NMOS的重要光电性能参量量子效率进行了定标研究,为NMOS线阵图像传感器在紫外空间遥感探测的应用奠定了基础。基于美国标准技术研究院(NIST)标定的标准探测器,构建了一套NMOS量子效率高精度定标系统。在250~700 nm波段范围内,通过直接标定NMOS入射窗口处接收到的光子数,结合NMOS信号处理及读出单元得到NMOS的响应电子数,标定其量子效率。结果表明NMOS线阵图像传感器的量子效率在紫外波段达到34%@275 nm,在可见波段达到80%@550 nm。通过不确定度分析,量子效率的测量不确定度为2.5%。     

技术资源

低压快闪存储器 STMicroelectronics公司的M59BW102是低电压快闪存储器集成电路,其特点是其中包含先进的同步猝发接口电路,能够提高整个系绞的性能。这项新产品的存储容量为1Mb(64kb16), 能够在20ns的时间内读取按顺序排列的数据,工作周期为25ns,随机读取只需要55ns的时间,在硬盘驱动器和光盘驱动器中用于存放程序。     

部分耗尽DTMOS的模拟和射频特性研究

基于0.35μm部分耗尽SOI CMOS工艺技术平台,我们实现了一种H栅型PDSOI动态阈值MOS晶体管。通过比较H栅型PDSOI动态阈值NMOS和传统PDSOI H栅NMOS的模拟和射频特性,我们深入研究了此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS不同于其他H栅MOS器件的工作原理和物理机制。实验结果表明,此类H栅型PDSOI动态阈值NMOS在栅源电压为0.7V和漏源电压为1V的情况下,可获得40GHz截止频率和29.43GHz最大振荡频率。     

利用基于扫描相机的荧光寿命成像显微技术研究细胞周期

利用基于扫描相机的荧光寿命成像显微系统,以细胞周期为模型,研究转染绿色荧光蛋白的HeLa细胞的荧光寿命。结果表明,处于周期内不同进程的细胞的荧光寿命为2.50~3.00 ns。处于分裂期的细胞的荧光寿命在1 h内从2.86 ns下降到2.82 ns;在DNA合成前期的8 h内,荧光寿命从2.82 ns下降到2.78 ns。荧光寿命的差异反映了细胞周期中核浆内大分子浓度的变化,对了解细胞周期的分子机制有一定的意义。     

用作相位计定标的ECL电路

图1所示电路采用高速ECL器件来产生一对高精度移相的周期信号,这种信号用来对相位计定标。本电路测试的输入信号范围从16Hz到96MHz(1Hz到6MHz的输出频率)。在6MHz输出频率时,0.1ns的相移精度约0.2°。     

64k动态随机存贮器—CM4864

64K动态随机存贮器已于1986年5月13日研制成功。该电路采用3.0微米HMOS技术,其主要性能为:行取数时间tRAc≤200ns(周期为335ns);功耗(工作/维持)≤330mW/20mW。     

CMOS电路在逻辑电路中的应用

目前,CMOS电路的特点主要是以低保持电流、低功耗为主,在广泛的VLSI领域中,NMOS电路占主要地位。然而,仅从1981年国际固体电路会议上所发表的NMOS微型计算机来看,HP公司的NMOS电路功耗为7W,还有英特尔公司的3芯片结构,每个芯片的最大功耗为2.3W,尽管考虑到管壳的散热技术,可以说也有一定的限度。一般来说,流经NMOS E/D电路的电流I_L在通导时可