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相似文献
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1.
钙硼硅系LTCC材料性能研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
在低软化点钙硼硅玻璃(LG)[r(Ca:Si)>1]中添加高软化点钙硼硅玻璃(HG)[r(Ca:Si)<1],经低温烧结制备了钙硼硅(CaO-B2O3-SiO2,CBS)LTCC材料(又称CBS微晶玻璃)。利用XRD和SEM,研究了HG的添加量及烧成温度对钙硼硅LTCC材料的物相和微观结构的影响。结果表明,HG玻璃的引入有效提高了LG的烧结性能及拓宽了烧结范围,且有效降低了该材料的相对介电常数。w(HG)为20%时,CBS微晶玻璃能够在850~910℃烧结致密;在1MHz测试频率下,相对介电常数小于7.25,介质损耗小于2×10–3。  相似文献   

2.
采用高温熔融法制备Yb_(2)O_(3)掺杂镁铝硅系微晶玻璃,探究了不同Yb_(2)O_(3)含量对镁铝硅系微晶玻璃的晶相组成、微观结构以及热学、力学、介电性能的影响,并借助烧结动力学模型和稳固度模型分别计算了烧结活化能和玻璃稳固度。结果表明,Yb_(2)O_(3)掺杂有利于α-堇青石的析出,从而降低了镁铝硅体系的热膨胀系数;Yb_(2)O_(3)能显著降低烧结活化能,促进烧结过程,使微观结构致密化,提升了力学性能;掺杂0.1%(质量分数)的Yb_(2)O_(3)可以降低玻璃的稳固度,使玻璃体系变得活跃,有利于晶相的析出,增加镁铝硅体系的结晶度。在950℃烧结下镁铝硅体系获得最佳性能:热膨胀系数为3.40×10^(-6)/℃;抗弯强度为182 MPa;介电常数为6.18;介电损耗为1.9×10^(-3)。  相似文献   

3.
邓新峰  李波  田宝 《压电与声光》2012,34(3):442-445
采用固相反应法制备了高膨胀系数的钡硼硅系微晶玻璃,研究B2O3/SiO2比对钡硼硅系微晶玻璃性能的影响,并对其进行了热、力、电性能测试及XRD、SEM分析表征。结果表明:提高B2O3/SiO2比会促进液相烧结的进行,能有效降低烧结温度,并影响晶相组成;但B2O3/SiO2比过高或过低都会破坏材料的力学性能,降低抗弯强度,热膨胀系数和介电常数则随其含量增加呈减小趋势。B2O3质量分数为12%的微晶玻璃在950℃下烧结1h,有大量的方石英相析出,材料的抗弯强度最大。最终制备了具有优良介电性能的微晶玻璃,其热膨胀系数为17.87μ℃-1,抗弯强度为175MPa。  相似文献   

4.
陈国华 《压电与声光》2005,27(4):421-423
采用传统的玻璃熔融工艺制备MgO-A12O3-SiO2-Bi2O3(MASB)玻璃粉末,研究了其烧结特性和析晶过程。结果表明,该玻璃粉末可在低于900℃烧结。在烧结中玻璃首先析出μ-堇青石,然后转变为α-堇青石,氧化铋没有参与晶相的形成。该微晶玻璃具有低介电常数(5.23),低介电损耗(约0.2%)和低温烧结特性,可用于超高频片式电感领域。  相似文献   

5.
低温烧结BaxSr1-xTiO3玻璃陶瓷   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用溶胶–凝胶法制备出均匀的Ba-Sr-Ti-Pb-B-Si-O凝胶玻璃,通过适当的热处理,原位析出BaxSr1-xTiO3(BST)微晶,同时在一定温度下获得Pb-B-Si-O玻璃相。玻璃相的存在降低了BST玻璃陶瓷的烧结温度:烧结温度在1 000℃以下,体积密度达到理论密度的90%以上。由于Pb2+取代了Ba2+、Sr2+,形成PbTiO3,导致了BST玻璃陶瓷的居里温度向高温方向移动。  相似文献   

6.
徐明江  李波  唐波 《压电与声光》2014,36(4):617-620
采用固相合成法制备高膨胀系数钡硼硅微晶玻璃材料,研究了不同质量分数的ZnO等量取代BaOB2O3-SiO2体系中BaO后对钡硼硅系微晶玻璃的热学、力学和电学性能影响,并结合XRD、SEM微观分析对其进行机理研究。结果表明,当ZnO的质量分数小于3%时,随着ZnO含量增加,能促进玻璃析晶,且石英晶相转变为方石英晶相的含量开始减少,瓷体更致密,抗弯强度增大;但ZnO的质量分数达到5%时,B2O3析出量增加,使液相烧结不完全,玻璃相显著增加,导致该体系微晶玻璃抗弯强度急剧下降,介电损耗增大。  相似文献   

7.
采用高温熔融–水淬法制备了CaO-B2O3-SiO2系微晶玻璃。通过烧结点实验仪、梯温炉、DTA、XRD对其烧结性能、析晶性能、致密性及介电性能进行了研究。结果表明:可应用于LTCC基板材料的微晶玻璃组成为:x(SiO2)为18.0%、x(CaO)为36.8%、x(B2O3)为45.2%;该微晶玻璃在723℃附近开始软化,771℃析出硼钙石晶体;经850℃烧结1h后得到的微晶玻璃样品具有良好的介电性能(1MHz):εr为4.67,tanδ为0.71×10–3。  相似文献   

8.
李维克  杨德安 《压电与声光》2007,29(6):697-699,703
以正硅酸乙酯、硝酸钙、硼酸为原料,用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了CaO-B2O3-SiO2微晶玻璃材料,研究了水硅比对凝胶时间的影响。利用热重-差热(TG-DSC),X-射线衍射(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)测试手段表征材料的烧结性能、微观结构。测试表明,该材料具有良好的介电性能(介电常数rε=5.112,介电损耗tanδ=1.0×10-3,1 MHz),微观结构由大量的CaSiO3(硅灰石),CaB2O4,SiO2微晶和玻璃相组成,晶相被玻璃相包裹着,外加少量的气孔,晶粒大小为100~200 nm,该材料适用于高频电子元器件等领域。  相似文献   

9.
铁磁性微晶玻璃热种子材料的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用基础玻璃熔融析晶法制备铁磁性微晶玻璃热种子材料,其中基础玻璃的组成以Fe2O3-CaO-SiO2为主体并添加少量B2O3和P2O5。借DTA,XRD分析确定了合理的热处理制度,制备了以Fe3O4为主晶相的微晶玻璃,并对其磁性能及生物活性进行了试验。结果表明:所得的微晶玻璃材料单位质量的磁化强度达到22.6A·m–1·g–1,且能生成羟基磷灰石,故材料具有生物活性。  相似文献   

10.
采用高温熔融法制备CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃,考察不同熔制温度对该体系微晶玻璃结构和性能的影响。结果表明:熔制温度1 400~1 450℃,试样中存在少量未熔融的SiO2,有利于CaSiO3晶相的析出和晶粒细化,加速CBS系微晶玻璃致密化。熔制温度为1 450℃粉料,850℃烧结保温15 min所制CBS性能较优:体积密度为2.54 g.cm–3,相对介电常数为6.42,介电损耗为0.000 9。  相似文献   

11.
王霓虹  刘丹 《信息技术》2004,28(12):40-42
介绍构件、中间件的概念、分类及技术特点,阐述了构件与中间件在异构数据库及电子商务方面的应用。  相似文献   

12.
邵毅全 《激光杂志》2006,27(4):24-24
根据矢势和标势满足的波动方程,分析了电磁波传播时电场的纵向分量与横向分量之比值,用量级分析的疗法证明了其纵向分量可以忽略。  相似文献   

13.
文章以网络智能卡的定义作为切入点,分析了将网络智能卡链接到Internet中,作为一个独立结点供其它结点访问的可行性,并提出了实现的方案。具体介绍了方案的执行模式,并指出在卡上实现TCP/IP协议是实现设想的关键技术,介绍了该技术在卫生保健领域的应用前景。  相似文献   

14.
在变电站中,刀闸作为高压设备的一种,承担着转换运行方式的职责,实现相应运维工作的完善落实,能够及时发现运行异常状况并落实完善的处理措施,为确保电网的安全可靠运行奠定基础.本文针对如何实现变电站刀闸运行维护以及异常处理工作的完善落实进行了研究,并提出了一系列对策.  相似文献   

15.
尹进田  刘丽  唐宏伟 《电子世界》2012,(24):204-205
结合电工电子实验教学内容,对创新实验教学平台的设计进行了讨论,结合实际提出了创新实验平台的建设理念与建设模式,并就平台主要建设内容、平台特色、平台的教学与研究功能、平台建设效果、平台建设存在的难点进行了阐述,对培养高素质的创新性人才有一定的参考价值。  相似文献   

16.
介绍了散热器加强芯片电磁辐射的原理,运用精确的仿真技术,通过改变散热器的结构参数,找到了影响电磁辐射和散热的关键结构因素,并由此选择或设计出同时满足散热要求和电磁辐射标准的散热器.  相似文献   

17.
本文在简要介绍电子战的发展历史的基础上,详细叙述了传统电子战、指挥控制战和信息战的定义、内涵及相互关系。  相似文献   

18.
《卫星与网络》2012,(11):12
《Sat Magazine》,2012年11月刊对于当红的有效载荷商业搭载(Hosted Payload)业务,由十余家知名航天企业组成的"有效载荷搭载联盟"(HPA)显然颇具发言权。在最新一期Sat Magazine杂志上,HPA的代表撰文细数了有效载荷搭载业务最近面临的"善、恶、丑":"善"——美国总统奥巴马在向国会提交的2013财年预算申请中为与有效载荷  相似文献   

19.
嵌入式Internet及其在监控系统上的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
张全贵  刘建辉  陶志勇 《信息技术》2004,28(4):51-52,54
介绍了嵌入式Internet的实现方法,并给出了以嵌入式linux作为操作系统,采用32位微处理器的嵌入式Internet在工业监控系统上实现的设计方案。本方案中采用流行的B/S结构,使用户在任何地方通过浏览器就可以实现对工业现场设备进行监控。  相似文献   

20.
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