马铃薯脱毒组培苗的电镜检测研究

马铃薯脱毒组培苗生产是马铃薯脱毒种薯繁育体系的重要环节,脱毒效果是脱毒组培苗质量的主要评价指标,直接影响到核心种薯的质量及整个体系的运行,因此,脱毒效果的检测是该体系的一个重要的技术组成部分。本项研究应用电镜技术系统地试验了对马铃薯脱毒组培苗的检测方法。(1)负染液的选择。应用烟草花叶病毒(TMV)、香石竹斑驳病毒(CarMV)、马铃薯病毒X(PVX)三种具有代表性的不同形态的植物病毒,对钼酸铵、磷钨酸钠、钨酸钠、醋酸铀等四种染液进行选择,其中2％钼酸铵(pH6.4)对球形病毒CarMV染色极佳,     

应用免疫电镜技术对烟草试管苗中病毒的鉴定

马铃薯病毒源,即作为抗血清抗原其浓度和纯度,直接关系到利用ELISA等方法鉴定马铃薯茎尖脱毒试管苗实验的可靠性和灵敏度。黑龙江省马铃薯研究所建立的用烟草试管苗保存毒源的方法,虽可使马铃薯病毒源在试管中长期生长和保存,但烟草试管苗经过数次转接后,常使其病毒浓度和纯度发生变化。为提高抗血清质量,当保存的毒源试管苗作为制造抗血清的抗原,最好先用免疫电镜直观测出它们的浓度和纯度。试验方法试验用复合抗血清Anti TMV+Anti PVX+Anti PVY制作免疫电镜样品对PVX_1、PVX_2、     

盾叶薯蓣类原球茎的细胞结构及薯蓣皂苷的组织化学定位

为揭示盾叶薯蓣类原球茎发育的细胞学基础和薯蓣皂苷在各离体培养繁殖体中的分布,应用石蜡切片技术、扫描电镜和透射电镜制片技术及组织化学方法进行了研究。制片观察结果显示：盾叶薯蓣类原球茎是由多层鳞片叶包裹的致密小球体,从外至内由周皮、基本组织和分散在基本组织中的维管束组成,初生增厚分生组织和原形成层是其增大的主要原因之一;组织化学结果显示：愈伤组织和类原球茎中均有薯蓣皂苷的分布,而表皮栓质化的愈伤组织和生根类原球茎中薯蓣皂苷的含量相对较多。     

热处理中As压对半绝缘GaAs缺陷的影响

在 95 0°C和 1 1 2 0°C温度下 ,对非掺杂半绝缘 LECGa As进行了不同 As气压条件下的热处理 ,热处理的时间为 2～ 1 4小时。发现不同 As压条件下的热处理可以改变 Ga As晶片的化学配比 ,并导致本征缺陷和电参数的相应变化。在 95 0°C和低 As气压条件下进行 1 4小时热处理 ,可在样品体内 (表面 1 5 0 μm以下 )引入一种本征受主缺陷 ,使电阻率较热处理前增加约 5 0 % ,霍尔迁移率下降 70 %。这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了 As间隙原子的外扩散。提高热处理过程中的 As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生。真空条件下在 1 1 2 0°C热处理 2～ 8小时并快速冷却后 ,样品中的主要施主缺陷 EL2浓度约下降一个数量级 ,提高热处理过程中的 As气压可以抑制 EL2浓度下降。这种抑制作用是由于在高温、高 As气压条件下 ,发生了间隙原子向样品内部的扩散     

不同升温热处理方式二氧化钒薄膜的制备与光学相变性能

采用双离子束溅射方法制备氧化钒薄膜,分别利用常规和快速两种升温方式对氧化钒薄膜进行热处理,利用傅里叶变换红外光谱技术对热处理后氧化钒薄膜的变温光学透射性能进行测试,并对5μm波长处透过率随温度的变化曲线进行相变特性分析.实验结果表明,经过常规和快速升温热处理后均获得了二氧化钒薄膜;快速升温热处理后得到的薄膜中二氧化钒晶粒较小,尺寸分布均匀;而常规升温热处理后的二氧化钒薄膜中晶粒尺寸分布较宽、常规和快速升温热处理后,氧化钒薄膜的光透过率均存在可逆突变特性,变化幅度均超过60%.相变性能分析结果表明,快速升温热处理获得的二氧化钒薄膜相变持续的温度宽度较大,光学相变温度为63.74℃,高于常规升温热处理的60.31℃.     

固相反应形成硅化钛薄膜方法及特性研究

本工作研究了固相反应形成硅化钛薄膜的方法及特性.在Ti/Si热处理过程中,氧沾污是一个影响硅化物形成及特性的重要因素.本工作提出了用表面覆盖层抑制氧沾污以形成优良硅化钛薄膜的方法,同时试验了用快速退火技术形成硅化钛的工艺.本文报道和讨论了利用这两种方法形成硅化钛薄膜的实验结果.实验表明,利用这两种方法在适当温度下热处理后能得到电导性能良好的TiSi_2薄膜,而在较低温度下只有富钛的中间相生成.X射线衍射谱给出了高温下明显的择优晶向生长现象.俄歇深度分布表明薄膜中的氧在高温热处理过程中会进行再分布.覆盖层具有阻挡氧原子进入薄膜的效果,并且在晶体的择优晶向生长和氧的再分布效应中起着重要作用.     

高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.     

高温快速热处理对氧沉淀消融的作用

通过对已经过两步(低-高)退火的大直径直拉硅单晶片进行高温快速热处理,研究硅中氧沉淀被高温快速热处理消融的情况.研究证实:高温快速热处理可以显著地消融氧沉淀,氧沉淀消融的决定性因素是热处理温度.另外,讨论了快速热处理消融氧沉淀的物理机制.     

硅外延片滑移线产生因素的试验研究

本文通过大量试验,分析出了硅外延产生滑移线的主要因素;并对消除滑移线的工艺和热处理条件选择地进行了试验总结,取得了可实用的工艺方法.     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

快速热处理对重掺As硅单晶中氧沉淀的影响

对重掺As硅片进行快速热处理,发现重掺As硅片中氧沉淀行为与快速热处理温度、保温时间和降温速度有很大的关系.随着快速热处理温度的升高、降温速度的增大和保温时间的延长,氧沉淀的密度增大.最后对影响的机理进行了讨论.     

热处理对20#钢表面Ni-Al激光熔覆层的影响

为了分析热处理对金属间化合物激光熔覆层组织、有序化以及性能等的影响,采用X射线衍射试验和硬度试验方法,对激光熔覆层进行了理论分析和实验验证,取得了涂层金属的X射线衍射曲线图、X射线衍射物相分析结果及激光熔覆层硬度试验数据。X射线衍射实验结果显示,在激光熔覆工艺条件下形成的NiAl相实现了有序化,而Ni3Al相未实现有序化;经1000℃,4h热处理后,Ni3Al相实现了有序化,而NiAl相的有序化在热处理中得到保留;硬度试验结果显示,熔覆合金层的平均硬度为440HV,热处理后的涂层平均硬度为412HV,硬度有所下降。结果表明,热处理有利于Ni-Al金属化合物相的有序化,也可以使激光熔覆层组织缺陷消失并且应力得到释放。     

直拉硅单晶中热施主的快速热退除

本文研究了快速热处理退除热施主态的丁艺，及４５０℃、１小时热处理施主的再生问题．结果表明快速热处理是一种有效的退除热施主的方法，其效果与常规６５０℃、２小时处理相同．４５０℃、１小时处理没有热施主再生现象发生．     

铍青铜热处理

一、引言铍青铜是有色金属中机械性能、物理化学性能和抗蚀性能良好结合的一种合金,此合金经热处理淬火后具有高的塑性,故易于进行轧制和冲压等机械加工;通过时效后能提高强度、硬度、弹性及疲劳极限,因此该材料适用于制造弹性零件、簧片、扁弹簧等。又因它具有高的电导率,故可用作传送高频能量的插孔、接点、轴套等连接零件及继电器的接触簧片等。铍青铜无磁性,故亦可用于制造钟表、仪器零件。目前此种合金在电信仪表方面的应用范围正日益扩大,然而有关此类材料的系统性热处理工艺试验的资料颇感缺乏,本试验是针对上述情况进行的。     

阑钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨

采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅铁电薄膜进行了热处理，用扫描电对不同热处理工艺和不同厚度的ＰＬＴ薄膜的形貌进行了分析。结果表明，快速热处理工艺有利于活性高，较薄膜层的结晶和致密化反应；ＰＬＴ薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似；薄膜的形成经历了岛状－网状－连续的过程，即随层数的增加，薄膜从不连续转变为连续，而热处理工艺只     

快速热处理对磁控溅射VO2薄膜光电特性的影响

采用反应磁控溅射法制备二氧化钒(VO2)薄膜,并对其进行快速热处理(RTP)。主要研究500℃快速热处理10、15、20s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术(THz-TDS)测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500℃,10s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同:光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近。     

镧钛酸铅铁电薄膜成膜机理探讨

采用快速热处理和传统热处理工艺对金属有机物热分解法制备的镧钛酸铅（ＰＬＴ）铁电薄膜进行了热处理，用扫描电镜对不同热处理工艺和不同厚度的ＰＬＴ薄膜的形貌进行了分析。结果表明，快速热处理工艺有利于活性高，较薄膜层的结晶和致密化反应；ＰＬＴ薄膜在传统和快速热处理过程中的形成过程与蒸发和溅射薄膜的核生长型薄膜的形成过程相似，薄膜的形成经历了岛状－网状－连续的过程，即随层数的增加，薄膜逐渐从不连续转变为连续，而热处理工艺只影响形成连续薄膜的厚度。     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.     

应用于MEMS封装的TSV热可靠性分析

针对MEMS系统中硅通孔(TSV)的热可靠性,利用快速热处理技术(RTP)进行了温度影响的实验分析。通过有限元分析(FEA)方法得到不同温度热处理后TSV结构的变化趋势,利用RTP对实验样品进行了不同温度的热处理实验,使用扫描电子显微镜和光学轮廓仪表征了样品发生的变化。结果表明,热处理后TSV中Cu柱的凸起程度与表面粗糙度均随热处理温度的升高而增加,多次重复热处理与单次热处理的结果基本相同。该项研究为TSV应用于极端环境下MEMS小型化封装提供了一种解决方案。     

对真空热处理技术的现状和前景的几点探讨

与常规热处理相比,真空热处理技术具有无氧化、无脱碳、无变形以及节能环保等特点,早已得到了相关技术工作者的关注,并且在近年来得到了快速发展。笔者结合自己多年在热处理领域的工作实践,对真空热处理技术的现状及发展前景进行了探讨,旨在为真空热处理技术的研究和应用提供一些参考借鉴。