数字传声器阵列声源定位FPGA实现

在FPGA系统上实现了一个实时的数字传声器声源定位系统,包括信号预处理、语音活动检测、信号互相关运算三部分.FPGA实现声源定位,运算速度快,采用同样的算法可以完成多对传声器阵列的实时信号处理.该系统在15 dB信噪比的环境中能够检测出声源入射的方向.     

基于四阵元水听器的被动声纳定位接收装置设计

在水下科研试验中经常需要找寻测量声源位置方向,大型水下声纳基阵系统定位精度高,位置精确,但是投入使用的人员,成本也相应的要高,搜索范围固定,在不确定搜索声源位置时使用大型声纳来搜索效果不是很理想.针对大型基阵声纳的局限性,设计一种便携式被动声纳接收装置.该装置可以搭载于机动船上,方便远距离搜索,依靠铅酸电池供电可以支持长达10小时以上连续开机工作,而且具有低成本、低功耗、便携性强等优点.     

基于AT89S52的声音导引系统设计

介绍了声音导引系统的设计与实现。该系统包括单片机系统电路、声源调制电路、接收器电路、步进电机驱动电路、声光提示电路等。采用两块单片机（AT89S52）分别作为可移动的声源的检测和控制核心。由单片机1根据三个接收器接收声源信号的先后时间确定声源当前的位置,再由无线发送给单片机2。单片机2利用ASSP芯片（型号MMC-1）控制电机的转速实现可移动声源的运动控制,并且移动到住后给出声光提示。该电路设计方法简单、功耗低、性价比高,经调试可实现声音导引系统的精确控制。     

一种基于MCS-51声源导航系统的设计

本文设计一种利用声源进行定位导航的系统,通过测量小车声源信号到不同拾音器的相对时间差来计算该车的空间位置,并对其进行引导、控制,从而实现声源导航的目的。     

基于传声器阵列的声源定位系统设计

传声器声源定位是利用传声器阵列拾取声音信号,并用数字信号处理技术对其进行分析和处理的声源定位技术。设计了一种基于MUSIC算法的声源定位系统,该系统以数字信号处理器(DSP)为控制核心,通过TMS320C6747高速数字信号处理器,提高了系统处理速度,简化了设计,能更好的满足声源定位的要求。经测试,该系统具有实时、高速、精度高及可靠性好的优点。     

基于FPGA的主动声源控制系统

随着水下潜艇隐身技术的迅速发展,水面舰艇面临的挑战日益严峻,对水下目标的主动探测提出了新的要求和挑战。将爆炸声源作为发射声源,设计了一套基于FPGA的主动声源控制系统。该系统以FPGA作为控制核心,采用RS232串口通信,收到上位机发送的起爆指令后进行引爆。与传统的主动声纳发射换能器相比,除了成本、功耗与体积降低以外,声源级更高,具有爆炸声源的全指向性,更便于小平台搭载。仿真与水下实验结果表明,该系统在接收到上位机发送的起爆指令后可实现水下爆炸声源有序可控的引爆,同时通过MEMS矢量水听器进行爆炸声源数据采集,经计算可得爆炸声源级为193.93 dB。     

基于小波回声状态网络的声源定位算法

为了解决传统声源定位算法存在定位误差大的问题,提出了一种小波回声状态网络的声源定位算法。首先建立声源定位的阵列信号处理模型,并采集声源信号数据,然后采用小波分解将声源信号分解成为高频与低频两部分,并采用回声状态网络分别对高频与低频数据进行建模,最后采用小波重构对高频与低频估计结果进行融合,并对算法性能进行仿真测试。结果表明,本文算法可以精确对声源进行定位,相对于其它声源定位算法,具有更好的适用性和可靠性。     

麦克风阵列声源定位系统的研究

随着多媒体技术的进一步发展,语音接收和声音信号处理得到了日益广泛的关注和应用,而声源的定位和声源增强是实现语音增强,语音识别的前提和基础.基于麦克风阵列的声源定位技术由于其广泛的应用前景得到了众多学者的关注.单个麦克风接收到的信息量较少,缺少声源定位所需要的信息,而麦克风阵列克服了上述的缺点,利用了各麦克风信号之间信号的相关性对数据进行相关分析和处理从而实现声源的定位.文中阐述了麦克风阵列声源定位的原理,推导计算目标方位角、俯仰角以及距离的计算公式;阐述了硬件系统的组成以及各个部分的作用并通过实验进行了系统的测试,通过对测试数据的分析得出麦克风阵列声源定位系统能够实现声源的快速定位.     

基于延迟估计算法的声音跟随小车

本文介绍了基于延迟估计算法的声源定位小车的设计。本系统由音频接收、信号处理、无线收发、电机驱动及液晶显示五个模块构成。根据时间差确定声源位置。具体阐述了相关硬件及软件的设计,实际电路测试表明该系统稳定可靠,对声源的定位有较高的精度。     

基于Zynq和蜜蜂进化遗传算法的声源实时定向系统

针对声源定向系统利用多重信号分类（MUSIC）算法测向时存在精准度高，但实时性偏低的问题，基于Zynq平台和蜜蜂进化遗传算法（BEGA），设计了一款软硬件协同工作的声源实时定向系统。系统利用MEMS麦克风均匀圆阵和Zynq采集和传输声源数据，并引入BEGA提升MUSIC算法搜索谱峰的速度。实验表明，硬件平台具有不掉帧、延迟低的优良性能，同时数据处理单元利用BEGA大幅缩短了谱峰搜索的时间，并且具备精准的定向性能。因此，该系统满足实时性要求，也保留了MUSIC算法精准度高的优点。     

低压、低功耗SOI电路的进展

最近 IBM公司在利用 SOI(Silicon- on- insulator)技术制作计算机中央处理器 (CPU)方面取得了突破性的进展 ,该消息轰动了全世界。SOI电路最突出的优点是能够实现低驱动电压、低功耗。文中介绍了市场对低压、低功耗电路的需求 ,分析了 SOI低压、低功耗电路的工作原理 ,综述了当前国际上 SOI低压、低功耗电路的发展现状。     

ZigBee无线传输技术综述

ZigBee技术是一种新兴的短距离、低复杂度、低功耗、低数据速率、低成本的无线网络技术。ZigBee协议采用IEEE802.15.4标准的物理层和链路层,并在其上增加了网络层,安全模块和应用支持子层模块,从而实现了大区域网络覆盖。ZigBee由于其在低功耗、低复杂度、自组织等方面的优势,逐渐成为无线传感器网络的首选通信协议。     

工作在液氮温度下的低频低噪声双极晶体管的研究

对双极晶体管的低温物理模型和低频噪声模型进行了研究，认为低温下硅双极晶体管电流增益下降的主要原因是低温下非理想基极电流的增加。同时指出，低温下硅双极晶体管１／ｆ噪声的增大，是由于低温下电流增益的减小和载流子在体内和表面的复合增加。通过优化设计，做出了一种低温、低频、低噪声硅双极晶体管。测试表明，在室温（３００Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥８００，ｆ＿Ｌ≤３０Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．５ｎＶ／　　；低温（７７Ｋ）下，电流增益、低频转折频率、１ｋＨｚ点的噪声电压分别为β≥３０，ｆ＿Ｌ≤３００Ｈｚ，Ｅｎ（１ｋＨｚ）≤１．２ｎＶ／。     

低压低功耗模拟集成电路的发展

集成电路的低压低功耗设计已成为当今微电子领域研究的热点。介绍了集成电路(IC)低功耗设计问题的产生，在讨论IC的低功耗设计技术基础上，重点论述了模拟IC的低压低功耗设计问题，介绍了国内外最新的若干模拟IC低压低功耗解决方案及其特点以及实现方法。     

S 波段取样锁相源的设计

本文详细介绍了一种S 波段小体积、低相噪、低杂散的锁相源。该锁相源采用取样锁相技术和高Q 值同轴介质压控振荡器实现了低相噪、低杂散的特性。通过集成倍频和滤波器,还可输出C 波段信号。     

低压电力线双路扩谱通信系统

由于低压电力线的信道特性异常恶劣,为了利用低压电力线实现可靠通信,把数字载波调制与扩谱技术等现代通信技术应用于低压电力线通信,提出了数字载波调制与直序列扩谱(DS)相结合的低压电力线通信模式,建立了低压电力线的MSK双路扩谱通信系统模型;基于该模型,研制了低压电力线的MSK双路扩谱通信电路系统。实验结果表明：该系统不仅满足了电力线通信信道有效带宽窄的特点,实现了较好的频谱利用率,而且具有较强的抗干扰能力。因此,该低压电力线扩谱通信系统能较好地抑制低压电力线通信信道的干扰,提高了通信的可靠性,可广泛应用于低压电力线通信领域。     

低剂量SIMOX圆片研究

用二次离子质谱、剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法表征了低剂量 SIMOX圆片的结构特征 .结果显示 ,选择恰当的剂量能量窗口 ,低剂量 SIMOX圆片表层 Si单晶质量好、线缺陷密度低埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低且硅 /二氧化硅界面陡峭 .这些研究表明 ,低剂量 SIMOX圆片制备是很有前途的 SOI制备工艺     

低碳理念下的高校计算机专业实验教学优化研究

自"低碳经济"提出以来,低碳理念对各行各业产生深刻的影响。高校学生是传播低碳理念和实践低碳发展的生力军,培养大学生的低碳意识有利于提高全民族的低碳意识。因此,高校必然成为进行低碳教育的重要阵地。本文主要介绍南昌航空大学计算机专业在"低碳经济"下实验教学改革的方法及实验教学效果评价。     

低频低噪声集成运放XD1531的设计和分析

本文阐明了低频低噪声运放XD1531的设计原理。从电路和版图设计两方面论述了该电路整个设计过程。针对电路第一级的结构,采用低频低噪声方法进行设计。在版图方面主要考虑了降低低频噪声,尤其是降低表面1/f噪声的措施。通过对XD1531噪声性能的分析以及与国内外同类产品的比较,说明了该集成电路具有低噪声特性。同时,说明本文提出的设计方法对于降低集成电路的低频噪声是有效的。     

Engineering of charge transport materials for universal low optimum doping concentration in phosphorescent organic light-emitting diodes

A universal low optimum doping concentration of below 5% was demonstrated in phosphorescent organic light-emitting diodes (PHOLEDs) by managing the energy levels of charge transport materials. The device performances of PHOLEDs could be optimized at a low doping concentration of 3% irrespective of the host material in the emitting layer. The suppression of charge trapping and hopping by the dopant through charge transport layer engineering optimized the device performance at low doping concentration. In addition, it was revealed that PHOLEDs with low optimum doping concentration show better quantum efficiency, low efficiency roll-off and low doping concentration dependency of the device performance.