位错间的相互作用对应变外延层应变释放的影响

利用D-T模型考虑了界面位借间的相互作用,计算了外延层与材底为不同失配、不同厚度时,应变的释放。发现由于失配产生的位错,在外延层应变释放的初期,主要是靠产生60°位错来释放应变;而在产生较多的位错后,位错间的相互作用将导致外延展的应变释放过程缓慢,此时要考虑90°位错对应变释释放所造成的影响;并对已有的实验结果进行了一些解释。     

体心立方金属Mo纳米线拉伸塑性行为的原位透射电子显微镜观察

本文利用自创的热双金属片拉伸装置实现了在透射电镜中,对单晶Mo纳米线的原位拉伸实验。实验发现单晶Mo纳米线具有块体单晶材料2倍左右的塑性变形能力。观察发现变形过程中位错不断的形核产生、然后快速的运动并消失在纳米线表面是单晶Mo纳米线具有大塑性变形能力的一个重要原因。另外,利用选区电子衍射对拉伸断裂后的样品分析,发现拉伸后的纳米线的断口附近呈现多晶化。可以认为在高应变作用下,位错的滑移等因素导致单晶点阵局部扭转形成小角度晶界,纳米线局部从单晶转变成多晶。     

应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用

用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.     

应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用

用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响. 根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小并且厚度足够薄时,超薄中间层可以完全吸收支撑衬底和外延层之间的应变而不产生任何界面失配位错,具有所谓无支撑衬底的应变协调作用.     

自组织生长InAs／GaAs量子点的退火效应

通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱．     

形变铜中位错组态的电镜分析

本文用ＴＥＭ衍射成像技术观察在室温下形变铜中位错胞结构的产生与发展，测定了胞壁厚及位错环尺寸等应变的变化规律，并探讨了胞尺寸与位错密度，流变应力之间定量关系的存在。     

磷扩散硅片中残余应变和失配位错

本文讨论了Si单晶中磷扩散造成的扩散层晶格的残余应变,此应变与磷浓度的关系,以及它的测量方法和测量结果。还讨论了在此应变梯度驱动下在扩散层中产生失配位错网络的条件和影响失配位错的因素,及其在Si的集成技术上的意义。     

循环饱和AiSi310钢位错组态及与晶粒受载方向的关系

多晶体中的饱和位错结构及其与晶粒受载方向的关系与材料的循环形变特性紧密相关。TEM研究表明,塑性应变幅(ε_p1)控制条件下循环形变至饱和的AiSi310不锈钢(Cr25Ni20)中形成多种位错结构。ε_p1越大,形成的位错结构越复杂;ε_p1较大时形成的位错结构往往包含ε_p1较小时形成的位错组态。ε_p1<1E-3时形成位错偶极子和位错塞积;ε_p1增大但小于6E-3时主要形成位错缠结(图1a),位错脉纹(图1b)和位错墙(图1c);ε_p1更大时还形成位错胞和位错迷宫(图1d)。一个晶粒中经常形成分层的几种位错结构(图1c)。     

随南早古生代火山岩中辉石的显微构造特征

大别造山带中的随南火山岩主要发育块状和斑状结构,辉石呈斑晶形态。透射电镜研究表明,辉石中的主要显微构造特征为位错排,位错倾斜壁,位错网,亚颗粒和位错环,以及长直位错线和弯曲位错线等位错亚构造,并发育有层错群,晶界及界面位错等晶体缺陷。由此推断随南火山岩的形成曾经历过高温蠕变和应变阶段的动态恢复过程。     

单晶硅脆性微裂纹的透射电镜观察

Rice和Thomson[1]认为,如裂纹发射位错比解理扩展更困难,则裂纹解理扩展从而脆断。否则裂纹就钝化而韧断,故他们认为脆性裂纹扩展前不发射位错。实验工作已证明[2,3]通过位错塞积模型可以形成脆性(解理)裂纹核,并研究了裂纹发射位错以及裂纹解理扩展的竞争过程。而有关室温下单晶硅的裂纹形核和位错组态则报道较少,由于其性能各向异性、缺陷少,容易避免或减少其他微观缺陷对研究的影响。本实验用显微压痕法可以诱发微裂纹产生,并使材料局部形变和断裂。实验用单晶硅尺寸为5mm×4mm×1mm,依次打磨、抛光、清洗后用HD-1000型维氏显微硬度计…     

UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料

以 Si2 H6 和 Ge H4 作为源气体 ,用 UHV/CVD方法在 Si( 1 0 0 )衬底上生长了 Si1- x Gex 合金材料和 Si1- x Gex/Si多量子阱结构 .用原子力显微镜、X光双晶衍射和透射电子显微镜对样品的表面形貌、均匀性、晶格质量、界面质量等进行了研究 .结果表明样品的表面平整光滑 ,平均粗糙度为 1 .2 nm;整个外延片各处的晶体质量都比较好 ,各处生长速率平均偏差为 3.31 % ,合金组分 x值的平均偏差为 2 .0 1 % ;Si1- x Gex/Si多量子阱材料的 X光双晶衍射曲线中不仅存在多级卫星峰 ,而且在卫星峰之间观察到了 Pendellosung条纹 ,表明晶格质量和界面质量都很好 ;Si     

扫描速度对激光快速熔凝钢组织与物相的影响

用TEM（透射电子显微镜）和XRD（X射线衍射）对H13，40Cr等材料的激光快速熔凝组织的观察分析，表明扫描速度大时熔区中以极条马氏体为主，其亚结构为位错，马氏体板条上弥散分布着碳化物的细小颗粒；当扫描速度较小时，熔区中则以片状马氏体为主，其亚结构是李晶。     

高维数据空间索引的研究

讨论了高维数据空间索引的基本结构，建树算法以及典型的查询方式，重点对几种有代表性的索引方法，如K－D－Tree,R-Tree,R-Tree,X-Tree,TV-Tree,Hillert R-Tree在节点形状，重叠，插入原则，分裂原则，再插入等方面进行了比较研究。     

任意形状孔径的干涉图像波面拟合的数学矢量模型

文中利用移相干涉术的特点提出了自动检测任意形状孔径中有干涉条纹区域的方法,测试中,当测试波前相对于参考滤前的光程差是照明波长的整数倍时形成干涉条纹,它此而形成的二维图就是干涉图像。干涉术是一种从干涉图像提取测试波面信息的光学测试技术,它包括对干涉图像的采样、条纹定级次和波面拟合三步。这里提出了一个对干涉图像拟合处理的线性代数矢量模型,应用线性代数矢量矩阵的知识详细地推导出了一种对干涉图像的处理带有一般性的矢量拟合公式,由最小二乘法逼近多项式拟合的相位值数据,用Ｇｒａｎ－Ｓｃｈｍｉｄｔ算法正交化处理多项式组,用反向替代法技术来求解最初多项式组的权因子系数。     

Formation of dislocation defects in the process of burying of InAs quantum dots into GaAs

Evidence given by electron microscopy of dislocation relaxation of stresses near InAs quantum dots buried into GaAs is presented. It was found that dislocation defects not emerging to the film surface are formed in some buried quantum dots. This suggests that stress relaxation occurs in the buried state of the quantum dot, rather than at the stage of the formation and growth of an InAs island on the GaAs surface. Models of internal dislocation relaxation of buried quantum dots are presented.     

用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.     

用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.     

钙离子和溴化亚铜共振亚稳跃迁激光脉冲的研究

铜蒸汽激光器是一种典型的共振亚稳跃迁激光，通常认为其激光脉冲出现于电流脉冲的前沿。实验研究表明，钙离子激光冲在各种上始终在电流脉冲的前沿,而对于CuBr激光，其脉冲的延时时间与工作温度有关。由于工作物质铜原子是通过分解CuBr成为铜离子，再由铜离子复合成铜原子，故工作温度较低时，复合系数较大，造成激光脉冲的延时时间变长，而当工作温度较高时，复合系数变小，使激光脉冲提前。     

基于面部几何特征点提取的人脸识别方法

文中介绍了一种通过提取特征点信息进行人脸识别的方法。在利用形态交离变换确定眼球位置的基础上,根据区域点投影曲线检测特征点,然后构造尺寸、位移、旋转不变的特征向量,并与样本库中的人脸特征向量相比计算其相似度,依据相似的程度完成识别。实践证明该方法对人脸正面图具有准确的识别率,并具有强抗干扰能力。