SiF_4气体中(SiF_3)_2O的净化方法

高纯度四氟化硅(SiF4)是电子工业中的一种重要原料,能用于光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4气体中(SiF3)2O的生成原理和(SiF3)2O的净化方法,六氟二甲硅醚的纯化方法有活性炭吸附法,与含氟化氢的浓硫酸,氟气,氟化剂等物质发生反应,其中详细介绍了活性炭对四氟化硅气体中的杂质的净化效果。     

湿法磷酸中氟的测定

湿法(萃取)磷酸的生产是用硫酸分解磷矿石。磷矿石与硫酸反应,生成磷酸和磷石膏:Ca5(PO4)3F＋5 H2SO4＋nH2O→3H3PO4＋5CaSO4·nH2O+HF所产生的氟化氢继续与原料中的二氧化硅或共它含硅化合物作用,生成四氟化硅:4HF＋SiO2→SiF4+2H2O四氟化硅与水作用生成氟硅酸:3 SiF4 + 2H2O→2 H2SiF6＋SiO2SiF4+2HF→H2SiF6此时只有少量SiF4和HF逸入气相,而大部分的氟留在磷酸中,影响磷酸的净化,并严重腐蚀设备。     

双氦离子化气相色谱仪分析四氟化硅气体中微量杂质

介绍了一种利用双通道氦离子化气相色谱仪(PDHID),分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2～C3碳氢化合物以及常见气体杂质的方法.由于四氟化硅具有很强的腐蚀性,在对其进行分析时,利用阀切割系统将大量的四氟化硅主要成分切割,及时地将四氟化硅反吹出去,使其不进入检测器系统.经过将四氟化硅气体进样检测验证,该方法能够有效测定四氟化硅气体中多种微量杂质.     

特殊电子气-四氟化硅分析检测

四氟化硅是一种重要的特殊电子气体,可用于电子和半导体行业,高纯度的四氟化硅还可作为非晶体硅、硅烷、多晶体硅、光纤等制备的原料,文章介绍了四氟化硅气体中气体杂质、金属杂质及碘的分析检测方法,初步确定了四氟化硅气体中的杂质分析。     

四氟化硅气体中杂质的检测及净化研究进展

介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。     

四氟化硅气体中杂质的检测及净化研究进展

介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。     

高纯SiF_4气体中杂质的定量分析方法研究

高纯度四氟化硅(SiF4)是新型硅烷法制备多晶硅的一种重要原料,其纯度影响硅烷及多晶硅的纯度及用途。本文对国内外市场上SiF4产品质量做了对比分析,并对以氟硅酸为原料生产SiF4气体中:含氧氟硅化合物、碳氢化合物、氟化氢、金属元素、碘等杂质提出定量分析方法。为国内生产高端的SiF4产品检测提供帮助。     

四氟化硅的制备与提纯

四氟化硅(SiF4)是电子和半导体行业中的一种重要原料,在光伏产业中占重要地位.详细介绍了四氟化硅的主要制备方法:硫酸法、Si-F2直接合成法、氟硅酸盐热解法和氢氟酸法,并对四氟化硅提纯工艺进行了比较.     

萃取磷酸生产中磷氟化合物的性质分析(续完)

氟硅酸是由以SiF4为核心的过氟氟硅酸nH2F2.SiF4、氟硅酸H2F2.SiF4和氧氟硅酸H2O.SiF4组成,萃取磷酸不是正磷酸H3PO4,而是以氟磷酸——mH2O.nH2F2.(P2O5.kSiF4)形式存在的,HF、SiF4还可与硫酸结合成氟硫酸。分析了在萃取磷酸浓缩过程中,当磷酸能量浓度CE(H3PO4)>73.13%条件下,SiF4与P2O5的能量系数α(SiF4)与α(P2O5)相接近,因此要从氟磷酸中脱氟非常困难,尤其是从含有Fe2O3、Al2O3、MgO等杂质的萃取磷酸中脱氟更为困难。     

四氟化硅

1 SiF4的应用及经济概况 四氟化硅在电子和半导体行业中主要用于氮化硅、硅化钽等的蚀刻剂、P型掺杂剂、外延沉积扩散硅源等．还可用于制备电子级硅烷或硅。四氟化硅还可用作光导纤维用高纯石英玻璃的原料．它在高温火焰中水解可产生具有高比表面积的热沉二氧化硅。此外，四氟化硅还广泛用在制备太阳能电池、氟硅酸和氟化铝、化学分析、氟化剂．油井钻探、镁合金浇铸、催化剂、蒸熏剂、水泥及人造大理石的硬化剂等。在预制水泥中使用四氟化硅后．可增进其耐蚀性和耐磨性．改善其孔隙度和增加压缩强度。