特殊电子气-四氟化硅分析检测

四氟化硅是一种重要的特殊电子气体,可用于电子和半导体行业,高纯度的四氟化硅还可作为非晶体硅、硅烷、多晶体硅、光纤等制备的原料,文章介绍了四氟化硅气体中气体杂质、金属杂质及碘的分析检测方法,初步确定了四氟化硅气体中的杂质分析。     

SiF_4气体中(SiF_3)_2O的净化方法

高纯度四氟化硅(SiF4)是电子工业中的一种重要原料,能用于光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4气体中(SiF3)2O的生成原理和(SiF3)2O的净化方法,六氟二甲硅醚的纯化方法有活性炭吸附法,与含氟化氢的浓硫酸,氟气,氟化剂等物质发生反应,其中详细介绍了活性炭对四氟化硅气体中的杂质的净化效果。     

四氟化硅生产工艺研究进展

四氟化硅作为生产多晶硅及其衍生物的原料,随着电子工业的发展以及硅基产业的扩大,对于四氟化硅的需求量逐渐增加。对四氟化硅生产工艺的研究越来越引起人们的重视。详细介绍了制备四氟化硅的4种方法,含硅源物质与含氟基团物质合成法、氟硅酸盐热解法、氟硅酸法、硫酸法,综述了国内外制备四氟化硅的研究进展情况,并评述了各工艺的特点。就目前研究表明,四氟化硅制备工艺需向环保、节能、高收率方向发展。     

四氟化硅的制备与提纯

四氟化硅(SiF4)是电子和半导体行业中的一种重要原料,在光伏产业中占重要地位.详细介绍了四氟化硅的主要制备方法:硫酸法、Si-F2直接合成法、氟硅酸盐热解法和氢氟酸法,并对四氟化硅提纯工艺进行了比较.     

多组分谱图拟合技术ICP-AES法测高硅含量合金样品中硅成分

用混合酸消解高硅含量合金,不分离析出不溶硅,直接用氢氟酸溶解,充分冷却消化液避免四氟化硅挥发。采用多组分谱图拟合技术消除基体干扰;ICP-AES法测试消解液中的硅含量。消解液还可以直接用于合金的其他成分分析。     

高纯四氟化硅的制备技术研究进展

四氟化硅是一种有机硅化合物合成材料,被广泛应用于半导体行业,其需求量日益扩大,对其纯度要求也越来越苛刻。本文介绍了四氟化硅常用制备方法及其优缺点,列举了四氟化硅的纯化方法。在实际生产过程中,企业需根据自身实际生产情况选择合理的生产路线,结合制备工艺中杂质种类,选择合适纯化方法,获得高纯四氟化硅产品。     

四氟化硅气体中杂质的检测及净化研究进展

介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。     

四氟化硅气体中杂质的检测及净化研究进展

介绍了四氟化硅气体中杂质的4种检测方法:气相色谱法、红外光谱法、气相色谱质谱法、原子发射光谱法。其中,气相色谱法一般用来测定四氟化硅气体中的烃类杂质,红外光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的氟硅烷、氟氧硅烷、氟硅醇杂质。气相色谱质谱法用来测定四氟化硅气体中的六氟化硫杂质,原子发射光谱法主要用来测定四氟化硅气体中的金属杂质。然后对四氟化硅气体的不同净化方法进行列举,并对净化工艺的条件、优缺点进行了阐述。     

氟溴化硅的合成与提纯

目前已报道的氟溴化硅的合成方法有三种,一种是由四溴化硅和四氟化硅制备;第二种是由六氟化二硅和溴裂解制备;第三种是由四溴化硅和金属氟化物制备。我们采用了第三种方法。由四溴化硅和金属氟化物合成氟溴化硅,美国的Schumb和Anderson在1936年就已报道过,但报道的比较简单。我们对光导纤维     

利用磷肥企业副产氟硅酸制备无水氟化氢的技术

通过比较国内外氟硅酸制备无水氟化氢的各种技术,提出将氟硅酸先氨解氟硅分离成氟化铵溶液和二氧化硅,然后将氟化铵溶液转化为易于浓缩结晶的氟硅酸铵,将氟硅酸铵固体和浓硫酸反应生产氟化氢和四氟化硅,酸解混合气体经冷却制备无水氟化氢,四氟化硅返回系统循环使用。     

有机氟硅化合物中硅的测定

有机氟硅化合物中硅元素的分析,一般均采用镍弹碱熔法。Burroughs 采用氧瓶法分解有机硅样品,加入 PTFE 粉作为氟化剂,在燃烧中使硅转化成四氟化硅,用分光光度法测定。实验表明大量的 PTFE 在氧瓶中难以分解,还可能产生剧毒的全氟异丁烯及氟代光气,样品与 PTFE 的混合也有困难。对难燃化合物易生成稳定的碳化硅,使测定值偏低。笔者采用新的氟化剂和添加助燃剂的方法取得了满意的结果。     

磷矿伴生硅资源制备单质硅的探讨

综述了国内外以四氟化硅、氟硅酸钠（钾）、无定SiO2为硅源制备单质硅的主要方法,并对以无定SiO2为硅源制备单质硅的工艺条件进行了研究与探索。     

磷肥副产氟硅酸综合利用研究现状与展望

磷肥工业副产的氟硅酸如果不进行回收利用,不仅造成氟硅资源的浪费,还会污染环境。氟硅酸的综合利用主要是氟和硅的利用。介绍了利用磷肥副产氟硅酸制备下游产品氟化氢、氟化盐、四氟化硅等方法的原理和工艺过程以及工艺的优缺点。介绍了利用氟硅酸中的硅资源制备白炭黑、介孔二氧化硅以及分子筛的研究现状。介绍了用氟硅酸代替硫酸生产磷酸以及用磷肥副产氟硅酸与氯碱工业结合发展有机氟化工的前景。对磷肥副产氟硅酸中氟资源综合利用的发展方向进行了展望。     

四氟化硅的生产概况

四氟化硅（SiF4）是电子工业中的一种重要原料，它还能用作光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4的物理、化学性质及危险特性。SiF4的工业生产方法主要有硫酸法、六氟硅酸盐热解法和Si-HF直接合成法3种。电子工业用SiF4需要有较高的纯度，重点介绍了SiF4的精制工艺，同时还介绍了SiF4经济概况。     

四氟化硅的制备与纯化

四氟化硅是一种重要的特种气体,应用前景广阔。详细介绍了四氟化硅的性质、应用、制备方法及纯化方法,指出了每种制备方法及纯化方法的优缺点,并指明了后续的研究方向。     

双氦离子化气相色谱仪分析四氟化硅气体中微量杂质

介绍了一种利用双通道氦离子化气相色谱仪(PDHID),分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2～C3碳氢化合物以及常见气体杂质的方法.由于四氟化硅具有很强的腐蚀性,在对其进行分析时,利用阀切割系统将大量的四氟化硅主要成分切割,及时地将四氟化硅反吹出去,使其不进入检测器系统.经过将四氟化硅气体进样检测验证,该方法能够有效测定四氟化硅气体中多种微量杂质.     

来稿摘介

从六氟硅酸生产四氟化硅的新方法这是一种从磷肥工业废弃的副产物一六氟硅酸(H_2SiF_6)生产四氟化硅(SiF_4)气体的新方法,此法包括对该酸的难溶盐的沉降和分解。SiF_4是制造太阳能电池用硅的来源之一。     

硅烷技术的简化和改进

<正> 新泽西的联合公司开发出一条一步转化四氟化硅为硅烷的路线,并对四氟化硅的生产工艺作了改进。由于这两项技术都比目前使用的技术简单,故可降低这两种用于生产半导体元件的化合物成本。联合公司的硅烷工艺采用氢化钠在沸腾的溶剂,如二苯醚(沸点为259℃)中还原四氟化硅。也可使用氯硅烷进行还原。以前     

分光光度法测高纯氧化铁中的微量硅

研究了用４，７－二苯基邻菲罗啉为显色剂，分光光度法测定高纯氧化铁中微量硅的方法，探讨了四氟化硅的定量分离，硅钼酸的萃取，钼酸（ＶＩ）还原为钼（Ⅲ）等的最佳条件，结果表明，硅的回收率≥９９％，相对标准偏差≤２．２％。     

四氟化硅气体中杂质的检测方法

介绍了四氟化硅气体中几类杂质的检测方法,主要包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法、质谱法和微波波谱法。用气相色谱仪可以检测出四氟化硅中气体中C1~C4碳氢化合物;用高分辨率傅里叶变换红外光谱仪可以检测出SiF3OH,HF,SiF3H,SiF2H2,SiH3F,CO2,CO等气体杂质;用微波波谱仪可以检测出四氟化硅中CHF3,CH2F2,CH3F等气体杂质;用质谱仪可以检测出四氟化硅中SiF3H,SiF2H2,SiF3OSiF3等气体杂质。通过对比得出每种检测方法的优点和缺点。