ZnSe光学薄膜对GaAs表面特性的影响

GaAs基半导体激光器芯片在空气中解理后,解理腔面会被空气氧化形成腔面缺陷,在腔面形成的缺陷严重影响了器件的寿命.用GaAs衬底表面模拟半导体激光器的解理腔面,研究了不同的光学薄膜对GaAs表面特性的影响.研究结果表明暴露在大气中的GaAs表面会形成Ga2O3、As2O3和As2O5缺陷.在表面镀含氧光学膜的GaAs表面上会形成少量Ga2O3缺陷,不形成As2O3和As2O5缺陷,在表面镀ZnSe光学薄膜的GaAs表面没有形成Ga2O3缺陷,也没有形成As2O3和As2O5缺陷.在GaAs表面上蒸镀ZnSe光学薄膜能有效地抑制GaAs表面缺陷的形成,提高半导体激光器的寿命.     

金刚石膜中黑色缺陷形成过程的计算机模拟

多晶金刚石膜中的黑色缺陷是影响材料光学、电学性能的一种重要缺陷。利用水平集方法对黑色缺陷的形成过程进行了模拟。模拟的基本假设为:黑色缺陷形成的基本条件为相邻晶粒间的晶界环境使活性气体扩散的过程难以进行,形成了一种形如"峡谷"状的、相邻晶面夹角30°的局部环境。金刚石膜的生长参数α2d值由1.3改变为1.5,在其晶粒表面{11}面上形成孪晶。孪晶的长大促进了黑色缺陷的形成。     

碳纤维复合材料构件加工缺陷与高效加工对策

碳纤维复合材料钻削加工时易产生分层、毛刺、撕裂等缺陷,是典型的难加工材料。本文以碳纤维增强/树脂基复合材料为研究对象,观察钻孔缺陷形成过程,建立单丝切削模型分析缺陷形成原因;讨论了轴向力对缺陷的影响规律。结论如下:纤维方向对缺陷形成有重要的影响,轴向力增大分层与撕裂缺陷相应增大;以磨代钻加工工艺、新型PCD刀具和螺旋面钻头对于提高碳纤维复合材料钻孔质量都有很大提高。     

复合材料叶片RTM成型缺陷研究

本文简要介绍了复合材料叶片的缺陷类型及其形成机理。综述了国内外在RTM工艺成型过程中纤维浸润和气泡形成方面的研究现状,对缺陷的排除方法进行了分析总结。     

混凝土工程的外观质量控制措施分析

本文介绍了混凝土工程常出现的外观缺陷,分析了混凝土外观缺陷形成的原因,提出了施工中防治混凝土外观缺陷的质量控制措施,供大家参考。     

镍基单晶高温合金对接平台内缩松缺陷的形成机制研究

目的 研究镍基单晶高温合金对接平台内的枝晶生长行为及凝固缺陷的形成机制。方法 在不同抽拉速率条件下,通过定向凝固技术制备了具有对接结构的镍基高温合金单晶铸件,采用实验与有限元模拟相结合的方法,研究了对接平台内缩松缺陷的形成机制,并讨论了抽拉速率对缺陷形成的影响。结果 缩松缺陷主要出现在各对接平台的最后凝固区,随着抽拉速率的增大,缩松缺陷的范围有所增大、数量有所增加。结论 铸件各平台中上侧位置均形成了缩孔缺陷,这与铸件特殊的对接型几何结构有关;随着抽拉速率的增大,凝固界面的下凹程度增大,平台两侧熔体过早凝固,使平台内部补缩通道受阻,最终导致各平台最后凝固区产生缩松缺陷。     

16Mn钢长轴裂纹缺陷成因分析

某16Mn钢长轴零件经超声波探伤发现存在缺陷,采用化学成分分析、低倍检验、金相检验、断口分析等方法对缺陷的类型和成因进行了分析。结果表明:该零件原材料中存在的非金属夹杂形成了裂纹源,在加工压力的作用下进一步扩展,最终形成了裂纹缺陷。     

缺陷对RRAM材料阻变机理的影响

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。     

镍基高温合金定向凝固过程中雀斑缺陷研究进展

本文简述了近年来定向和单晶镍基高温合金凝固过程中雀斑缺陷的研究进展,具体论述了雀斑缺陷的形成机制以及雀斑的预判模型,并从合金成分、凝固参数(抽拉速率和温度梯度)、凝固界面形态以及试样形状和尺寸等方面分析和论述了这些因素对雀斑缺陷形成的影响,最后对未来镍基高温合金中雀斑缺陷的研究方向进行了探讨和展望。     

选区激光熔化铝合金缺陷的形成机制和对力学性能的影响:综述

选区激光熔化(Selective laser melting,SLM)作为增材制造(Additive manufacturing,AM)技术的一种,其成形精度高,有利于实现更复杂的结构设计,适合铝合金复杂零部件的快速成形,被广泛应用于航空航天领域中.铝合金由于具有密度小、比强度高及优良的综合力学性能被广泛应用于航空航天、汽车等轻量化设计领域中.但是打印缺陷的形成严重限制了SLM工艺铝合金的推广应用.因此,了解缺陷的形成机制从而控制缺陷的产生对SLM工艺铝合金的应用有着重要的意义.SLM工艺打印缺陷主要分为裂纹,孔隙,残余应力和各向异性,球化.打印缺陷主要由不恰当的工艺参数导致.本文以Al-Si系铸造铝合金为研究对象,综述了SLM制备铝合金打印缺陷形成机制的研究进展,总结了缺陷形成的影响因素,并归纳了缺陷与铝合金力学性能之间的影响关系,孔隙率过多容易导致铝合金的拉伸和疲劳性能降低,通过选择适当的后处理可以有效改善其疲劳性能.     

结构缺陷对电子束诱发纯铝表面熔坑的影响

用Nadezhda-2强流脉冲电子束轰击不同预变形量的纯铝表面,对铝表面的结构缺陷和轰击后产生的表面熔坑进行了系统的表征,研究了表面熔坑与结构缺陷之间的关系.结果表明,结构缺陷对表面熔坑的形成有重要的影响,熔坑的数量随着结构缺陷数量的增加而增加,并且有沿晶界和高位错密度区择优形成的趋向,结构缺陷是表面熔坑形成的萌芽.另外,强流脉冲电子束还能在晶界和滑移带上诱发出大量由于空位聚集而产生的孔洞.     

热轧板卷表面缺陷分析

某热轧板卷公司生产的Q345B钢板卷在开卷时,发现整卷在其轧制表面上都存在很严重的轧制缺陷,缺陷主要以唇裂、皱褶和孔洞为主。通过对带有缺陷的薄板进行化学成分、夹杂物、扫描电镜断口及显微组织分析,并结合轧钢生产现场工艺情况,对热轧板卷表面缺陷的形成原因进行了分析。结果表明:轧辊辊面氧化膜剥落是热轧板卷表面缺陷产生的主要原因;氧化膜剥落使得辊面变得相当粗糙,导致了皱褶缺陷的形成,而孔洞是由皱褶发展而成的,唇裂则主要是由于氧化铁皮的压入而形成的折叠缺陷。     

300M钢锻件中的凹坑缺陷及其形成机理

对300M钢制锻件中的凹坑缺陷进行了观察与分析，并对凹坑缺陷的形成机理进行了分析与研究，结果表明，锻件中的凹坑缺陷是在锻造过程中产生的，它是在锻件裂纹延性开裂与扩展时，伴随锻造裂纹的产生，扩展以及微裂纹与空洞形成，连通，圆钝与氧化而形成的。     

离子注入诱导硅材料发光的研究进展

阐述了采用离子注入技术在硅晶体(Si)中形成缺陷的发光机制,综述了离子注入诱导硅材料发光的研究进展,包括稀土离子掺入硅晶体形成稀土杂质中心发光,Ⅳ族元素C、Ge离子注入Si/SiO2形成等离子缺陷中心发光,以及B、S、P等常规离子注入硅晶体的缺陷发光,其中重点介绍了Si离子自注入诱导硅材料发光的研究现状,最后展望了硅基材料发光的未来发展。     

RTM成型复合材料中微观缺陷表征及分析

通过对RTM成型复合材料制件及其预成型体进行解剖,并采用光学显微镜及扫描电镜对制件缺陷及预成型体表征,结果显示预成型体中定型剂富集的铺层与缺陷位置一致;并分析了缺陷表观形貌,阐述了缺陷形成原因。     

65Si2MnWA弹簧钢线状缺陷分析

某批65Si2MnWA弹簧钢在磨削过程中发现横截面存在线状缺陷。通过对缺陷件进行外观检查、金相检验、扫描电镜观察以及能谱分析,确定了缺陷性质和产生原因。结果表明:该缺陷并非裂纹,而为非金属夹杂物,是一种原材料冶金缺陷;其产生原因是钢在电渣重熔浇铸过程中形成缩孔,渣料残留于钢材缩孔中未切除干净,在后续的轧制和拉拔过程中发生变形而形成线状分布的缺陷。最后提出了改进及预防措施。     

聚氯乙烯缺陷结构生成的微机模拟

本文根据当前PVC缺陷结构生成的机理,介绍了用微机对其形成过程进行模拟的方法。模拟结果表明,过高的转化率必然导致形成更多的缺陷结构,使树脂品质下降。     

金属掺杂改善HfO2阻变存储器(RRAM)氧空位导电细丝性能

本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能.计算了HfO2体系中四组氧空位的形成能,得到VO4-VO23-VO34-VO46最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道.另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;VO-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;VO-Ni之间相互作用能为-2.335 eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力.     

三组元光子晶体的宽带隙及缺陷模研究

运用时域有限差分(FDTD)方法计算了GaAs/玻璃/空气三组元光子晶体的透射频谱及缺陷模的传输特征,发现GaAs/玻璃/空气三组元体系的最低完全带隙宽度明显宽于玻璃/空气或GaAs/空气二组元体系,适当调整GaAs/玻璃比例可以得到宽带隙;光子晶体中的缺陷会形成局域模式,线型缺陷形成光波波导;设计适当的组合缺陷,并通过缺陷之间的耦合作用可以实现对光波传播的选择性输出.     

金属薄膜缺陷及生长模式的有限元模拟

为了从微观领域研究金属薄膜缺陷的形成和薄膜的初期生长模式,利用有限元法对金属薄膜沉积过程中的缺陷和生长模式进行了计算机模拟.以Pt原子为膜料粒子,采用刚性球入射到石墨基底,重点研究了在基底上形成的缺陷结果表明,在薄膜生长初期会形成"树桩"小岛,而当碳基底上沉积铂原子的能量值达到75 eV时,就有可能发生随机原子注入."树桩"小岛的形成使薄膜生长多为岛状生长机制,同时检验了有限元方法在微观领域中的合理性和适用性.