TC8835N／F在电话应答机上的应用

ＴＣ８８３５Ｎ／Ｆ在电话应答机上的应用谢钦香，林成ＴＣ８８３５Ｎ／Ｆ是东芝公司生产的语音处理芯片，采用ＡＤＭ调制技术，应用实例如图１所示，动态ＲＡＭ作为语言存贮，ＭＩＣ、ＳＰ滤波及放大电路作为外设线路配合芯片进行语音录放。一、芯片的特点ｌ．最多可带两...     

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ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...     

数字式语音录放集成电路TC8831F

数字式语音录放集成电路ＴＣ８８３１Ｆ靳张铝ＴＣ８８３１Ｆ是日本东芝公司生产的一种数字式语音录放集成电路，主要应用在语音处理方面。它将语音信号经模／数（Ａ／Ｄ）转换后存于半导体动态存储器（ＤＲＡＭ）中，需要放音时再从ＤＲＡＭ中取出，经数／模（Ｄ／Ａ）转...     

便携式显示器

韩国便携式终端显示器由单色ＳＴＮ ＬＣＤ显示器向反射式彩色ＳＴＮ ＬＣＤ ,ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＯＬＥＤ等方向发展。从今年开始韩国便携式终端显示器中已不再配备单色ＳＴＮ ＬＣＤ显示器 ,而配备反射式彩色ＳＴＮ ＬＣＤ ,ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＯＬＥＤ等显示器。韩国 2 0 0 0年生产的移动电话中 0 .4 %用ＴＦＴ ＬＣＤ显示器 ,ＰＤＡ中 1 5%用ＴＦＴ ＬＣＤ ;2 0 0 1年移动电话中 7%用ＴＦＴ ＬＣＤ ,ＰＤＡ中 3 5%用ＴＦＴ ＬＣＤ。可见便携式终端显示器产品的更新换代是非常快的。在今后的便携式终端显示器市场中 ,反射式彩色ＳＴＮ -ＬＣＤ …     

DME／P中PFE和CMN的测量方法

本文详细描述了ＤＭＥ／Ｐ系统的测距误差的两个主要的ＰＦＥＴ和ＣＭＺ以及ＰＦＥ和ＣＭＮ的实现方法。     

G80集群系列产品

Ｇ８０集群系列产品一、集群片系列：１．提供下列手持机用集群片：１Ｃ—Ｔ３１ＣＰ／２１ＣＰ医段双工手机（有ＤＴＭＦ租数字展令片两种）、Ｃ４５０／１５０／、Ｎ８８８Ｕ／Ｖ、ＨＸ２６０Ｕ／Ｖ手机片２．提供下列车台用集群片：ＫＧ１０６、ＴＫ８２０／７２０、Ｔ...     

CdSe薄膜晶体管制备工艺的研究

对ＣｄＳｅ－ＴＦＴ的制作工艺进行了探索,对ＴＦＴ矩阵的关键材料－半导体层ＣｄＳｅ的性质进行了研究。利用ＸＣ－３６型高阻仪研究了ＣｄＳｅ薄膜电阻率随蒸发速度的变化,用三探针法和Ｃｕｒｖｅ Ｔｒａｃｅｒ ＱＴ－２对ＴＦＴ样管的基本性能进行了测试,得到载流子迁移率为１７０ｃｍ２／Ｖ．ｓ,ＯＦＦ态电流小于１０＾－１０Ａ,ＯＮ态电流为１０＾－４Ａ。     

20Gbit／s HBT调制器驱动IC

２０Ｇｂｉｔ／ｓ　ＨＢＴ调制器驱动ＩＣ据《ＮＥＣ技报》１９９５年第５期报道，ＮＥＣ公司新开发的ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ，应用于２０Ｇｂｉｔ光调制器驱动ＩＣ中，获得了良好的超高速和高压输出性能。在ＩＣ制作中，ＮＥＣ采用了独特的异质护环ＨＧ－ＦＳＴ工...     

单片集成V／F和F／V变换器TC9400

ＴＣ９４００既可完成Ｖ／Ｆ变换，也可完成Ｆ／Ｖ变换，本文介绍了该器件的主要性能，工作原理及典型应用电路的设计与调整。     

世界第一个个人卫星通信系统

世界第一个个人卫星通信系统ＣＯＭＳＡＴ移动通信公司已引进世界第一个个人卫星通信（ＰＳＣ）系统—ＰＬＡＮＥＴＩ。１９９６年中可使用的ＰＬＡＮＥＴＩ终端机零售为２９９５美元，全部（所有终接）收费为３单元／ｍｉｎ（ＦＣＣ正在批准）。ＰＬＡＮＥＴ１系统综合蜂...     

大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备

以钛酸铝（ＰＴ）和Ｆ２４「Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）」为原材料，利用热轧法和旋转电晕放电极化方法制备出面积达３７５ｃｍ＾２，厚为首领μｍ的大面积０－３型ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料。其压电应变系数为３２ｐＣ／Ｎ，静水压压电系这到７８２．６ｍＶ．ｍ／Ｎ，并对其温度和压力稳定性进行了分析测试。     

卡拉OK单片大规模集成电路TC9465F及其应用

ＴＣ９４６５Ｆ是日本东芝公司专为ＬＤ／ＣＤ唱机、组合机和ＶＴＲ等卡拉ＯＫ音响设备而设计的新型单片大规模集成电路,它具有高、低音处理和话筒回声功能,内置ＡＤＣ和ＤＡＣ以及静音控制与处理电路,文中介绍了卡拉ＯＫ单片ＬＳＩ的引肢功能和特点。并结合应用电路对ＴＣ９４６５Ｆ的工作原理进行了说明。     

电离辐射引起MOSFET跨导退化的机制

通过研究６０Ｃｏｒ射线对ＭＯＳＦＥＴ跨导的影响，定性描述了辐照栅偏置条件以及氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别与ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ跨导衰降之间的依赖关系。试验表明，对于ＰＭＯＳＦＥＴ，电离辐射感生氧化物正电荷累和界面太度增加降导致器件跨导退化。对于ＮＭＯＳＦＥＴ来说。这种退化只与辐射感生界面态密度增长有关。     

（Na1／2Bi1／2）TiO3—SrTiO3无铅压电陶瓷的介电,压电性能

研究了（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３－ＳｒＴｉＯ３二元系无铅压电陶瓷的介电、压电性性。Ｓｒ＾２＋的引入对ＮＢＴ材料的常温介电系数、铁电相与反铁电相转变温度ＴＦＡ（１８０℃）以及居里温度ＴＣ（３００℃）的影响都不大,但却较大幅度地降低了ＮＢＴ材料的高顽场,从而使极化相对容易。（Ｎａ１／２Ｂｉ１／２）ＴｉＯ－ＳｒＴｉＯ３二元系的压电性能参数ｄ３３和ｋｔ分别达到１００ｐＣ／Ｎ和０．４５。     

HFC网络QoS协议机制及MIB结构

本文概述了在ＨＦＣ网络中电缆设备（ＣＭＴＳ,Ｃ曲于ＤＯＳＣＳＩＳ／ＳＮＭＰ的服务质量（ＱｏＳ）标准规范和相应管理信息库（ＭＩＢ）的定义和扩充。ＨＦＣ网络服务质量的提出,将极大地促进ＨＦＣ业务开展。研究和掌握ＨＦＣ网络服务质量规范和相应的ＭＩＢ对实现ＨＦＣ网络业务和网络系统开发的意义是十分重要的。     

TC8830AF语音合成处理器与单片机接口技术

本文简要介绍了新型语音合成处理器ＴＣ８８３０ＡＦ的基本工作原理与特性，并阐述了ＴＣ８８３０ＡＦ应用在８０３１单片机系统中的硬、软件接口技术及实现过程。     

利用我国现有CATV网实现综合服务的探讨

随着通讯技术的不断发展，ＣＡＴＶ网应突破ＴＶ、ＦＭ传输的狭义概念，利用ＣＡＴＶ网的宽带特性特ＣＡＴＶ网建成一个宽带综合服务网（ＢＩＳＮ）。为此，我们必须对现有ＣＡＴＶ网进行适当的改造，对于新建ＣＡＴＶ网从长远考虑以ＦＦＴＣ结构为佳。     

新品发布

多模ＭＴ－ＲＪ收发器 Ｔｙｃｏ　查询号 １８１ 泰科电子公司（Ｔｙｃｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）日前宣布推出ＡＭＰ ＥＳＣＯＮ多模ＭＴ－ＲＪ收发器,其数据传输速率高达２００Ｍｂ／ｓ。该产品用于ＥＳＣＯＮ链路,可适用于广泛应用的ＭＴ－ＲＪ小型封装模块（ＳＦＦ）连接器接口。这种ＳＦＦ收发器采用２ｘ５ＤＩＰ（双列直插式组件）式封装,集成了ＭＴ－ＲＪ连接器接口。新式小型封装模块的接口宽度大约仅为双工ＳＣ１ｘ９模块的一半,因而设计人员可将给定产品的端口密度提高两倍。 机顶盒 Ｍｏｔｏｒｏｌａ　查询号 １８２ 摩托…     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

CATV前端载噪比C／N指标的选择

ＣＡＴＶ前端载噪比Ｃ／Ｎ指标的选择经验交流广西田东县广播电视局技术部黄宪伟有线电视系统载噪比Ｃ／Ｎ的指标是有线电视系统主要技术指标之一。下面将以前端载噪比〔Ｃ／Ｎ〕Ｈ指标的合理选取为例，讨论ＣＡＴＶ载噪比Ｃ／Ｎ指标的合理利用问题。国标规定Ⅰ类调制器技...