氮化钛薄膜的高分辨AES谱和XPS谱研究

着重讨论了TiNx薄膜俄歇电子谱的定量分析方法和X射线光电子谱中线形的变化。利用已知组元强度定量分析技术和Ti的LMV俄歇电子峰，探讨TiNx薄膜中N含量的定量方法。由该方法给出的定量结果与X射线光电子谱定量结果相一致。同时，利用X射线光电子谱测定了TiN和Ti2N2p轨道的结合能。并针对Ti2p峰形随N含量的变化，给出新的解释。     

Ti／Al多层金属薄膜AES深度剖析的目标因子分析

目标因子分析法（ＴＦＡ）是一种对多元系统进行统计分析的计算数学方法。结合这种方法对Ｔｉ／Ａｌ多层金属薄膜的俄歇电子谱（ＡＥＳ）深度剖析结果进行了仔细的分析，获得了Ｔｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｓｉ各元素的化合状态的深度分布情况，并与Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析结果相一致．     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

掺Pd二氧化锡薄膜结构表征

利用Ｘ射线光电子谱、扫描俄歇微探针，Ｘ射线衍射和差热－热重等多种分析技术，对由溶胶凝胶法制备的Ｐｄ－ＳｎＯ２薄膜试样的结构作了综合表征，系统地研究了热处理过程中度样结构及试样中Ｐｄ和Ｓｎ元素化学状态的变化规律。     

等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性

本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜。研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响。用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构。     

钛和氘化钛的电子谱特征

在ＳＤＬ－１２型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化太钛（ＴｉＤ１．７）能量损失谱（ＥＬＳ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ｔｉ２ｐ１／２，２ｐ３／２能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下５－１１ｅＶ出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ｔｉ→Ｄ。     

TiO2光催化薄膜的XPS研究

利用ＴｉＯ２溶胶通过浸涂技术在钠钙玻璃表面制备了ＴｉＯ２光催化薄膜,根据Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对薄膜进行了表征。结果表明,薄膜中除含有＋４价Ｔｉ的氧化物外,还有一定量的＋３和＋２价Ｔｉ的氧化物。结合有机基团燃烧的还原作用、玻璃中钠与钙离子的扩散和Ａｒ离子刻蚀,对这种现象作了讨论。Ｏｌｓ的高分辨谱比文献报道的更复杂。元素在薄膜内层的分布更均匀,从表面到内层,Ｏ和Ｔｉ元素的含量明显增加,而Ｃ、Ｎａ     

H原子对固态合金化颗粒表面成份分布影响的研究

本文研究了氢化物ＴｉＨ２对Ｆｅ＋Ｔｉ机械合金化非晶储氢合金的表面成份偏聚和性能的影响。应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）和俄歇电子谱（ＡＥＳ）对样品表面由表及里逐层测量成份分布。同时应用热重分析方法研究了样品氧化性能和产物。研究结果表明，在机械合金化过程中，Ｈ原子不仅能使ＦｅＴｉ非晶化，同时促使表面产生明显的Ｆｅ原子偏聚。表面Ｆｅ／Ｔｉ原子比接近７。非晶ＦｅＴｉ（Ｈ）相的氧化分两个阶段进行，Ｔｉ原子首先氧化（８３３Ｋ），随后Ｆｅ原子氧化（８９０Ｋ）。     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对样品进行了深度剖面分析，铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。Ｘ射线衍射表明膜中含有α＝Ｆｅ，－Ｆｅ１６Ｎ２，ε－ＦｅｘＮ（２〈ｘ≤３）和δ－Ｆｅ２Ｎ各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

俄歇电子谱术(续)

5　俄歇电子谱术的应用5 .1　定性分析[8]定性分析的目的是根据测得谱的位置和形状以识别元素种类。常用的方法是根据测得的峰的能量(在微分谱中以负峰为准 )与标准的《手册》[8,16 ] 进行对比。以下以微分谱为例进行说明。标准图谱手册提供各元素的主要俄歇电子能量图和标准俄歇谱图 ,给出各元素的俄歇峰的出峰位置、形状和相对强度。在定性分析中 ,同时采用上述两种图谱 ,将使分析工作变得快捷。定性分析的步骤[8] :(1)首选一个或数个最强峰 ,利用主要俄歇电子能量图 ,确认数个可能的元素。然后利用标准俄歇图谱进一步对这几种可能元素进…     

离子束辅助沉积制备TiO_2-Nb_2O_5氧敏薄膜

采用离子束辅助沉积方法在Ａｌ２Ｏ３陶瓷衬底上制备了ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５氧敏薄膜。考察了薄膜组分比及退火温度对薄膜氧敏特性和结构的影响。电阻氧分压特性测试结果表明，纯Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性优于纯ＴｉＯ２薄膜；掺入少量的Ｔｉ可使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性提高，以５ｍｏｌ％ＴｉＯ２掺杂的Ｎｂ２Ｏ５薄膜最佳；过量掺杂则使Ｎｂ２Ｏ５薄膜的氧敏特性明显变差。在５ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中再掺入少量的Ｐｔ（０３％０５％）可使其氧敏特性更好，而且其响应时间大大缩短。Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析表明，在退火后的ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中Ｎｂ２Ｏ５为单斜（Ｍｆｏｒｍ）结晶相，而掺杂的Ｔｉ以非晶的ＴｉＯ２形式存在，即使在高达３４ｍｏｌ％ＴｉＯ２Ｎｂ２Ｏ５薄膜中也不例外。纯ＴｉＯ２膜为金红石结构。不同退火温度（９００１１０００Ｃ）对薄膜的氧敏特性和结构无明显影响。     

离子束增强沉积制备TiB2薄膜及其性能研究

用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）在硅及铜基体上沉积了ＴｉＢ２薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（ＡＥＳ）分析了膜的成分及其界面状况，用Ｘ射线衍（ＸＲＤ）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行膜的高温氧化试验。结果指出：（１）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（２）离子呸增强的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。     

多弧离子镀(Ti_XAl_Y)N系超硬薄膜中Al的作用

本文考察了Ａｌ量对多弧离子镀（ＴｉＸＡｌＹ）Ｎ膜层的硬度、孔隙率、耐磨性、摩擦系数、结合力等因素的影响。并利用扫描电镜、电子探针、Ｘ射线衍射仪及俄歇电子谱仪对膜进行了分析，并对磨损机理作了初步探讨     

TiNx薄膜的特性和俄歇电子能谱分析

采用不同工艺，在Ｆｅ基上气相沉积ＴＩＮｘ薄膜。通过扫描电镜，划痕仪，俄歇电子能谱，粘着力测量仪的观测，分析和计算，给出了膜的形貌，组份，光学特性和力学特性。发现随着ＴＩＮｘ膜中组分及其氧含量的变化，膜的颜色，粘着力，ＴＩＮｘ膜的均匀性都发生显著的变化。本文还采用一种与文献不同的方法，较为简便地处理了俄歇谱中Ｔｉ和Ｎ峰的重造现象。     

锌—镍合金钝化膜的组成和结构对耐蚀性的影响

采用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等方法测定了锌－镍合金铬酸盐纯化膜的组成和结构，并对Ｚｎ－Ｎｉ合金钝化膜的耐蚀性进行了研究。     

锌－镍合金钝化膜的组成和结构对耐蚀性的影响

采用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等方法测定了锌－镍合金铬酸盐纯化膜的组成和结构，并对Ｚｎ－Ｎｉ合金钝化膜的耐蚀性进行了研究。     

俄歇电子谱术

介绍了俄歇电子谱术的某些基本问题，内容包括：俄歇电子发射、表面灵敏性，俄歇电子谱的测量，定性和定量分析，深度剖析等，最后介绍了三种俄歇谱仪的功能扩展，功函数测量，材料结构性能量和电子态密度测量。     

不同工艺条件下TiN薄膜的AES研究

水文给出了三种不同工艺制备的 ＴｉＮ薄膜样品的俄歇分析结果，并对不同ＴｉＮ薄膜中组份变化对其力学性能的影响进行了讨论。实验结果表明，氧的存在对ＴｉＮ膜有较大影响，氧含量增高，表面光泽由金黄色逐渐变为暗红色，膜的附着力由大变小。俄歇剖面分析谱图表明，随着氧含量的增加，膜中的ＴｉＮ均匀性变差，在ＴｉＮ与Ｆｅ的界面处氧的含量也逐渐增加．这一结果表明，氧在氮化钛膜与铁基底的接触界面上的存在，影响了膜与铁基底之间的附着力，它是影响其表面上 ＴｉＮ膜的力学性能的原因之一。另外，对俄歇分析和剖面分析中谱图中Ｔｉ峰与Ｎ峰的重迭进行了处理。其方法与文献报导的不同，具有简便、准确的特点     

用微波等离子体CVD制备C3N4薄膜

采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,使用高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）说明薄膜主要由β－和α－Ｃ３Ｎ４组成;Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）、傅立叶变换红外谱（ＦＴ－ＩＲ）和喇曼（Ｒａｍａｎ）谱说明在Ｃ３Ｎ４薄膜     

合成硼碳氮体系薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分析３００～５００℃等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮化硼和硼碳氮薄膜。利用合成薄膜成分可控的特点,研究Ｂ、Ｃ、Ｎ对薄膜的ＸＰＳ影响。结果表明,ＸＰＳ分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成,但不能确定ｓｐ＾２和ｓｐ＾３型键合结构特性;ＸＰＳ分析硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性。在较高的工艺温度下,等离子体源离子渗氮合成的硼硕氮薄膜具有ｓｐ＾２和ｓｐ＾３型复合的键合