硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第一部分)

本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。     

铱硅(IrSi)肖特基势垒红外探测器

除Pd_2Si、PtSi肖特基势垒红外探测器外,最近几年又发展了一种新型的IrSi肖特基势垒红外探测器。据1982年《Trans.IEDM》报导:IrSi肖特基势垒红外探测器,势垒高度小于0.16eV(P—Si),工作温度45～65K。其有用波长已超出了早期Pd_2Si、PtSi肖特基势垒红外探测器达到的1～5μm极限,IrSi探测器由于     

国外金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合器件(SBIRCCD)的发展动态

本文简述了国外金属硅化物(Au—P—Si、Pd_2Si、PtSi)肖特基势垒红外电荷耦合器件(SB—IRCCD)的发展动态。其次展望了长波(1～12μm)肖特基势垒的发展趋势。     

肖特基势垒红外焦平面技术研制动态

肖特基势垒红外焦平面阵列(SB-IRFPA)技术具有一系列独特的优点,其发展速度是目前各种焦平面阵列技术中最快的,本文综合评述肖特基势垒红外焦平面阵列技术的特点、结构形式、工作机理、目前在短波、中波和长波器件方面取得的进展,在量子效率改善方面采取的有效措施和阵列技术未来的发展趋势。     

1024元高分辨率线阵IRCCD图像传感器

元中心间距为14μm 的1024元高分辨率红外电荷耦合器(IRCCD)图像传感器已研制成功。该器件主要用于遥感。IRCCD 传感器探测部分采用 PtSi/Si 肖特基势垒代替了常规的 Pd_2Si/Si 肖特基势垒。可用于中波和短波红外成像,其功率为7 mW,因而适宜于卫星应用。     

硅化铱肖特基势垒列阵—实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8～14μm)成像的焦平面技术。本文叙述了硅化铱肖特基势垒列阵的工作原理、结构及关键工艺,并介绍了该器件的发展状况。     

高性能PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵(PtSi-SBIRFPA)的工作原理,阐述了肖特基势垒探测器的优化结构,分析了器件的优异性能,并给出了量子效率、灵敏度、暗电流、噪声等效温差和转移效率的典型曲线,评述了国内外PtSi-SBIRFPA的发展。     

CSD图像传感器的应用

本文介绍了CSD图像传感器的结构、特点、工作原理及其在肖特基势垒红外焦平面列阵(SBIFPA)中的应用情况。     

铂—硅合金形成硅化铂的研究

本文对 PtSi 红外肖特基势垒探测器中硅化铂薄层(～20nm)进行了分析,比较了不同制作条件 PtSi 薄层的化学组成以及有关元素在薄层中的纵向分布等情况,提出了良好的硅化铂薄层的形成条件,并测出了以此条件制作的 PtSi 红外肖特基势垒探测器参数 D~*=2.8×10~(10)cm·H_z~(1/2)W~(-1),势垒高度φ_(ms)=0.21eV。     

单片式PtSi肖特基势垒IR—ITCCD焦平面列阵

本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件的研制技术

本文仅对硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)的结构、工艺及提高性能的途径作一综合描述。     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

简讯

长波焦平面红外器件和CCD 美国无线电公司在美国高级研究规划局赞助下成功地制成用肖特基势垒探测器制造的红外焦平面传感器,它用CCD移位寄存器作多路传输,已用300℃的背景辐射测量。已做成的实验器件是25×50(1250)元阵列和62位线列,探测器均匀性<1％,温度分     

高性能肖特基势垒IR-CCD摄像传感器(特邀)

研制了32×63和64×128像素高性能PtSi和Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器。80K下工作的PtSi肖特基势垒探测器(SBD_S)在3～5μm光谱区内具有百分之几的量子效率,截止波长6.0μm。工作在120～140K之间的Pd_2Si SBD_s在1.0～2.5μm光谱区的量子效率为1.0～8.0%,截止波长3.6μm。用64×128像素PtSi肖特基势垒IR-CCD摄像器件在60帧/秒的与IR兼容的TV摄像机中已经摄出了高质量的热像。用Pd_2Si肖特基势垒IR-CCD摄像传感器还得到了质量良好的SWIR反射红外摄像。     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的红外响应

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管是短波红外CCD和焦平面的光敏元,利用成熟的硅大规模集成电路工艺可以把它和信息处理电路做在同一芯片上,因此,易于做成高密度多象元的器件。近几年来,这种器件发展很快,性能有很大的提高。目前,人们正在发展长波硅肖特基势垒红外CCD,因此,对硅肖特基势垒二极管的光谱响应十分关注。本文对硅化     

国内外MSSBIRFPA的发展现状及其应用

本文介绍国内外金属硅化物肖特基势垒红外焦平面阵列(MSSBIRFPA)的发展现状。概述了PtSi、IrSi、GeSi／SiMSSBIRFPA的研制和开发水平，同时也介绍了MSSBIRFPA技术在军事上的应用情况及发展方向。     

军用焦平面阵列技术的进展

军用焦平面阵列技术的进展电子部第５３所付伟１、引言焦平面阵列是兼具有红外辐射敏感和信号处理两种功能的新型红外探测器件。自１９７３年美国罗门空军发展中心提出硅化物肖特基势垒探测器阵列以来，经过二十年的发展，焦平面阵列已被广泛应用于红外搜索与跟踪、夜视导...     

128×128元焦平面阵列摄出清晰红外图像

重庆光电技术研究所在成功地研制32×64元和64×64元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列的基础上,又成功地研制成128×128元铂硅肖特基势垒红外焦平面阵列,并于1990年4月27日用该焦平面阵列摄出了极为清晰的.     

扩展长波红外探测的铱硅化物硅肖特基势垒的研究

通过制备铱硅化物—硅肖特基势垒,分析了衍射相,讨论了铱硅化物成膜工艺及其与薄膜方块电阻的关系,测量并分析了势垒高度,红外光吸收率。研究结果表明,铱硅化物—硅是一种有希望扩展肖特基势垒红外探测范围的新型势垒结构。