硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析

本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR CCD)的噪声产生原因以及降低噪声的方法。     

价格昂贵的铂检测器

作为具有使用潜力的红外检测器，硅化铂肖特基势垒检测器几年来一直在接受试验。在美国摄影光学仪器工程师学会东部会议上，美国无线电公司普林斯顿实验室的科索诺基(W. Kosonochy)论述了64×128 PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)焦平面列阵的现状。     

硅化铱肖特基势垒列阵—实现长波红外成像的新途径

硅化铱肖特基势垒列阵,是一种新近发展起来的用于长波红外(8～14μm)成像的焦平面技术。本文叙述了硅化铱肖特基势垒列阵的工作原理、结构及关键工艺,并介绍了该器件的发展状况。     

MSSBIRCCID焦平面阵列的进展(第一部分)

本文简要介绍由带光腔结构的肖特基势垒红外探测器(SBIRD)和埋沟型曲沟 CCD(BMCCD)、带电荷扫描器件(CSD)红外信号处理器组成的金属硅化物肖特基势垒红外电荷耦合成象器件(MSSBIRCCID)焦平面阵列的结构、制备方法及其进展。     

GZ313型单片式3～5μm64位红外电荷耦合摄像器件

(一)简要工作原理该红外电荷耦合摄像器件是把64个肖特基势垒二极管列阵构成的多元红外探测器与电荷耦合多路传输器集成在一起的单片式红外摄像器件。其工作过程是64位红外探测器把视场空间的热像转换成时序电信号,并由CCD 完成自扫描。当积分栅施加积分脉冲     

硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件的研制技术

本文仅对硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)的结构、工艺及提高性能的途径作一综合描述。     

提高PtSi-SBIRCCD焦平面阵列性能的有效途径探讨

本文叙述了研制硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIR-CCD)焦平面阵列时,控制金属硅化物厚度,对器件结构的改进,抗反射保护膜的选择以及发展新的光学技术等有效途径,以改善器件性能。     

硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列技术

本文讨论了硅化铱肖特基势垒红外探测器(IrSi-SBIRD)的典型结构和其制作技术;评述了硅化铱肖特基势垒红外焦平面阵列(IrSi-SBIRFPA)的现状。     

8毫米硅肖特基势垒二极管

一、引言 肖特基势垒二极管自六十年代初问世以来,随着半导体材料和器件工艺的发展,性能有很大提高,在微波混频和检波器中得到广泛应用。混频二极管目前正向低噪声、宽频带和毫米波方向发展。由于电子迁移率比空穴迁移率大得多,所以总是用n型半导体材料来制作混频或检波二极管。n型GaAs材料的电子迁移率比硅高得多,所以它适宜于制作毫米波器件,可以获得较高的截止频率和较低的噪声系数。但是,砷化镓材料和器件工艺以及可靠性方面均不如硅器件成熟。所以,目前仍有不少毫米波肖特基势垒混频二极管产品是用硅材料制作的。与砷化镓相比,金属—硅势垒的势垒高度较低,通常不需要加偏压或加大本振功率。所以,采用硅材料对于使用来讲也是有利的。     

新型高密度红外肖特基电荷耦合探测器阵列

硅红外探测器阵列常由肖特基势垒探测器单元组成,这些单元通过转移栅和常规电荷耦合器件(CCD)的移位寄存器相连接。描述的新型器件结构是把探测功能和移位寄存器功能合并入一个肖特基单元,其优点是大大增加了探测器占空系数,及在给定尺寸的芯片上构成更大型探测器阵列的可能性。     

一种新的压敏效应—汞-硅肖特基势垒的压容效应的研究

半导体压敏器件由于具有灵敏度高、结构小巧及使用方便等特点,在传感技术中得到了广泛的应用.半导体压敏器件的研究随着电子技术的发展,显得愈来愈重要.新器件的开发和研究是这方面的重要课题.本文提出了一种新的压敏效应——汞-硅接触形成的肖特基势垒的压容效应.根据这种效应可以研制出一种新型的压敏器件——汞-硅压敏二极管.作者从实验中发现在微小压力作用下,汞-硅肖特基势垒的势垒电容都发生了显著的变     

碳化硅器件发展概述

概要介绍了第三代半导体材料碳化硅(SiC)在高温、高频、大功率器件应用方面的优势,结合国际上SiC肖特基势垒二极管,PiN二极管和结势垒肖特基二极管的发展历史,介绍了SiC功率二极管的最新进展,同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及发展方向做了概述及展望。     

凝视红外焦平面CCD非均匀性校正

对CCD器件的非均匀性校正的理论方法进行了讨论、分析和比较,并对32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面器件进行了响应率非均匀性的校正,针对该器件响应率非线性度大、传输率低、疵点数目多和噪声大等问题,选取先进的多点定标分段校正算法,实现了实时校正及显示。校正后,不均匀度为2%,图像质量明显得到改善。     

SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性

将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较.     

SOI反偏肖特基势垒动态阈值MOS特性

将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DTMOS的工作电压可以拓展到0.7V以上.实验结果显示,室温下采用反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构,阈值电压可以动态减小200mV.反偏肖特基势垒SOI DTMOS结构相比于传统模式,显示出优秀的亚阈值特性和电流驱动能力.另外,对浮体SOI器件、传统模式SOI器件和反偏肖特基势垒SOI DTMOS的关态击穿特性进行了比较.     

高性能128×128元PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵

设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。     

军用PtSi—SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面是技术的新发展。     

浅析高温Ti4H-SiC肖特基势垒二极管的特性

SiC是新一代高温、高频、大功率和抗辐照半导体器件和集成电路的半导体材料,具有高击穿电场、高饱和电子漂移速率、高热导率及抗辐照能力强等一系列优点肖特基势垒二极管是实现各种SiC器件的基础,因此对SiC肖特基势垒二极管高温特性的研究具有十分重要的理论和实际意义。     

PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列器件的发展与应用

概述军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒外焦平面阵列器件的新近发展与应用。     

新型低噪声模式的硅二极管

据报导,贝尔实验室制成一种称为“BARITT”的势垒注入渡越时间二极管。它是由夹在硅化铂肖特基势垒接触间的10微米厚的 n 型硅片制成的。其噪声系数比硅雪崩二极管约低20分贝,也低于 GaAs 电子转移振荡器(见表),且制作简便。微波连续功率在4.9千兆赫下已获57毫瓦,其效率达2.3%。在1兆赫载波下调频噪声为22.8分贝。Baritt 二极管的另一特点是,它的偏压为5～80伏,并与频率无关。其次,由于是对称结构,它可在任一极性下工作。据称,用硅的最佳材料和工艺制成的器件,其可靠性