集成电路可制造性经济学模型（二）：后道工序及综合效益模型

文章在讨论集成电路（ＩＣ）制造后工序特点基础上，提出了广义后道工序成本模型，该模型综合考虑了ＩＣ封装、总测及老化工序全过程，系统得到了可设计的经济学模型。最后，文章给出了一个集成电路工厂在某产品生命周期内的综合效益最优化模型，为ＩＣ可制造性设计和ＩＣ制造提供了经济学依据。     

集成电路可制造性工程与设计方法学

集成电路可制造性工怀设计是近年来发展很快的研究领域，它集ＩＣ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框图（即产品制造成本和成品率驱动下）下，对产品进行规划和设计，应用该设计可以大大缩短ＩＣ产品研制周期，降低制造成本，提高成品率和可靠性，本文将综述该领域的研究进展，并阐述进一步的研究方向。     

集成电路可制造性设计理论与统计最优化方法统一模型的研究

文中系统地介绍了集成电路可制造性设计的基本概念，讨论了ＩＣ发展趋势和ＶＬＳＩ的极限，以及功能设计向优化设计过渡的必然性。综合考虑了电路制造的参数成品率极大，最佳容差设计，调整设计和制造费用极小化问题，提出了建立在不可微规划框架上的统计最优化方法的统一模型。     

CMOS专用IC—步进电机分配器

ＣＭＯＳ专用ＩＣ──步进电机分配器毕玉国随着ｃＭＯＳ集成电路设计和制造技术的发展，制造一片新的ＩＣ的周期越来越短，成本也越来越低，加之ＣＭＯＳ工艺ＩＣ本身的优点，要求定制ＣＭＯＳ专用ＩＣ的用户正在增加，使ＣＭＯＳ专用ＩＣ成为ＣＭＯＳ集成电路领域中一个...     

我国集成电路产业的发展现状和展望

从ＩＣ制造技术，ＩＣ设计和产品开发以及ＩＣ微细加工专用设备三个方面，阐述了我国“八五”ＩＣ科技进展和产业发展现状，分析了我国“九五”ＩＣ发展趋势，并提出了对今后发展的建议。     

我国集成电路产业的发展现状和展望

本文从ＩＣ制造技术、ＩＣ设计和产品开发以及ＩＣ微细加工专用设备三个方面，论述了“八五”我国ＩＣ科技进展和产业发展现状，分析了我国“九五”ＩＣ发展趋势，并提出了对今后发展的建议。     

IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较

本文对现有的ＩＣ制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较，得到了一些有意义的结果，该结果为进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。     

关注无铅化可制造性设计

对于OEM制造厂商来说认识含铅和无铅化元器件之间所存在的封装和焊盘的不同处是非常关键的；这种差异可能会导致成本昂贵的制造缺陷。含铅的可制造性设计（Design for Manufacturing，简称DfM）包含确认在PCB设计布线、制造、装配和元器件管理方面己开展的行之有效的工作。然而，无铅化的可制造性设计在那四大类的每一个方面的工作都面临着非常大的变化。所以要确认每一个细节使之能够正确地进行操作。     

超深亚微米与纳米级标准单元的可制造性设计与验证技术

当半导体工业进入到超深亚微米时代后,标准单元的设计面临着新的挑战.由于亚波长光刻的使用,图形转移质量将严重下降.在这种情况下,以集成电路的可制造性作为目标的"可制造性设计"方法在标准单元设计中变得至关重要.本文分析了超深亚微米与纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案,完成了实际90nm工艺下标准单元的可制造性设计工作.同时,文中提出了包括光刻模拟、测试电路组等技术在内的单元可制造性设计和验证的流程.     

DCTT统计最优化模型及其性质

本文提出了集成电路最优化中综合考虑成品率极大、最佳容差设计、调整设计和生产效益极大化设计的统计最优化模型(Design Centering,Tolerance and Tuning.简称DCTT模型)。讨论了该模型与广义统计最优化模型的等价性以及其他主要性质。在确定性最优化框架下,该模型为统计最优化和集成电路可制造性设计的进一步发展开辟了新途径。     

宽带微波单片集成电路技术及其应用

电子战与光传输系统是宽带微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）的重要应用领域。传统的宽带设计技术和以它为基础的各种综合设计技术普遍用于宽带ＭＭＩＣ的设计。分布式拓扑是实现多倍频程带宽的主要设计途径。９０年代新兴的三维ＭＭＩＣ技术和ＩＥＭＴ－ＨＢＴ技术已成功地应用于宽带ＭＭＩＣ的设计和制造，显著地改善了电路，组件及电子系统的性能和功能。     

有源电扫阵列的单片微波集成电路与封装的发展趋势

本文阐述了开发单片微波集成电路（ＭＭＩＣ）和多芯片组装的当前工作与进展，采用ＭＭＩＣ和多芯片组装可获得低成本、满足性能要求的有源电扫阵列（ＡＥＳＡ）。本文还讨论了ＭＭＩＣ的成本与开发因素、组件的成本与开发考虑事项，以及整个阵列的成本与开发考虑事项。     

亚100纳米级标准单元的可制造性设计

本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturability)的流程,重点讨论了在亚100纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案.依靠以上DFM技术方法,完成了实际90nm工艺标准单元可制造性设计工作.     

欧洲是世界IC制造理想投资地

欧洲是世界ＩＣ制造理想投资地当前世界ＩＣ市场的发展主旋律是生产从本土向海外扩展，其目的是为了降低生产成本、减少运输费用、越过关税壁垒、抢占市场和获取更多的利润。从目前运作和发展来看，欧洲是世界ＩＣ制造商最理想的投资、建厂地区。政治上，欧洲尤其西欧是美...     

X波段五位移相器的小功率开关HMIC的研制

介绍了一种混合微波组装工艺制造的Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ的电路设计和制造工艺，并分析了制造工艺对移相器的影响，提出控制这种影响的方法。用这种控制方法制造的该Ｘ波段ＰＩＮ二极管五位数字移相器和小功率开关ＨＭＩＣ：体积小，可靠性高。     

ASIC的发展研究

首先介绍了专用集成电路（ＡＳＩＣ）的概况，指出ＡＳＩＣ可适应使用与制造的特殊要求。对ＡＳＩＣ的发展与市场进行了研究，给出了市场增长情况和世界ＡＳＩＣ产品市场及预测以及产品按地区、工艺、应用分布表。对ＡＳＩＣ技术和发展趋势也作了较详细的介绍，亚微米ＣＭＯＳ技术已开始用于ＡＳＩＣ。     

浅析印制板设计

本文主要针对设计人员在印制板设计时,对印制板产品的形状、配合、功能、成本、可靠性和可制造性及整个产品的设计周期等问题做了论述。     

纳米时代的可制造性设计

集成电路产业在遵循摩尔定律发展进入纳米时代后，制造工艺效应对芯片电学性能的影响越来越大，使得在设计的各个阶段都必须考虑可制造性因素。介绍了可制造性设计中的分辨率增强技术、工艺可变性，以及建立可制造性设计机制中的多方合作问题。     

电子装联可制造性设计

电子装联可制造性设计是一个全新的设计理念,主要解决电路设计和工艺制造之间的接口关系."设计要为制造而设计",强化电子装联的可制造性,使电路设计按照规范化、标准化的要求进行设计,是电子装联可制造性设计的主要要求.通过对可制造性设计(DFM)的基本理念、电子装联可制造性设计和应用先进电子装联技术的可制造性设计的详细论述,阐明了什么是电子装联可制造性设计,电子装联可制造性设计的必要性、重要性及实施途径.     

基于自动化组装的PCB可制造性设计分析

印制电路板的可制造性设计主要解决电路板设计和工艺制造之间的接口问题,可制造性设计具有缩短开发周期、降低成本和提高产品质量等优点,是取得成功的有效途径.从PCB的加工、电路板和元器件的选用、PCB布局、元器件间距及设备要求等方面分析,提出诸多可制造性设计要求.