基于GMR及TMR效应的磁随机存储器的最新应用开发

介绍了巨磁电阻（GMR）及隧道磁电阻（TMR）效应,讨论了计算机磁随机存储器（MRAM）的最新应用开发。     

CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。     

巨磁电阻薄膜及巨磁电阻随机存储器

介绍了一种基于巨磁电阻效应的全新的磁电子学器件──巨磁电阻随机存储器。     

基于巨磁阻抗效应的金属磁记忆探头研制

金属磁记忆检测是无损检测技术中一种新的检测技术,该技术的关键在于拾取铁磁构件应力集中区的微弱"纯天然"磁信号.利用非晶态合金的巨磁阻抗效应制出一种新的磁记忆探头,该探头灵敏度高,性能稳定.简单地介绍了非晶态合金的巨磁阻抗效应,较为详细地给出该探头的工作原理、结构、电路设计和实验结果.实验结果表明,这种新型金属磁记忆探头对微弱磁信号的检出效果明显,达到了磁记忆检测的要求.     

巨磁阻抗传感器应用研究最新进展

利用零磁致伸缩非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应,可制得新一类灵敏度高、响应快、功耗低、体积小的微型磁电式传感器。介绍了目前几种基于巨磁阻抗效应的传感器,包括磁场传感器、扭矩传感器、汽车交通监测系统和生物传感器等的工作原理和特性。     

铁氧体、微波磁性材料

0304957横向巨磁阻抗效应中磁导率张量的理论研究[刊]/董承远//真空科学与技术学报.—2002,22(5).—333～337(L)建立了比较完善的二维铁磁体在横向巨磁阻抗(GMI)效应中的磁化模型,采用将静态磁化过程和动态磁化过程分开计算的方法,同时考虑畴壁移动和磁畴转动两种磁化机制的影响,推导出比较完善的用于二维铁磁体横向巨磁阻抗效应理论研究的磁导率张量的表达式。参10     

镜面反射纳米氧化层自旋阀的显微结构研究

巨磁电阻 (ＧＭＲ)多层膜自发现[1] 以来 ,自旋极化电子的传输过程一直是凝聚态物理研究的热点。如何进一步改进材料 ,提高巨磁电阻效应 ,已成为自旋阀在计算机硬磁盘读出磁头等重要信息处理器件方面应用的关键问题。最近 ,通过将自旋阀的部分被钉扎层和自由层进行氧化处理 ,引入厚度约为1ｎｍ的氧化层薄膜 (ＮＯＬ ,ｎａｎｏ ｏｘｉｄｅｌａｙｅｒ) ,可成倍地提高自旋阀的巨磁电阻 (ＧＭＲ)比率[2 ] 。这一发现引起了国际自旋电子学研究领域的广泛关注[3～ 6] 。目前 ,人们普遍认为厚度为 2～ 3原子层的纳米氧化层对自旋极化电子产生镜面反…     

基于PXI和LabVIEW的巨磁阻抗测量系统

Co基非晶和Fe基纳米微晶材料中观察到巨磁阻抗效应(GMI),受国内外专家的广泛关注.为了对该效应的应用和开发作进一步研究,我们自行设计和制作了一套基于PXI和LabVIEW的巨磁阻抗测量系统.通过LabVIEW平台控制交流信号的产生和采集,由亥姆霍兹线圈提供外磁场.测试结果表明,该系统能够满足各类材料测定巨磁阻抗的要求,具有较好的重复性和较高的精度.     

曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1～40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响,当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化...     

CoAg颗粒膜巨磁阻效应的TEM研究

由于巨磁阻材料具有极高的磁阻变化率和许多其他的优良物理性能，其在磁传感器及磁阻式薄膜磁头方面具有潜在的应用价值。颗粒膜不仅具有优良的磁性能，且发现其具有各向同性巨磁阻效应，因此，巨磁阻颗粒膜材料成为近来研究的热点［１，２］。实验方法本文采用ＳＰＦ－３...     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

White organic light-emitting devices based on fac tris（2- phenylpyridine） iridium sensitized 5,6,11,12-tetraphenylnap -hthacene

We have fabricated the white organic light-emitting devices （WOLEDs） based on 4,4＇ -bis（2,2 -diphenyl vinyl）-1,1＇ - biphenyl （DPVBi） and phosphorescence sensitized 5,6,11,12,-tetraphenylnaphthacene （rubrene）. The device structure is ITO/2T-NATA （20 nm）/NPBX （20 nm）/CBP： x%Ir（ppy）3：0.5% rubrene （8 nm）/NPBX （5 nm）/DPVBi （30 nm）/Alq（30 nm）/LiF（0.5 nm）/A1. In the devices, DPVBi acts as a blue light-emitting layer, the rubrene is sensitized by a phosphorescent material, fac tris （2-phenylpyridine） iridium [Ir（ppy）3], acts as a yellow light-emitting layer, and N,N＇ -bis- （1-naphthyl）- N,N＇ -diphenyl -1, 1＇ -biphenyl-4,4＇ -diamine （NPBX） acts as a hole transporting and exciton blocker layer, respectively. When the concentration of Ir （PPY）3 is 6wt%, the maximum luminance is 24960 cd/m^2 at an applied voltage of 15 V, and the maximum luminous efficiency is 5.17 cd/A at an applied voltage of 8 V.     

Na补偿的(Na,Bi)TiO3-Ba (Zr,Ti)O3无铅压电陶瓷

研究了(1-y)(Na0.5Bi0.5)TiO3-yBa(ZrxTi1-x)O3无铅压电陶瓷,获得压电应变常数d33高达185 pC/N的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3压电陶瓷。添加0.04%摩尔过量Na2CO3的0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06Ba(Zr0.055Ti0.945)O3高性能压电陶瓷d33高达195 pC/N。研究发现添加Na2CO3添加量至0.04%摩尔,Na起到软性添加物的作用,添加量超过0.04%,Na起到硬性添加物的作用.理论解释了过量Na的这一特性.为了降低介电损耗,对0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06 Ba(Zr0.055Ti0.945)O3陶瓷进行了(Ce,Mn)掺杂改性研究。     

Synthesis,characterization of the phenylquinoline-based on iridium(III) complexes for solution processable phosphorescent organic light-emitting diodes

A new series of highly efficient Ir(III) complexes, (DPQ)₂Ir(pic-N-O), (F₄PPQ)₂Ir(pic-N-O), (FPQ)₂Ir(pic-N-O), and (CPQ)₂Ir(pic-N-O) were synthesized for phosphorescent organic light-emitting diodes (PhOLEDs), and their photophysical, electrochemical, and electroluminescent (EL) properties were investigated. The Ir(III) complexes, including picolinic acid N-oxide (pic-N-O) ancillary ligand, are comprised with the various main ligands such as 2,4-diphenylquinoline (DPQ), 4-phenyl-2-(2,3,4,5-tetrafluorophenyl)quinoline (F₄PPQ), 2-(9,9-diethyl-9H-fluoren-2-yl)-4-phenylquinoline (FPQ) and 9-ethyl-3-(4-phenylquinolin-2-yl)-9H-carbazole. Remarkably, high performance PhOLEDs using a solution-processable (DPQ)₂Ir(pic-N-O) doped CBP host emission layer were fabricated to give a high luminance efficiency (LE) of 26.9 cd/A, equivalent to an external quantum efficiency (EQE) of 14.2%.The calculated HOMO–LUMO energy gaps for (DPQ)₂Ir(pic-N-O), (F₄PPQ)₂Ir(pic-N-O), (FPQ)₂Ir(pic-N-O) and (CPQ)₂Ir(pic-N-O) were in good agreement with the experimental results.     

Maximum likelihood estimation of parameters of several continuous and discrete failure distributions

A comprehensive quantitative treatment is presented for maximum-likelihood estimation of parameters of the following continuous and discrete failure distributions: (1) Exponential, (2) Gamma, (3) Weibull, (4) Normal, (5) Lognormal, (6) Extreme value, (7) Poisson, (8) Binomial and (9) Geometric.     

一种SiGe低噪声放大器测试基座的研究

对SiGe低噪声放大器(LNA)的测试技术进行了探索,开发出适合SiGe低噪声放大器的可插拔测试基座。通过对商业样品的增益G(S21)、增益平坦度、带宽、回波损耗(S11和S22)、反向隔离度(S12)1、dB压缩点(P1dB),三阶互调节点(IP3)和噪声系数(NF)等参数的测试,验证了测试系统的准确性。对所开发的单片SiGe低噪声放大器进行了测试,获得了准确的测试数据,准确表征了SiGe低噪声放大器的性能。     

南京重工业园区周边区域地表灰尘重金属污染调查研究

针对 2020 年 9 月至 2020 年 10 月在南京钢铁集团外采集的 25 个地表灰尘样品, 使用手持式 X 射线荧光光 谱仪 (XRF) 分析其中 Cr、 Mn、 Fe、 Cu、 Zn、 Hg、 Pb、 Sr、 Zr、 Mo 这 10 种重金属元素含量, 运用统计学方法、单 因子指数、地累积指数对研究区土壤重金属污染程度进行评价, 并采用正定矩阵因子分解模型解析了重金属污染源。 结果表明, 地表灰尘重金属平均含量为: Cr (260±14 mg·kg−1)、 Mn (1550±22 mg·kg−1)、 Fe (165000±1000 mg·kg−1)、 Cu (67±9 mg·kg−1)、 Zn (600±13 mg·kg−1)、 Hg (16±6 mg·kg−1)、 Pb (102±7 mg·kg−1)、 Sr (275±10 mg·kg−1)、 Zr (302±5 mg·kg−1)、 Mo (13±3 mg·kg−1), 地累积指数平均值为 2.13, 区域整体呈中度污染, 其中 Hg 为严重污染, Mo 为重污染, Zn 为中度污染, Cr、 Fe、 Pb 为偏中污染, Mn、 Cu、 Sr 为轻度污染, Zr 无污染。研究区西北部及北部为重金属含量高 值区, 地表灰尘中重金属有较多富集。源解析分析表明研究区内地表灰尘重金属有 3 个主要来源: 一是工业排放源, 二是自然源及生活源, 三是机动车排放源。其中工业排放源为主要来源, 对重金属的贡献率为 49.3%; 其次为自然源及 生活源和机动车排放源, 贡献率分别为 30.7% 和 20.0%。     

基于FHQZn发光的新结构有机黄光器件

利用一种新型材料(E)-2-(2-(9H-fluoren-2-yl)vinyl)quinolato-Zinc(FHQZn)制备了一种新结构的黄光OLED,器件的结构为:indium-tinoxide(ITO)/4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)(15nm)/FHQZn(xnm)/4,4′-bis(2,2′-diphenylvinyl)-1,1′-biphenyl(DPVBi)(20nm)/2,2′,2″-(1,3,5-phenylene)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole-(TPBi):6%factris(2-phenylpyridine)iridium(Ir(ppy)3)(45nm)/LiF(0.5nm)/Al,FHQZn作空穴传输层和黄色发光层,DPVBi作空穴阻挡层,TPBi中掺杂Ir(ppy)3作电子传输层;研究了发光层FHQZn的厚度对该器件的发光性能的影响。当FHQZn厚度x=25时,得到了效率和亮度最大的黄光器件,最大电流效率为1.31cd/A(at13V),最大亮度为5705cd/m2(at14V),此时色坐标为(0.4,0.5516)。     

钕离子1.3μm波段放大特性和浓度猝灭研究

为了研究Nd3+的摩尔分数对1.3μm处荧光的影响,采用常规的熔融方法制备了钕离子掺杂的0.70TeO2-（0.30-x）WO3-xNd2O3(摩尔分数x为0.001,0.003,0.005,0.007,0.01）玻璃系统,得到了Nd3+ 1.3μm荧光光谱,同时还研究了荧光峰值波长的有效线宽和受激发射截面与Nd3+摩尔分数的关系。根据Dexter能量转移理论计算了Nd3+在碲酸盐玻璃中能量转移参量Cd,d(4F3/2,4I9/2→4I9/2,4F3/2)和Cd,a(4F3/2,4I9/2→4I15/2,4I15/2和4F3/2,4I9/2→4I13/2,4I15/2)值和相应发生浓度猝灭的临界距离Rd,d和Rd,a。结果表明,随着Nd3+的掺杂摩尔分数增加,荧光强度也逐渐增加,到0.005时达到最大;随后当Nd3+的摩尔分数大于0.005时,荧光强度逐渐降低。     

Zr0.8Sn0.2TiO4微波介质陶瓷材料的掺杂改性

以Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 作为主配方 ,以ZnO ,La2 O3,Fe2 O3和NiO作为改性剂 ,采用传统陶瓷制备工艺 ,对其进行了掺杂改性的初步探索。在优选的配方和工艺条件下 ,得到Zr0 .8Sn0 .2 TiO4 添加0 .5wt%ZnO(即质量分数为 0 .5 %的ZnO)的相对介电常数εr≈ 33.2 31,品质因数Q≈ 5 5 2 8(7GHz) ;添加 0 .5wt %ZnO ,0 .5wt?2 O3和 0 .2wt%NiO ,其εr≈ 33.73,Q≈ 5 2 5 4(7GHz) ;添加 1wt%ZnO和 0 .5wt %La2 O3,材料的εr≈ 37.996 ,Q≈ 4 72 3(7GHz)。