集成电路封装小辞典

封装缩写缩写词释义外形特点安装特点BEAML梁式引线封装射频模块外形射频安装CAN金属壳封装标准外形通孔安装DIMM双列直播存储器型组件模块化外形通孔安装DIP双列直插式封装标准外形通孔安装SDIP收缩型双列直插式封装标准外形通孔安装DIP一tab带散热片的双列直插式封装标准外形通孔安装DPAK小外形表面安装小外形表面安装FP扁平封袭标准外形表面安装FPLL引脚扁平封装标准外形表面安装JDIP“丁”引脚双列封装标准外形表面安装LDCC引线载体芯片载体外形表面安装LLCC无引线载体芯片载体外形表面安装PLCC塑料无引线载体芯片…     

模拟专用集成电路的封装技术

本文介绍了在模拟专用集成电路封装设计中的封装可靠性、技术可行性及其电性能和热性能等,概述了ASIC的主要封装形式:无引线陶瓷芯片载体、阵列式封装、多层封装和大腔体封装以及采用的主要封装技术。最后,简要介绍了我所模拟专用集成电路封装方面的工作。     

封装热建模的新标准和技术

在半导体产业中．微型化、高性能和多功能的趋势要求降低封装和芯片级的热设计裕度。预计JEDEC将在今年夏天发布新的集约热建模标准，这些标准与更先进的建模技术一起，将有助于解决未来芯片和封装设计所面临的挑战。     

表面组装无引线陶瓷芯片载体的热分析

应用有限元热分析技术，对表面组装无引线陶瓷芯片载体组装到印制电路板的结构进行了热３分析，得到了芯片不同粘合方式与不同冷却条件下该结构的温度场分布，从中提取出无引线陶瓷芯片载体的热阻网络及热阻值，并将计算结果与国外实验结果相对比，符合良好，本文所构造的热模型可用于产体集成电路芯片封装结构的优化设计，也为电子组装热设计提供了详细的数据。     

中国第一代用于LSI的无引线陶瓷芯片载体

本文介绍了我国首批设计定型的三种用于LSI的无引线陶瓷芯片载体LC68A、LC68B和LC44B。文章叙述了芯片载体的设计考虑、工艺概况、达到的水平和使用结果。     

用四边引线和方片载体方法使高密度封装向更高密度发展

正是由于电路封装主要是依靠在芯片上更多的互连。所以它不是象在印刷电路板上作较少的连线。芯片电路和印刷电路继续沿着这种方向达到更高的密度。为了制作这种高密度封装管壳销售厂终于得到了一些可采用的方法,其中有两种值得注意的方法是:四侧引线封装(简称QUIP)和陶瓷方片集成电路载体。 采用LSI大尺寸塑料和陶瓷双列直插式封装(DIP)已经很久了,由JEDEC标准化的尺寸为48腿、64腿的管壳,管脚间隙为0.1吋。但是在1985年以后,超大规模集成电路芯片含有100000个或者更多的半导体器件,这将需要比现在的DIP具     

微系统三维(3D)封装技术

文章论述塑料三维(3D)结构微系统封装技术相关问题,描述了把微电机硅膜泵与3D塑料密封垂直多芯片模块封装(MCM-V)相结合的微系统集成化。采用有限元技术分析封装结构中的封装应力,根据有限元设计研究结果,改变芯片载体结构,降低其发生裂纹的危险。计划采用板上芯片和塑料无引线芯片载体的替代低应力和低成本的3D封装技术方案。     

无引线封装高温压力传感器

研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成;采用绝缘层上硅(SOI)材料取消了敏感电阻之间的pn结,有效减小了漏电,提高了传感器的稳定性;用多层复合电极替代传统的铝电极,并应用高掺杂点电极技术,提高了传感器使用温度。封装时,将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合;在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔,将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接,形成无引线封装结构。采用无油封装方法,避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析,并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试,测试结果与设计相符,其中传感器的测量范围为0~0.7 MPa,非线性优于0.2%FS,工作温度上限可达450℃。     

英飞凌推出创新型H-PSOF封装技术

英飞凌科技股份公司近日推出一种创新型封装技术,为纯电动汽车和混合动力汽车等要求苛刻的汽车电子应用带来更大的电流承受能力和更高效率。新推出的TO封装符合JEDEC标准H—PSOF（散热型塑料小外形扁平引线）。首批推出的采用H—PSOF封装技术的产品是40VOptiMOSFET2功率晶体管,它们的漏极电流高达300A,导通电阻（RDS（on））低至0．76毫欧。     

基于PDP扫描驱动芯片的LQFP封装热特性研究

研究了LQFP封装的96路等离子平板显示(PDP)扫描驱动芯片的封装热特性,利用有限元法对所建立的封装模型进行数值求解,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的可靠性与准确性。研究表明,在集成电路封装设计中,增大散热基板面积、优化引线框架、提高封装热导率,对于散热性能的提高非常有效,而在外围设计中,增大印制电路板(PCB)有效覆铜面积、增加PCB有效过孔数、在芯片顶部添加散热片、加大空气流速都可使芯片散热能力显著增强。     

BGA管壳的射频测试与它的射频特性

<正> 由于可减少互连引线的长度,在高密度、高I/O数和高频应用等领域BGA封装已逐渐取代了引线框架式封装。相对于引线框架封装而言,无论是封装效率还是可靠性,BGA封装都有着明显的优势,进而促使人们对BGA封装做更加深入的研究。 芯片、封装设计一体化以及系统级封装已成为广泛使用的专业术语,但对其内涵的理解仍有较大的争议。由于系统封装是管壳等元件组成的有机整体,因而对其在微波条件下的特性进行准确的测试是保证其在射频条件下能否应用的关键。     

微电子封装的现状及发展

一、前言目前微电子产业已逐渐演变为设计、制造和封装三个相对独立的产业。由于微电子封装业相对于其它两个产业要求投资少、技术低、劳动力密集、厂房大、投资收益快等特点，因此正在我国迅速发展。二、微电子技术推动封装的发展微电子技术的迅猛发展，集成电路复杂度的增加一个电子系统的大部分功能都可集成在一个单芯片内（即片上系统），这就相应的要求微电子封装具有更高的性能、更多的引线、更密的内连线、更小的尺寸或更大的芯片腔、更大的热耗散能力、更好的电性能、更高的可靠性、更低的单个引线成本等根据美国半导体工业协会等所…     

片式引线框架镀银设备的研制

引线框架的主要功能是为芯片提供机械支撑载体,并作为导电介质连接IC外部电路,传送电信号,以及与封装材料一起,向外散发芯片工作时产生的热量.在介绍引线框架在IC封装中的作用基础上,主要介绍了片式引线框架镀银设备的工作原理、主要结构及控制系统,同时简单阐述了引线框架材料、技术现状及发展趋势.     

陶瓷LCC散热片规格的确定

半导体工业愈来愈关心复杂微电路的热控制。为了保证可靠的工作,排除来自电路的热量是极端重要的。设计工程师需要掌握各种散热片的资料和数据,才能够确定满足特殊散热要求的元件。 在过去的几年里,由于新一代VLSI器件对IC封装的电气和空间方面的限制,陶瓷无引线芯片载体(LCC)已成为双列直插式管壳(DIP)的很有希望的替换物。合理封装,正向更大和更复杂的芯片、更多的输入/输出,更高的功耗和多芯片管壳的方向发展。     

应用陶瓷印刷电路板的时代已经到来

<正> 一、引言表面安装技术(SMT)近年来对高可靠军用封装和互联具有很深远的影响。自70年代末期到现在,无引线芯片载体(LCC)一直被广泛认为是可靠性最高、性能最佳的一种封装。遗憾的是,封装的可靠性问题曾一度从LCC本身转移到板的互联。在热循环过程中,VLCC和常用的印制电路板材料之间的热膨胀系数(TCE)的失配将会导致焊接的失效。目前,我们认为采用陶瓷印刷电路板是解     

改造无引线插座CSP封装

无引线插座封装（LLP） LLP是一种“无引线插座封装”,这种封装的表面并无凸出的管脚,其焊盘不加掩蔽,并与封装底部对齐,因此可以令封装体积更为小巧。只要将连接管芯的无掩蔽焊盘焊接到电路板上,便可为芯片提供一条导热管道,让热能可以由封装传导至印刷电路板,确保封装可以发挥卓越的散热性能。     

国际整流器公司最新SMD-0.5封装在有限空间内提供更强的功率

国际整流器公司(International Rectifier)推出全新的SMD-0.5封装,其功率担当能力是传统18脚无引线芯片载体(Leadless Chip Carrier)的两倍,可替代目前流行的TO-39、TO-257及LCC封装。 新产品适配3号芯片,适用于各种抗辐射RAD-HARD MOSFET、     

JEDEC试验条件对新一代封装可靠性的影响概述

为了验证在各种温度和湿度条件下的封装性能，电子行业界一直广泛地采用JEDEC标准。对低管脚数、高密度封装的各项要求，推动了新一代封装的蓬勃发展，从而替代各类方形扁平封装，封装尺寸一直急剧地缩减。无铅焊料的应用使封装的回流焊温度比以前显著地提高，因此，对这些封装的JEDEC试验标准需要重新评定。本文论述了湿度扩散分析、热传递分析和基于力学的界面断裂热机分析。研究了不同的回流焊分布图。由于较小的封装尺寸和较高的回流焊温度，新一代封装对回流焊参数诸如峰值温度和冷却率更敏感。对新一代封装的可靠性试验而言，为了确保这些封装不受以前JEDEC副本的影响，并且比其更精确，修改JEDEC试验标准是必需的。     

封装、互连、连接器组件

Remtec密封无引线陶瓷SMT封装Remtec公司推出无引线陶瓷SMT密封封装,用于PCB直接安装。Remtec无引线SMT芯片载体,现在有完全密封(到10-8)型号,采用独特的过孔插入的“卷绕”互联,密封填充过孔和集成的无源器件。通过过孔低阻抗(1mΩ)插入实现低RF损耗(4GHz时低于.1dB)。包裹和塞紧的过孔适于接地和信号连接;SMT封装可从DC到32GHz工作。过孔的高热传导性(大于200W/M×°C)导致低热阻路径,以此来进行热管理。由晶片尺寸和陶瓷基底厚度可得,热阻只有1-2°C/W,甚至可以更低。陶瓷结构易于塑造,采用PCTF技术在上面镀铜厚膜,可以使…     

起步中的载带自动键合技术(TAB)

<正> 载带自动键合(TAB)是一种封装技术,该技术使用了一种覆有金属引线框架的聚酰亚胺带。裸露的芯片被键合到内引线框架上,而键合好的引线框架/管芯或是被单个地置于载体上或是被送到卷带上的定位/键合装置上。图1是一个装在典型的内引线框架上的单个载带自动键合的示意图。 TAB、带式封装、微封装和PILL封装的引线均不穿过电镀通孔(PTH),这一点与SMT相似。不同的是,SMT的典型间距在0.020～0.050in之间,而载带引线则在0.008～0.020in之间,属于精细间距技术(FPT)。