一种1GHz多频带压控振荡器的设计

基于3.3V 0.35μm TSMC 2P4M CMOS体硅工艺,设计了一款1GHz多频带数模混合压控振荡器.采用环形振荡器加上数模转换器结构,控制流入压控振荡器的电流来调节压控振荡器的频率而实现频带切换.仿真结果表明,在1V～2V的电压调节范围内,压控振荡器输出频率范围为823.3MHz～1.061GHz,且压控振荡器的增益仅有36.6MHz/V,振荡频率为1.0612GHz时,频率偏差1MHz处的相位噪声为-96.35dBc/Hz,在获得较大频率调节范围的同时也能保持很低的增益,从而提高了压控振荡器的噪声性能.     

一种基于0.18 μm CMOS工艺抗辐照压控振荡器

采用0.18 μm CMOS工艺,设计了一种抗辐照压控振荡器。分析了总剂量辐照下普通压控振荡器输出频率出现较大偏差甚至失效的原因。针对辐照下NMOS管的泄漏电流,提出了漏电流补偿技术。基于该技术,提出了一种工作频率在0.5~1 MHz的抗辐照压控振荡器。仿真结果表明,与普通压控振荡器相比,该压控振荡器在输出频率和占空比的稳定性与准确性方面有较大提升。     

X波段混合集成电调压控振荡器

本文介绍了一种高度线性化的X波段耿氏管压控振荡器(VCO)。文中讨论了使VCO线性化的电抗补偿原理并给出了用多节电抗网络补偿的VCO设计实例。实验结果为:在600MHz的频宽内,其线性度优于0.8％,电调斜率比小于1.2。     

带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器设计

基于UMC 65 nm CMOS工艺,设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明,压控振荡器输出频率范围为735~845 MHz;在温度补偿下,温度变化从-60~100oC时,振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz;当振荡频率为790 MHz时,在偏离其中心频率1 MHz处,压控振荡器的相位噪声为-99 d Bc/Hz;1.2 V电源供电情况下,压控振荡器的功耗为0.96 m W;版图面积约为0.005 mm2。     

电路设计参考资料

压控振荡器及其工作原理压控振荡器顾名思义就是输出的振荡频率随着输入控制电压变化的振荡器。众所周知的电抗管振荡器已用于短波接收机等的本振自动频率控制及调频器中。采用压控振荡器的还有自动相位控制电路,以及遥测装置中作为电压-频率变换器的传感器等许多方面,目前通讯工程的各个领域也正在广泛采用。下面选几个压控振荡器的典型例子来说明电路及其工作原理。 (一)压控振荡器的组成及所要求的特性     

一种面向IEEE 802.11ac标准的5 GHz LC压控振荡器

基于TSMC RF 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种可应用于IEEE 802.11ac标准的5 GHz宽带LC压控振荡器。该振荡器采用了NMOS交叉耦合结构,同时采用了5位开关电容阵列以扩展调谐范围。开关电容阵列使压控振荡器的增益KVCO保持在一个较小的值,有效地降低了压控振荡器的相位噪声。后仿真结果表明,该压控振荡器在1.8 V电源电压下,功耗为9 mW,频率调谐范围为4.52~5.56 GHz,在偏离中心频率1 MHz处仿真得到的相位噪声为-124 dBc/Hz。该LC 压控振荡器的版图尺寸为320 μm×466 μm。     

微带压控振荡器设计与仿真

介绍了S波段微带压控振荡器的设计方法,并使用微波仿真软件Serenade8.5对振荡器进行仿真分析,给出了仿真和实际电路的结果。     

一种S频段微带压控振荡器的设计与实现

在对压控振荡器设计原理进行了分析的基础上,介绍了压控振荡器的设计所遵循的一般原则,详细阐述了一种基于ADS软件的S频段微带压控振荡器的设计和实现过程。经过调试验证,实验结果与用ADS软件仿真的结果一致,这种方法对从事频率源研制具有一定的理论指导意义和实际应用价值。     

高线性度X波段宽带压控耿氏振荡器

本文描述了X波段宽带压控耿氏振荡器的结构和采用并联电抗补偿改善的电调谐特性:在600～800MHz调谐范围内,最小输出功率为30～80mW,功率变化一般为1.5dB,最大和最小电调斜率比典型值不超过1.3,最佳值为1.06。其工程应用表明,该振荡器无需外部线性化电路即能满足整机要求。     

基于基片集成波导谐振器的压控振荡器设计

设计了一种基于基片集成波导谐振器的X波段压控振荡器。首先分析了串联反馈式振荡器以及基片集成波导谐振器的理论,然后在高频电磁仿真软件ADS中进行仿真和设计,并通过将变容管合理地引入谐振器,实现了电调谐的目的。最终设计完成了一个工作于X波段的基片集成波导压控振荡器。此压控振荡器与传统的介质压控振荡器(DRO)相比,具有稳定性高、平面化以及成本低的优点。由于采用了ADS中的联合仿真功能进行振荡器的设计,仿真结果的准确性得到了提高,减小了实物的调试工作量。测试结果为:工作频率为7 GHz,调谐范围为30 MHz,输出功率≥7 dBm,谐波抑制度≥22 dBc,相位噪声优于-106 dBc/Hz@100 kHz。     

New Design Approach for Wide-Band FET Voltage-Controlled Oscillators

A new, computer-assisted method, based on small-signal "S" parameters, is described for the systematic design of wide-band VCO's. The method has been applied to design 6-12-GHz and 12-18-GHz GaAs FET VCO's, and it has shown an excellent capability to predict the maximum obtainable tuning bandwidth. The tuning linearity of the VCO's has also been optimized Delta f/f <= +-0.4 percent over a 3-GHz bandwidth.     

8GHz～12GHz推-推压控振荡器设计

文章介绍了利用推-推的方法实现宽带低相噪压控振荡器,论述了其基本原理和分析方法,并利用计算机辅助设计(CAD)对该方法进行了分析。根据分析结果制作了8GHz～12GHz压控振荡器。测试结果表明,分析结果较好地反映了实际结果。推-推的方法能有效提高晶体管的工作频率,同时还可以改善压控振荡器的负载牵引能力。这种方法适用不同形式的器件,对高频率、宽频带压控振荡器的制作有一定指导意义。     

Broadband electronically tunable microstrip ring resonator filterwith negative resistance coupling

Broadband electronically tunable filters can be realised using varactor tuned ring resonators with negative resistance coupling. Broadband matching circuits must be used for negative resistance realisation and for compensating the input and output impedance variation with frequency. Circuits and simulated results for a two section 1.3 to 2.1 GHz silicon varactor tuned 50 to 70 MHz bandwidth ring resonator filter are presented     

A wide-band tuning system for fully integrated satellite receivers

The building blocks for a low-power tuning system that reduces the phase noise of integrated VCO's are described. The multimodulus prescaler, the phase frequency detector, and the wide-band charge pump have been integrated in a standard bipolar technology with 9-GHz n-p-n transistors and 200-MHz p-n-p transistors. The maximum input frequency of the multimodulus prescaler is 3.2 GHz, the maximum reference frequency of the phase frequency detector is 380 MHz, and the 3-dB bandwidth of the charge pump is 41 MHz at a reference frequency of 300 MHz. The achieved performance enables the use of fully integrated VCO's with relatively high phase noise for reception of satellite digital signals     

WiMAX系统的载波聚合技术

采用正交频分复用技术的WiMAX系统,能够显著提高频谱利用率。为了支持更高的数据速率,需要扩展传输带宽。载波聚合技术通过将多个成员载波连接在一起,能够提供更大的传输带宽。本文针对230 MHz的WiMAX系统,在对频谱使用情况进行测试的基础上,采用连续载波聚合方法,扩展传输带宽。相比离散载波聚合方法,连续载波聚合方法具有更低的系统复杂度,便于实际应用。     

带有低噪声单端转差分电路的射频增益可控放大器

为了改进传统电路中单端转差分电路的噪声性能,提高传统射频可变增益放大器的覆盖范围和步进精度,该文设计了一种带有低噪声单端转差分电路的射频增益可控放大器。该文利用噪声抵消技术降低了噪声系数,利用电容交叉耦合技术展宽电路带宽,利用输出源级跟随器的增益可调功能实现更高的步进精度。电路采用0.18 mm CMOS工艺,1.8 V供电电源,在170-870 MHz频率信号输入下,可以实现最低3.8 dB的噪声系数,55 dB的动态范围,步进精度0.8 dB,消耗14.76 mW的功耗,面积800 mm×600 mm。测试结果表明在覆盖更宽的频段范围下,该文设计的射频可变增益放大器在消耗相同功率条件下与传统的单端转差分电路相比可以达到更低的噪声系数,同时整个可变增益放大器可以提供更高的步进精度。     

超大相对孔径抛物面反射镜的补偿检验

在基于像差理论的基础上,对于超大相对孔径抛物面反射镜,提出了三片补偿镜和一片场镜的零位补偿检验方法,详细论述了补偿检验系统的设计过程,成功地设计了相对孔径为F0.6,口径为φ290 mm的抛物面反射镜的补偿检验系统,从整个设计的结果看出,检验系统的像差被很好的校正,完全达到衍射极限.     

利用Van der Pol方程分析MOS LC差分振荡器

回顾了对MOS LC差分振荡器的认识现状。通过简单的推导和Van der Pol方程现有结论,得到了交叉耦合MOS特性对振荡器性能的影响。这些结论包括:1)起振条件;2)输出幅度与参数间的解析表达式;3)振荡器输出频率与LC谐振回路和交叉耦合MOS管非线性特性影响的关系;4)过渡过程的时间常数;5)振荡器输出的谐波特性。这些结论揭示了MOS LC差分振荡器新的现象,对设计者了解振荡器的工作状态和优化设计有一定的参考意义。     

Continuous active T-gate travelling-wave transistor

In the letter experimental results are presented which show that a continuous active gate travelling-wave transistor (TWT) can be used for medium power applications in a wide bandwidth. To reduce the gate resistance, a T-gate configuration has been chosen. This allows one to extend the frequency bandwidth of such a device. Simulations have been performed using small- and large-signal models taking in addition the parasitic capacitances into account. A distributed Schottky diode has been used to adjust the phase synchronisation and therefore to achieve flat gain.<>     

一种适用于BPSK编码远距离传输的局部预加重方法

在长距离同轴电缆数据传输过程中,由于信号传输的趋附效应及信道带宽的限制,传输基带信号时,高频信号会被衰减,从而会产生严重的码间干扰,限制信号传输的速度。在不使用复杂电路的情况下,对一种基于时域脉冲宽度调制(PWM) 局部预加重技术进行研究,有效提高信号传输的速度,并以二进制相移键控(BPSK)编码信号为例,通过仿真给出了PWM预加重的最佳位置,并通过眼图观察预加重后的信号传输质量。仿真结果证明,用此方法可有效克服信号的码间干扰问题,大大延长BPSK信号在线缆中的传输的距离。