低介电常数聚酰亚胺薄膜研究进展

依据国内外低介电常数聚酰亚胺（PI）薄膜材料的专利研究情况,综述了近年来低介电常数PI薄膜的制备方法,包括引入含氟取代基、脂环结构、嵌段结构、微孔结构、无机杂化材料等方法制备低介电常数材料。同时,对低介电常数PI薄膜的研究趋势进行了展望。     

聚酰亚胺/无机纳米粒子复合材料在介电领域应用

传统的聚酰亚胺材料的介电常数范围通常在3. 0～3. 6之间,是电子电工领域应用较多的绝缘介质材料。随着相关行业技术的不断发展,对聚酰亚胺材料的要求也越来越高。目前,具有高介电常数的聚酰亚胺复合材料薄膜正越来越多地被人们研究。通过向聚酰亚胺体系内加入不同类型的无机纳米粒子,可以不同程度低提高聚酰亚胺体系的介电常数。本文列举了不同类型无机纳米粒子掺杂的聚酰亚胺复合材料的制备及表征工作,并对其应用进行了展望。     

四氟化碳等离子体处理对聚酰亚胺介电性能的影响

采用等离子体活化的方法,使用四氟化碳（CF4）气体,对印刷线路板常用基材聚酰亚胺薄膜进行了处理,将含氟基团引入到聚酰亚胺薄膜表面。通过测量材料表面的接触角、x射线光电子能谱分析等,验证了通过等离子体处理,含氟基团成功引入了聚酰亚胺薄膜表面。通过改变等离子体处理的功率及反应时间,研究了不同处理条件对聚酰亚胺薄膜介电常数和介电损耗的影响。结果显示：随着处理功率和处理时间的增加,聚酰亚胺薄膜的介电常数和介电损耗在低频区域有显著的降低（频率范围1～100Hz）。在最优条件下,聚酰亚胺薄膜的介电常数从平均2．7降至平均1．9（频率范围1～100Hz）,介电损耗正切值从平均0．145降至平均0．06左右（频率范围1～100Hz）。     

温岭市科技局引进“高性能聚酰亚胺薄膜”

正温岭市科技局引进新材料项目"高性能聚酰亚胺薄膜"落地。该项目属于浙商回归项目,主导产品为聚酰亚胺薄膜,具有耐高温、高强度、高绝缘、低介电常数和低介电损耗等优异性能,以及耐电晕、耐水解、低热膨胀等特殊功能,广泛应用于高新技术领域,其市场前景     

低介电常数聚酰亚胺材料制备方法研究进展

介绍了几种制备低介电常数聚酰亚胺(PI)材料的方法及其研究进展,包括引入氟原子降低极化率、引入硅氧烷增大自由体积、引入孔洞降低密度以及多种方法相结合共同降低介电常数等,指出了低介电常数PI制备方法的未来发展方向。     

聚倍半硅氧烷/聚酰亚胺复合材料制备及性能研究

本文以4,4'-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐为原料,制备聚酰亚胺(Polyimide,PI)薄膜。并将其与笼型倍半硅氧烷(Polyhedral oligomeric silsesquioxane,POSS),通过原位分散聚合法制备了具有低介电常数POSS/PI复合薄膜。研究了POSS填充量对POSS/PI复合材料介电、热稳定性及力学性能的影响。结果表明:掺入POSS的含量为0.5wt%时,POSS/PI复合材料的介电常数与介电损耗明显降低,热分解温度变化不大,拉伸强度略有降低。     

低介电常数聚合物材料的研究进展

论述了低介电常数聚合物材料的研究进展,着重介绍了聚酰亚胺、聚苯并恶嗪、聚硅氧烷、聚酰胺等低介电常数聚合物的研究状况。     

碳化钛/聚酰亚胺高介电复合薄膜的制备及性能研究

采用机械共混法将经硅烷偶联剂改性的碳化钛粉体掺杂入聚酰亚胺中,制备了碳化钛/聚酰亚胺复合薄膜。分析了不同碳化钛粒子含量对复合薄膜的显微结构、力学性能及介电性能的影响。实验结果表明,随着纳米TiC含量的不断升高,复合薄膜的拉伸强度呈现先上升后下降的趋势,复合薄膜的耐电击穿场强迅速下降。与此同时,复合材料的介电常数则显著提高。     

空心玻璃微球/聚酰亚胺复合薄膜的制备及性能表征

以功能性聚酰亚胺为基体,空心玻璃微球为填料,采用原位聚合法合成聚酰胺酸溶液,流延成膜,制备了不同含量的空心玻璃微球/聚酰亚胺复合薄膜,研究了不同空心玻璃微球含量对复合薄膜力学性能、介电性能和热稳定性能的影响。结果表明,空心玻璃微球的加入能够保持复合薄膜的热稳定性,其玻璃化转变温度在363℃左右;复合薄膜的弹性模量处于上升的趋势,当空心玻璃微球的质量分数为3%左右时拉伸强度达到最大;同时随着空心玻璃微球含量的增加,击穿强度依然保持在很高的数值;空心玻璃微球含量增加时,复合薄膜的介电常数出现降低的趋势,当含量达到9%时,薄膜的介电常数可以降低70%左右,同时介电损耗因数在0.05以下,表现为较为优异的低介电性能。     

聚酰亚胺PI／SiC纳米复合材料的制备及特性

通过熔胶-凝胶方法合成了用于电子封装的聚酰亚胺PI/SiC复合薄膜介电材料,并通过扫描电镜、透射电镜、红外光谱对复合薄膜进行结构表征。结果表明,聚酰亚胺PI／SiC复合材料是一种共聚物,是纳米SiC粒子均匀分散在PI基体中的复合材料体系。在4284A型阻抗分析仪上测量了材料的电容,并换算出相应介电常数,最低达ε=2．0。