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依据标准IEEE Std.1596.3-1996,提出了一种高速低电压差分信号(LVDS)发射器电路,给出电路结构、仿真数据及版图。电路采用65 nm 1P9M CMOS Logic工艺设计实现。用Spectre仿真器对发送器进行模拟仿真,仿真结果表明该发射器电路在电源电压为2.5 V的工作条件下,数据传输速率可以达到2 Gbps,平均功耗为9mW。 相似文献
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提出了一种应用于高速数据通讯的低电压差分信号(LVDS)接收器电路设计,符合IEEEStd.1596.3-1996(LVDS)标准,有效地解决了传统电路在低电源电压下不能满足标准对宽共模范围的要求以及系统的高速低功耗要求。电路采用65nm 1P9M CMOS Logic工艺设计实现,仿真结果表明该接收器电路能在符合标准的0V-2.4V的宽输入共模电平下稳定工作,在电源电压为2.5V的工作条件下,数据传输速率可以达到2Gbps,平均功耗仅为3mW。 相似文献
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用于2.5Gbps千兆以太网发接器的时钟倍频器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种电荷泵锁相环电路实现的适用于 2 .5Gbps千兆以太网发接器要求的高速时钟倍频器的设计方法。为了获得高速时钟 ,设计中采用了双环路的 VCO结构 ,并且运用动态 D触发器来实现高速分频器。同时为了使得 PLL性能更加稳定 ,对电路作了进一步改进 :在 VCO的延迟单元中加了温度补偿部分 ,又采用箝位技术消除电荷泵中电荷重新分配引入的影响。运用 UMC0 .18μm,1.8V CMOS工艺模型 ,在 Cadence的环境下用 spectre S仿真器模拟 ;结果表明设计的时钟倍频电路对于不同的 PV T( P表示工艺变化引起的模型参数的变化 ,VT表示系统工作条件温度和电源电压的变化 )均能得到符合满足 2 .5Gbps千兆以太网发接器要求的时钟倍频信号 ,即使在最坏情况下电路也能保持很好的相位跟踪特性 ,输出静态相位误差平均为 50 ps,整个电路的功耗平均为 35m W。 相似文献
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为满足点对点高速串行数据通信的需求,设计了一款适用于点对点高速串行数据通信的发送器芯片.该发送器包括产生高速时钟的内嵌锁相环倍频电路、集成8B/10B编码电路以及并串转换电路等模块.根据数模混合信号设计的特点,在电路设计上采用了CMOS、CML及BiCMOS等多种电路拓扑结构以提高芯片性能;在版图设计上采取了减小噪声耦合的措施.该发送器采用2P2M 0.6μm BiCMOS工艺实现,芯片面积2.4mm×2.5mm,陶瓷封装.测试结果表明:该发送器的逻辑功能正确,串行传输速率达400Mbpa,功耗350mW. 相似文献
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在高速时钟和数据恢复电路(CDR)中一般采用高数率比线性鉴相器(LPD)来降低鉴相器(PD)和压控振荡器(VCO)的工作频率.从电路结构的复杂度、芯片面积以及功耗三方面,对三种不同速率比LPD电路进行了分析比较;针对2.5 Gbit/sCDR电路的具体应用,分别设计了半数率比和1/4数率比LPD,均通过了功能仿真;最后比较仿真结果,在2.5 Gbit/s应用下,半数率比结构是合理的选择.电路设计采用TSMC 0.18 μm CMOS混合信号工艺,LPD电路均采用低电压高速电流模逻辑(CML)实现. 相似文献
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在光电传感器的传输接口电路中,为了实现高速实时传输,需要将大量的低速并行数据转换成一路高速串行数据。文中采用Charted 0.35μm CMOS工艺,设计了一款8×8×14bit转1路的复接器。通过分析三种复接结构的特点,确定了使用混合型并串转换电路来降低功耗和设计复杂度。低速单元采用并行结构和串行结构来降低时钟树的设计难度;高速部分采用树型结构来实现半速设计,降低功耗。具体电路包括锁存器、选择器、门控开关、分频器以及时钟缓冲器等等。芯片工作在3.3V电源电压下,最高工作速率可达1.25Gbps。 相似文献
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本文分析了TDM系统中复用器和解复用器的电路结构,通过比较各种结构之间的优缺点和应用特点,提出了10Gb/s速率工作的复用和解复用器结构及其内部所应采用的电路.进而,本文着重研究了系统中关键的同步电路,给出了具体的设计和优化方法.采用TSMC 0.25 μm CMOS 工艺,本文制作了四种不同的同步触发器并对其性能进行了比较,其中双预充电TSPC触发器可工作在4GHz.以此为基础,本文还设计了半静态结构工作在1.25Gb/s速率的10:1复用器、1∶10解复用器以及TSPC结构工作在1.5625Gb/s速率的5∶1复用器和CML结构工作在10Gb/s速率的1∶4解复用器,通过在晶片测试,其结果表明电路功能正确、工作稳定,达到了设计要求,证明了本文提出的设计方法的可行性和正确性. 相似文献
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分析了千兆以太网体系结构,给出了符合IEEE 802.3z标准中1000BASE-X规范的发送器电路结构,并采用TSMC 0.25 μm CMOS 混合信号工艺设计了符合该规范的高速复接电路和锁相环时钟倍频电路.芯片核心电路面积分别为(0.3×0.26)mm2和(0.22×0.12)mm2.工作电压2.5 V时,芯片核心电路功耗分别为120 mW和100 mW.时钟倍频电路的10倍频输出时钟信号频率为1.25 GHz,其偏离中心频率1MHz处的单边带相位噪声仅为-109.7 dBc/Hz.在驱动50 Ω输出负载的条件下,1.25 Gbit/s的高速输出数据信号摆幅可达到410 mV. 相似文献
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设计了一种内置差分信号有效性检测电路的串行低压差分信号接收器,通过对信号的差分摆幅进行比较,能够正确检测差分信号是否处于标准范围之内.采用片内阻抗匹配网络和镜像补偿型差分电路结构实现了高速串行差分信号到CMOS电平信号的转换,也克服了高速信号传输过程中的信号完整性问题.基于0.13μm CMOS混合信号工艺设计,仿真结果表明,所设计的电路能够正确检测和接收数据率高达2.5 Gb/s,差分摆幅超过200 mV的串行差分信号. 相似文献