32位计数器定时器的特性与应用

32位计数器／定时器CT3280／1用于对外设时钟（PCLK）周期或外部供应时钟周期进行计数,可在规定的时间处选择产生中断或执行其他操作,这取决于4个匹配寄存器。每个计数器／定时器还包含1个捕获输入,用来在输入信号跳变时捕捉定时器的瞬时值,也可以选择产生中断。在PWM模式下,     

化学发光反应Ba+N_2O产物BaO A~1Σ~+v｀=1→0的弛豫速率和 v｀=0的猝灭速率

我们在热管炉反应器中作了Ba/N_2O的化学发光反应,记录并分析了产物BaO(A~1∑~+→X~1∑~+)的化学发光光谱。计算了温度为993K,Ar压为0.5、2.5、5、12和24托时反应产物BaO A~1∑~+,v'=0—8的相对布居。发现,v'-1、3、6和7有异常高的布居,而 v'=0的布居极低,证明 BaO A~1∑~+态不是化学反应产物的“先驱态”以及此态存在强的微扰。根据反应的特点,建立了在具有足够量缓冲气体时 Ba/N_2O反应产物 BaO A'∑~+v'=0的布居速率方程,求得在氩气中(993K)BaO A'∑~+v'=1→0的弛豫速率常数 k_(1-0)~(Ar)为2.74×10~5托~(-1)·秒~(-1)和 v'=0的电子猝灭速率常数 k_Q~(Ar)为4.59×10~3托~(-1)·秒~(-1),在氮气中(993K)相应速率常数 k_(1-0)~N_2和 k_Q~N_2分别为5.60×10~5托~(-1)·秒~(-1)和4.09×10~(-4)托-1·秒~(-1)。在氮气中传能速率要比在氩气中的大,这是因为氮具有内自由度,使传能中能量转变为平动能的数值△E减小(传能速率随△E指数下降)。     

16位计数器／定时器的特性与应用

16位计数器／定时器主要用来计算外设时钟（PCLK）或外部供电时钟的周期,并且可根据4个匹配寄存器的值在指定时间处产生中断或执行其他操作。每个计数器／定时器都包含1个捕获输入,用来在输入信号跳变时捕捉定时器的瞬时值,同时也可以选择产生中断。     

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.     

碲镉汞光导探测器与材料性能关系探讨

本文有针对性地考察了碲镉汞3～5μm12元光导探测器平均电阻R与材料电阻率ρ的关系。碲镉汞材料主要用快速淬火固态再结晶法生长,为与其比较,也少量使用了T_e熔剂和布里奇曼法料。退火的晶片厚度约1mm,77K霍尔数据表明,N型材料占被统计数(122片)的88%,材料参数多数为n=8×10~(14)～8×10~(15)cm~(-3)、μ=1×10~3～5×10~4cm~2/     

电子和Ar_2~+的复合

本文描述了用能量约100KeV,半宽为8毫微秒的电子束脉冲电离纯Ar气,通过观察电离气体电导率的时间衰减,在1～4大气压和电子平均能量为(2.8±0.4)eV 的条件下,测定了电子-Ar_2~+ 的有效复合速率常数α_(有效)。α_(有效)值在3.79×10~(-7)厘米~3/秒到1.23×10~(-7)厘米~3/秒之间。实验结果表明,α_(有效)与Ar的密度N_(Ar)成线性关系,α_(有效)=α_2+k_pN_(Ar),其中α_2为二体离解复合速率常数,k_p为以 Ar作为第三体的三体复合速率常数。由上式我们得到α_2=(5±2)×10~(-8)厘米~3/秒,k_p=(2.4±1.4)×10~(-27)厘米~6/秒。如果将Mehr等人和Shiu等人的实验结果外推到2.8eV,其α_2值为4.4×10~(-8)厘米~3/秒,与我们的测量值十分接近。我们的三体复合速率常数k_p 也符合修正的Thomson三体复合理论所估计的值。     

干涉法测量Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的压电系数和电光系数

用干涉法首次测量了Zn(SCN)_2·2H_2O晶体的全部压电系数和电光系数。结果为:d_(14)=-8.8,d_(25)=-15.8,d_(36)=1.2(×10~(-12)C/N);γ41=4.5,γ52=6.4,γ63=0.8(×10~(-12)m/V)。     

Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性

测量了阳极氧化和ZnS双层介质结构的Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件的C-V特性。基于Kane模型并考虑了碲镉汞导带非抛物性和载流子简并效应,进行了理论计算,高频情况下还考虑了少子在反型层中的再分布。对各种组份(x=0.2～0.56)的N型和P型Hg_(1-x)Cd_xTe MIS器件进行了变频(f=20～10MHz)和变温(T=26～200K)C-V测量。对于x=0.3的器件,测得其固定正电荷密度为8～10×10~(11)cm~(-2),80K下慢界面陷阱密度为4～10×10~(10)cm~(-2),最小界面态密度为1.7～2×10~(11)cm~(-2)·eV~(-1)。     

硅中离子注入层退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文将DLTS测试技术用于低剂量B~+注入MOS结构,并给出了计算方法.对通过920(?)SiO_2膜、注入剂量为5×10~(11)B~+ cm~(-2),经480℃、15分钟热处理的样品测到了E_T-E_V=0.19eV,E_T-E_V=0.26eV和E_T-E_V=0.33eV三个深能级;对于1×10~(12)B~+ cm~(-2)注入,经常规热退火(950℃、30分钟)和红外瞬态退火(辐照源温1150℃,40秒)后分别测到了深能级E_T-E_V=0.24eV和E_T-E_V=0.29eV;对引入这些深能级的残留缺陷进行了讨论.     

斯塔克装置在激光技术中的应用

本文介绍了我们新近研制的《10.6μm双光路斯塔克盒稳频系统》。用Allan方差评定的长期稳定性为3.5×10~(10)(取样时间1s,取样次数4000),短期稳定性7.86×10~(10)。(取样时间1ms,取样次数300)。文中还介绍了我们研制的同位素~(18)CO_2激光     

GaAs和GaAs_(1-x)P_x外延沉积的多片生长系统

本文描述了在多至8个衬底上同时沉积外延层的系统。在外延层中物理和电学特性均具有高度的均匀性。片内层厚的变化低于10％,而每炉片间层厚的典型变化为±5％。GaAs_(1-x)P_x薄层的组分变化无论是在片内或是每炉片间均低于±1％。用几种技术测定的电学数据表明片内和每炉片间具有极高的掺杂均匀性。对于轻掺杂的GaAs薄层在300°K下的迁移率>6000厘米~2/伏·秒,而且>7000厘米~2/伏·秒的迁移率也经常获得。本文中叙述了载流子浓度为1×10~(15)/厘米~3至3×10~(19)/厘米~3的n型和5×10~(16)/厘米~3至5×10~(19)/厘米~3的P型的材料制备工艺。     

InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s     

基于WinDriver KernelPlugIn + Windows 2000 DDK实时中断技术的研究

从工程应用的实际出发,介绍基于KernelPlugIn和DDK技术实现Windows 2000环境下的实时中断处理,详细分析在Windows 2000环境下实现高精度定时中断的工作机制和Windows 2000工作时钟与中断时钟的关系。并利用PC机现有的硬件资源系统时钟定时器和并行端口,在内核模式下通过修改系统定时器的分频值来改变中断周期。由标志变量周期性地改变并行数据端口的电平输出,通过示波器输出来分析实际输出结果,最后根据试验情况以表格的形式给出具体的中断周期数据。     

倍频器相位变化的测量

本文给出了原子频标中的一种倍频线路。作者设计了相位测量系统和单边带多周期测量系统。用这些系统测定了倍频器的相位漂移和相位噪声。测量表明,温度从30℃升至50℃时,×18倍频器的90MHz输出的相位变化为14°;电源电压从20V升至22V时,相位变化为4.7°;取样时间τ=1s时,倍频器6840MHz输出由相位噪声引起的频率误差σ_τ=1.1×10~(-12),τ=10s时,σ_τ=3.9×10~(-13)。     

简并Hg_(1-x)Cd_xTe半导体的费密能级和Burstein-Moss效应

当半导体的费密能级进入导带,本征光吸收边就会向短波方向移动,这就是Burstein-Moss效应。对Hg_(1-x)Cd_xTe半导体尚未见到有关研究报道。我们采用三个不同组份、高电子浓度的Hg_(1-x)Cd_xTe薄样品:x=0.165,N_D~*=4×10~(16)cm~(-3),d=10μm;x=0.17,N_D~*=5.85×10~(15)cm~(-3),d=9μm;以及x=0.194,N_D~*=2.2×10~(16)cm~(-3),d=24μm。采用PE983红外分光光度计在5～33μm波长范围和77～300K     

半绝缘InP注硅的无包封退火

掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.     

用电子束微探针测定Cd_xHg_(1-x)Te的均匀度和克分子浓度x

1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(-1)(λ=10微米)、时间常数τ≤1微秒的探测器,工作温度T=77K时,得用载流子浓度n<10~(15)厘米~(-3)、霍尔迁移率μ_H>100000厘米~2·     

Cd0.95Fe0.05Te能隙的温度和压力效应

采用金刚石对顶砧高压装置测量了半磁半导体Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te光吸收边的压力效应,得到其一级和二级压力系数分别为α=8.2×10~(-11)eV/Pa和β=-7.7×10~(-21)eV/Pa~2;测量了不同温度下的Cd_(0.95)Fe_(0.05)Te吸收谱,得到其能隙温度系数为α=-4.4×10~(-4)eV/K。此外,在低温下发现了一个Fe~(2+)吸收峰,根据晶体场理论判定为Fe~(2+)的~5E→~3T_1跃迁吸收峰。     

高探测率的GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器

探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为77 K,峰值电压响应率 R_v= 9.7× 10~5V/W,峰值探测率 D~*= 6.2 × 10~(10)cmHz~(1/2)/W.     

钪酸盐阴极的研制及应用

本文介绍了大电流密度钪酸盐阴极的制造工艺。采取共沉淀法,解决了关键工艺—S_(c2)O_3溶于酸的问题。此工艺制备简便、稳定、性能良好。直流发射1000℃大于10安/厘米~2;直流温度补偿数据900℃大于10安/厘米~2;脉冲发射在 f=100周/秒,τ=50微秒时,1000℃大于48.5安/厘米~2,二次发射σ=3.5,活性物质蒸发1000℃时1.2×10~(-10)克/厘米~2秒。