1064nm RCE探测器光电响应特性分析

对1064nm谐振腔增强型（RCE）光电探测器(PD)的光电响应特性进行了分析研究．利用MBE生长技术得到有源区分别为量子阱和量子点的1064nm RCE探测器的外延片,并对制作的探测器进行了各种光电特性测试．结果表明量子阱结构的RCE探测器量子效率峰值达到57%,谱线半宽6～7nm,峰值波长1059nm;而量子点结构的RCE探测器量子效率峰值达到30%,谱线半宽5nm,峰值波长1056nm．通过分析量子效率和吸收系数之间的关系,对两种结构器件的吸收进行了比较,发现虽然量子点探测器的吸收小,但通过合理设计共振腔等方法也可以达到较高的量子效率．两种结构的器件都有很好的Ｉ-Ｖ特性．     

GaAs/GaInNAs多量子阱谐振腔增强型长波长光探测器

报道了一种具有高速响应特性的GaAs基长波长谐振强增强型(RCE)光探测器,它采用分子束外延技术(MBE)在GaAs衬底上直接生长GaAs/AlAs布拉格反射镜(DBR)和GaInNAs/GaAs多量子阱吸收层而形成,解决了GaAs系材料只能对短波长光响应的问题,实现了GaAs基探测器对长波长光的响应。该器件在峰值响应波长1296.5nm处获得了17.4%的量子效率,响应谱线半宽为11nm,零偏置时的暗电流密度8.74×10-15A/μm2,具有良好的暗电流特性。通过RC常数测量计算得到器件的3dB带宽为4.82GHz。     

多量子阱RCE光探测器的响应及调谐特性的实验研究

报道了在国内首次研制成功的 Ga As/ A1Ga As材料系的多量子阱结构的谐振腔增强型(RCE)光探测器。实验测得器件的响应具有明显的波长选择特性 ,其峰值响应波长位于 84 3nm附近 ,半峰值宽度 6 .96 nm,并初步观察到了器件的电调谐特性。经进一步优化改进 ,该器件有望成为窄线宽、可调谐的新型解复用型光探测器。     

垂直入射Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .     

基于VCSEL的RCE探测器光电响应特性

对垂直腔面发射激光器（VCSEL）及由此制成的谐振增强型（RCE）光电探测器进行分析研究，激光器的Ith=3mA,ηd=15%,λp=839nm，和Δλ1／2=0．3nm，具有良好的波长选择特性，量子效率5％－35％（0V－5V），优化设计顶镜反射率，还能得到量子效率峰值和半宽优化兼容的VCSEL基RCE光电探测器。     

GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究

通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.     

GaAs基量子阱谐振腔增强型光电探测器特性研究

通过对谐振腔增强型(RCE)光电探测器的理论分析和实验测试结果,证明对应不同光束入射角度,RCE光电探测器的模式波长按一定规律可调谐.并给出当入射角度变化10°～60°,模式调谐范围约为40nm,而谐振波长处的量子效率峰值及半高宽FWHM的变化与材料吸收系数紧密相关.     

垂直入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱光电探测器

报道了正入射Si0.7Ge0.3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果.测试了它的光电流谱和量子效率.探测器的响应波长扩展到了1.3μm以上波段.在1.3μm处量子效率为0.1%.量子效率峰值在0.95μm处达到20%.     

RCE光电探测器顶部DBR的优化

对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究,由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同,通过腐蚀VCSEL器件顶部DBR,改变顶镜反射率,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的RCE光电探测器,实现VCSEL与RCE探测器的单片集成．