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翁寿松 《电子工业专用设备》2007,36(4):17-18
2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。 相似文献
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简述了光学光刻技术在双重图形曝光、高折射率透镜材料及浸没介质、32nm光刻现状及22nm浸没式光刻技术的进展,指出了光学光刻技术的发展趋势及进入22nm技术节点的前景。 相似文献
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浸没式光刻的优势和可行性 总被引:5,自引:2,他引:3
SoichiOwa HiroyukiNagasaka 《电子工业专用设备》2004,33(2):10-14,18
浸没式光刻通过高折射率的液体充入透镜底部和片子之间的空间使光学系统的数值孔径具有显著的优势。在193nm曝光系统中,水(折射率为1.44)被选作最佳的浸入液体。通过成像模拟,现已证明ArF穴193nm雪浸没式光刻(NA=1.05~1.23)与F2穴157nm雪干法穴NA=0.85~0.93雪光刻具有几乎相同的成像性能。结合流体力学和热模拟结果,讨论了ArF浸没式曝光设备的优势和可行性。 相似文献
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Takayuki Uchiyama Takao Tamura Kazuyuki Yoshimochi Paul Graupner Hans Bakker Eelco van Setten Kenji Morisaki 《电子工业专用设备》2007,36(11):8-15
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同干法光刻技术比较起来改善了关键尺寸一致性(CDU)又避开了必需而强硬的分辨率提高技术(RET)。因此利用浸没式光刻技术能够有效地减少光学邻近校正(OPC)的麻烦。就成像技术而言,我们研究了光刻技术对畸变的敏感性和浸没式光刻技术光源光谱带宽对强光相对曝光量对数E95波动性能的优势。去年已经见证了被认为对浸没光刻技术在批量生产中主要难题的套刻精度、缺陷控制和焦平面精度方面有效的改进。如今55nm逻辑器件的生产制造技术要求的挑战已经得到了满足。浸没光刻技术的成就包括抗蚀剂圆片内10nm套刻精度和圆片间20nm的套刻精度,每一圆片上低于10个缺陷以及在整个圆片上40nm以内的焦平面误差。我们形成了一个顶涂层抗蚀剂工艺。总之,浸没光刻技术是55nm节点逻辑器件最有希望的制造生产技术,它可提供与干法ArF光刻技术在CDU控制、套刻性能和焦平面精度方面等效的解决方案,缺陷程度没有增加。NEC电子公司今年采用浸没光刻技术完成了55nm逻辑器件"UX7LS"的开发和试生产并形成这种UX7LS的批量生产光刻技术。 相似文献
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随着芯片特征尺寸的持续缩小.IC制程的革新上演着一幕幕改朝换代的传奇故事。轻松的如铜互连PK铝互连,艰难的有LowK、HighK材料部分替代SiO2。其中最富戏剧性的莫过于193nm光刻技术对157nm光刻的绝地大反击。2002年以前.业界普遍认为193nm无法延伸到65nm制程.而157nm将成为主流技术。而如今浸没式光刻不但帮助193nm重拾信心并成功延伸至65nm制程,且193nm浸没式光刻迅速成为45nm制程的主流技术.并极可能继续向下延伸。 相似文献
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Aaron Hand 《集成电路应用》2008,(5):I0001-I0001,I0004
尽管在45nm技术节点上,绝大部分的芯片制造商都将采用侵没式光刻技术,但是对于32nm而言,哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中,一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而,之前针对这项技术的研究并不乐观。 相似文献
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从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展 总被引:1,自引:0,他引:1
从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。 相似文献
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45nm工艺与先进的光刻设备 总被引:2,自引:1,他引:1
翁寿松 《电子工业专用设备》2006,35(9):1-6
2006年是65nm芯片量产年和45nm芯片首推年。193nmArF浸没式光刻机将在量产65、45、32nm芯片中大显身手、大展鸿图。 相似文献
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157nm光刻技术的进展 总被引:1,自引:0,他引:1
概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。 相似文献
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193nm浸入式光刻技术独树一帜 总被引:6,自引:2,他引:4
翁寿松 《电子工业专用设备》2005,34(7):11-14
介绍了193nm浸入式光刻机和193nm光刻胶的最新发展动态以及下一代193nm浸入式光刻机。 相似文献
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亚65 nm及以下节点的光刻技术 总被引:2,自引:0,他引:2
由于193 nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65 nm和45 nm节点首选光刻技术.配合双重曝光技术,193 nm浸入式光刻技术还可能扩展到32 nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降.随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32 nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战.对于22 nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择. 相似文献
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概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。 相似文献