Si基微波单片集成电路的发展

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展。介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用。最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景。     

1993年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介

１９９３年国际微波会议和微波毫米波单片集成电路会议简介ＡＧｌａｎｃｅａｔｔｈｅ１９９３ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅＳｙｍｐｏｓｉｕｍａｎｄＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＭｉｃｒｏｗａｖｅ＆ＭｉｌｌｉｍｅｔｅｒＷａｖｅＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＩ...     

资讯书坊

单片射频微波集成电路技术与设计单片射频微波集成电路技术与设计内容提要:RFIC和MMIC技术为许多微波/毫米波通信、雷达、传感等系统提供了关键的核心元器件。     

MMIC和RFIC的CAD

微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用。     

MM工C和RFIC的GAD

微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在.本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用.     

1984年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会

<正> 1984年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会于5月29日至6月1日在美国旧金山市召开,会议共发表论文168篇。论文内容包括:微波与毫米波单片集成电路(包括控制、信号处理、放大与振荡等)、FET放大器、FET振荡器的噪声和频率稳定、崩越管和双极晶体管振荡器、半导体控制和频率变换、滤波器、MIC技术、毫米波技术和应用、毫米波混频器、微波与毫米波测量、光与亚毫米波技术、平面传输线结构、介质波导、声与磁器件、微波生物效应等。与会议同时举行的还有毫米波测量等三个专题分会和微波工业应用等七个讨论会。国际微波会议是一年一度的微波技术交流盛会,它集中反映了一年来微波领域的新成就、新技术、新动向。会议组织者为了配合会议的召开,还举办了一个规模很大的微波工     

1986IEEE MTT—S国际微波会议征文

会议地址:Baltimore,Maryland(美国) 会议日期:1986年6月2至4日征文内容: ·微波生物效应和医学应用·计算机辅助设计·固态器件与电路·微波系统·砷化镓单片集成电路     

砷化镓单片集成电路CAD设计中心

南京电子器件研究所砷化镓单片集成电路 CAD设计中心拥有 HP、SUN等工作站系统及微波电路设计软件 ,如 HP EEsof、CADENCE、COMPACT,及电磁场仿真工具 ,如 Ansoft、IE3D等 ,并拥有微波器件模型表征软件 IC- CAP及相应的全套微波在片测试系统。目前已承担和完成几十项国家重点课题 ,具有微波单片集成电路设计、器件模型提取及建库、版图设计、CAD软件开发等综合能力。砷化镓单片集成电路CAD设计中心     

第二届微波集成电路及工艺学术交流会简况

<正> 全国第二届微波集成电路及工艺学术交流会与新材料、新器件、新设备展示会于1988年11月10日至15日在福建省泉州市召开,六十多个单位的代表84人,进行了微波集成电路设计与研制的学术交流。 大会报告反映了微波集成电路设计和工艺发展的新趋向,代表半导体集成电路高新技术的砷化镓微波单片电路和片式微波元件受到人们的注意。南京电子器件研究所报告的“微波单片集成电路设计中的一些考虑”和“单片电路、场效应管生产技术和成品率”两个题目,介绍了下一代微波产品的概貌,并追溯技术演进历史,论述了设计概貌和制备特征。单片电路完全立足于半导体工艺,可以实现良好性能、合理的成品率与可接受的价格三者结合。胡南山所作的报告“片式元件及其在微波集成电路中的应用”综述了片式元件从低频发展到高频应用的现代技术趋向,其优点是使电路简化,成本降低,更加适合微波电路大量生产与推广应用,必将推动混合集成电路的设计和制备向片式形态发展。     

1997年IEEE GaAs IC国际会议简介

1997年第19届IEEE砷化锌集成电路国际会议于1997年10月12日至15日在美国加州的阿纳海姆（Anaheim）召开。本次会议发表论文以篇，包括16篇特邀报告及4篇最新进展报告。其中美国35篇，欧洲12篇，亚洲17篇（日本15篇，中国台湾和新加坡各一篇）。内容涉及GaAs技术的各个领域，包括微波单片集成电路（23篇），高速数字集成电路（16篇），光通信（9篇），集成电路工艺（6篇），毫米彼单片集成电路（6篇），可靠性技术（4篇）等，其中涉及无线通信领域的GaAs单片电路技术有16篇。由此可知，会议的重点仍是无线通信、高速数字电路和光通信。以…     

Ku频段微波宽频带固态功率放大器

本文对用微波宽带功率单片集成电路的功率合成技术和实现方法进行了讨论,并用 Ku 波段宽带微波功率单片集成电路合成出功率大于 200W、频带宽度大于 30%Ku 波段固态放大器。对合成中的关键技术进行了分析。     

1987年国际MMIC和MTT会议简况

<正> 1987年6月7日至12日在美国内华达州Las Vegas市举行了微波/毫米波单片集成电路(MMIC)和微波理论与技术(MTT)的国际学术讨论会。在会议的同时还举办了有270家公司参加的微波产品展览会和微波历史展览。会议规模很大,据“Microwave Journal”报导,有7000多人参加会议。这是近几年来该学术领域规模最大的一次会议。     

微波集成电路的发展趋势北大核心CSCD

回顾了第一代波导立体电路、第二代微波混合集成电路和第三代微波单片集成电路与多芯片组件的发展,介绍了第四代片上系统、系统级封装和封装级系统,对比总结了各自的关键技术、特点和应用,并对微波集成电路今后的发展趋势做出展望。     

微波单片集成电路放大器的全局电磁仿真

发表了利用矩量法对含有有源器件的单片微波集成电路放大器进行全局电磁仿真的方法。对于共面波导运用对偶原理和矩量法进行仿真后,对单面单片微波集成电路放大器也可进行全局电磁仿真。电路实例的仿真结果表明了此全局电磁仿真方法的可行性及有效性     

硅双极晶体管和集成电路继续在发展

硅双极晶体管是现在公认的最佳微波器件,被广泛用于直到6GHz的各种小信号和功率放大器以及直到18GHz的振荡器。制造技术的较大进步使成本显著降低,同时改善了分立硅晶体管的均匀性,使应用于1GHz以上频率的实用的微波单片集成电路(MMIC)和高速数字集成电路能大批生产。本文提供了市售微波晶体管的设计、一般特性和性能的概述,并且给出能用于微波频率的实际硅单片集成电路状况的最新资料。     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理,测试方法和自动测试程序。     

MMIC微波S参数测试

阐述了单片微波集成电路测试系统的工作原理、测试方法和自动测试程序。     

砷化镓微波单片集成电路可靠性预计模型研究

在对微波单片集成电路（MMIC）的失效模式和失效机理进行分析的基础上，提出了砷化镓微波单片集成电路（GaAsMMIC）的可靠性预计数学模型，并通过加速寿命试验确定了产品的基本失效率和预计模型温度系数πT0在大量统计工艺数据和文献数据的基础上，获得了可靠性预计模型中的其它系数。     

1983年国际微波讨论会与微波和毫米波单片集成电路讨论会

<正>1983年国际单片集成电路和微波技术讨论会于5月30日至6月3日在美国波士顿召开,大会共发表论文189篇.其主要内容有:微波及毫米波单片集成电路、微波滤波器及无源网络、近毫米波技术、毫米波固体器件、微波生物效应、GaAs FET放大器和振荡器、毫米波集成电路、声表面波滤波器、GaAs FET在整机系统中的应用、波导结构中的新效应、微波系统、Impatt二极管功率合成器、MIC微波测量、半导体控制电路、微波集成电路、微波通讯系统、低噪声接收技术、场理论等近20个方面.包括了微波领域中的主要新成就、新技术及新动向,是一年一度的微波技术盛会.下面着重介绍笔者认为比较重要的几个部分.     

廉价单片集成放大模块

在现代微波市场上,砷化镓微波单片集成电路(GaAs MMIC)在其性能和尺寸方面所拥有的优势正在得到证实。然而,将微波单片集成电路(MMIC)嵌入现有的混合电路,由于提供偏置和射频阻抗匹配需要大量的外部元件,因而价格往往是昂贵的。本文叙述另一种工艺——多层厚膜处理工艺,能使MMIC芯片偏置和匹配所需的所有电容、电阻以及附加的元件全部集成在内。MMIC能直接装在这种“单片”混合电路上,产生一个廉价嵌入型“单片集成”放大模块。