铝及其合金熔体中去除杂质硅元素的研究进展

介绍了Si元素在纯铝和Al-Zn-Mg-Cu等高强韧舍金中的存在形式及其对合金性能的影响,说明了去除杂质硅元素的意义.综述了目前铝及其合金熔体中杂质硅的控制及去除方法,指出偏析法、三层液电解法以及电磁净化法都存在一定的局限性,而合金化法针对低硅浓度的铝合佥去除效率较低.     

光亮镀镍电解液有机杂质的去除

光亮镀镍层镀铬前无需抛光 ,因而就不存在镍镀层被显著抛薄或者某些地方被抛穿的问题。有些镀件因其形状复杂无法抛光 ,也可以用光亮镀镍获得光泽。另外 ,光亮镀镍件再进行镀铬时 ,可以不必更换挂具。光亮镀镍电解液对杂质比较敏感 ,电解液中杂质的积累往往没有预示 ,在肉眼察知以前镀层的物理性能已经起了变化—发脆和应力。因此 ,这些严重影响镀层质量的杂质必须及时除去。关于无机杂质的去除方法 ,有关资料已有较全面的介绍。对连续沉积脆性镍层的电解液 ,对一些生产企业来说 ,化验室既没有技术能力也没有设备来测定这些有机杂质的含量 ,…     

光整热镀锌钢板磷化技术

介绍了光整热镀锌钢板的磷化技术，讨论了磷化工艺参数，主要杂质离子浓度对磷化膜质量和涂膜附着力的影响，提出磷化槽液中Al^3 浓度的检测和去除方法。     

三氯氢硅除硼工艺研究进展

重点介绍了目前去除SiHCl3中硼杂质的先进方法,主要有萃取法、络合物法、吸附法、部分水解法和精馏法,并展望了后续SiHCl3的除硼工艺,指出应将不同的提纯工艺优化结合,建立严格科学的痕量杂质全过程技术管理控制体系,进一步优化杂质监测分析技术,才能高效、经济地去除SiHCl3中的杂质。     

Ar-O2气体去除硅铁合金中金属杂质研究

硅铁合金在炼钢过程中被广泛用作合金剂和脱氧剂,其中含有的金属杂质Al,Ca,Ti会直接影响钢液的洁净度,因此采用顶吹Ar-O2气体的方法去除硅铁合金中的金属杂质。借助自动扫描电镜统计精炼前后硅铁合金中杂质相的形貌、成分、面积分数,通过ICP-AES测试金属杂质的含量变化。结果表明:硅铁合金原料中含有大量的金属杂质相,Al,Ca,Ti杂质含量分别为1.11%(质量分数,下同),0.31%,0.11%;吹气精炼5min时,Al和Ca的含量分别急剧降低至0.66%和0.13%;吹气精炼45min后,杂质元素去除速率变缓,精炼反应趋于平衡;吹气精炼120min时,Al,Ca,Ti含量分别降低至0.42%,0.014%,0.094%,去除率分别为62.16%,95.48%,14.54%。吹气精炼方法能有效去除硅铁合金中Al和Ca杂质,Ti杂质去除效果不明显。     

电子束熔炼制备太阳能级多晶硅的研究现状与发展趋势

电子束熔炼具有高能量密度、高真空度等优点, 能够有效地去除硅中的挥发性杂质, 使其在制备太阳能级多晶硅材料方面具有巨大的优势和广阔的应用前景, 目前已经实现了产业化应用, 成为冶金法制备太阳能级硅材料的关键环节之一。本文在阐述挥发性杂质去除的热力学原理的基础上, 对其去除效果和去除机制进行了总结。同时, 针对电子束熔炼技术目前存在的问题, 结合作者在这些方面的探索, 从数值模拟、节能型熔炼方式以及与定向凝固技术的耦合等角度对现阶段的研究重点进行了综述, 并对其未来的发展趋势进行了展望。     

对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法

对高纯度硅烷中气态杂质和金属杂质的纯化技术和分析方法ＰａｔｒｉｃｋＡＴａｙｌｏｒ半导体制造商已经长期用硅烷制成硅的薄膜或者硅化合物。将来更高集成度的和更复杂的集成电路，以及如光生伏打电池等新器件，都要求硅烷有非常高的纯度，其规定杂质为１０－１２（ｐｐ...     

结晶法制备高纯Al_2O_3过程中pH值对杂质Fe去除的影响

以氢氧化铝为原料,通过制取硫酸铝铵前驱体,再经过高温煅烧硫酸铝铵制备出高纯氧化铝。研究了硫酸铝铵溶液ph值对高纯氧化铝中杂质Fe去除的影响。采用SEM、XRD、AAS、TG/DSC等测试手段对样品进行表征。结果表明,在硫酸铝铵溶液pH为3时制备的氧化铝中杂质Fe含量最低,为6.66mg/kg,制得的氧化铝的纯度高,氧化铝晶体为颗粒状且分散性良好。     

杂质的去除：利用高科技硅涂层去除药物杂质

防刮眼镜，容易清洁的表面，具有较长寿命的药物：高科技涂层技术正在很多领域创造着新的奇迹，包括制药包装行业在内。Schott公司的Type I就是一种可以去除杂质的硅涂层。     

AlN原料的钨网炉高温提纯

商品氮化铝粉料中含有高浓度的氧、碳及金属杂质,需经过高温提纯处理后才能用于物理气相法氮化铝晶体生长。与感应加热相比,钨网电阻加热可有效避免碳、氧等的二次沾污,势必具有良好的提纯效果。本文采用钨网炉对AlN原料进行高温烧结提纯处理,通过X射线能谱仪(EDS)、气体分析技术(IGA)和辉光放电质谱仪(GDMS)对烧结处理后AlN的杂质含量进行了测试分析,结果表明经钨网炉高温烧结处理后,AlN原料中杂质含量明显降低,其中的氧、碳去除效果显著。还进一步分析了杂质挥发、原料损耗随温度、时间变化的规律。     

超声场湿法提纯冶金级硅的研究

研究了在超声场作用下冶金级硅粉分别经过盐酸、硝酸、氢氟酸处理后,Al、Fe、Ti、Ca、Cu等主要金属杂质的含量变化,并与普通机械搅拌进行了对比.实验结果表明,在盐酸、硝酸、氢氟酸的酸洗情况下,杂质的去除率分别提高了16.2%、7.1%、6.8%.实验同时研究了在超声场作用下酸洗时间对金属杂质去除的影响.探讨了超声场湿法提纯冶金级硅粉的原理.     

镀镍槽金属杂质的影响,检测及去除方法

镀镍液中常因有Cu、Zn、Fe、Cr等金属杂质而影响镀层质量。本文扼要介绍金属杂质的影响、检测和除去方法。一、杂质来源与影响铜杂质多是由镀液腐蚀阳极导电铜棒、铜挂钩和零件落入镀槽造成的。少量的铜杂质进入镀液就会使低电流区发暗、粗糙。铜含量超过5mg/l时,使镀层变灰黑,甚至影响镀层的结合力。锌杂质常由不纯的硫酸镍或含锌的活性炭和落入槽内的黄铜零件、锌合金零件腐蚀而产生。当锌含量达0.02g/l时,镀层就开始发脆,赫尔槽试验表明,低电流区呈黑色。     

HL—1装置等离子体删削层杂质流通量的实验研究

ＨＬ－１装置放电期间，利用表面收集探针暴露于等离子体边界区，并随后进行综合表面分析研究了第一壁材料结构对等离子体删削层的杂质流通量和杂质分布的影响。     

压滤机在硫酸法钛白粉生产的应用

钛白粉是一种优质的白色颜料,具有良好的光散射能力,因而白度好,着色力高,遮盖力强。白度是钛白粉最重要的质量指标之一。影响钛白粉白度的因素是复杂的,杂质的含量是影响钛白粉的白度主要因素之一。因此,为了提高钛白粉的白度,在生产过程中应尽可能除去杂质含量。钛液中的不溶性杂质可在沉降和精滤过程中除去,通过结晶,可以除去溶液中大部分的硫酸亚铁,在偏钛酸水洗过程中,将溶解于溶液的硫酸亚铁等杂质除去。应用过滤设备对不同工段的二氧化钛进行过滤和水洗,实现二氧化钛同其它杂质的分离,过滤设备的正确选用有着至关重要的作用,既要最大限度减少废物的排放量,又不使产品的质量下降。     

FeSi2 Ti相重构对工业硅中杂质酸洗行为的影响

为了强化酸洗提纯多晶硅技术,本工作通过FeSi_2Ti相重构来提高酸洗的除杂能力。研究结果发现,经Si-Fe-Ti合金精炼之后,工业硅中的主要杂质相由原来的Si-Fe-Al、Si-Al-Fe和Si-Ti-Fe相转变成FeSi_2Ti、Si-Ti-Fe(τ5)和Si-Fe-Al相。采用原位刻蚀技术可以发现,去除工业硅和Si-Fe-Ti合金中的杂质相的最佳溶剂皆为HCl+HF混合酸,其中杂质相的酸洗行为和主要杂质的组成紧密相关。工业硅经Si-Fe-Ti合金化后能够提高HCl+HF混合酸的酸洗效果,特别是能够大幅降低Mn、Ni、V和Cu等难溶元素的含量,使得工业硅的纯度从99.74%提高到99.97%。     

HL－1装置等离子体删削层杂质流通量的实验研究

ＨＬ－１装置放电期间，利用表面收集探针暴露于等离子体边界区，并随后进行综合表面分析研究了第一壁材料结构对等离子体删削层的杂质流通量和杂质分布的影响。     

有机气体纯度定值方法的研究

介绍了CH_4、C_2H_6、C_2H_2、C_2H_4、C_3H_6、C_3H_8六种气体纯度分析的方法。该方法包括分析纯气中的杂质来源,确定纯气中的主要杂质,选择难分离杂质对的分析方法及杂质分析的定量方法。根据误差传递公式,准确分析了本方法对各种杂质测量的不确定度。     

常见杂质离子对不锈钢钝化处理的影响

通过在不锈钢化处理液中分别添加Ｃｌ＾－、Ｆｅ＾３＋等常见化学杂质，对１８－８不锈钢进行钝化处理，应用电化学方法测量点腐蚀临界电位等腐蚀参数，考察钝化液中化学杂质对不锈钢表面蚀化学处理效果的影响。     

明胶杂质对胶片照相性能的影响

前言照相明胶是由多种氨基酸组成的蛋白质。由于制造工艺与天然的属性,其中含有多种微量杂质。如活性硫、二氧化硫、易变硫、乙二醛、甘油醛、腺嘌呤等,还有极少量的氯、铁离子。根据要求明胶厂产品化验单上注明有活性硫、二氧化硫、易变硫、氯和铁离子等五种杂质含量。前三种杂质对胶片照相性能影响较大,而且明胶厂生产出的每批杂质含量又不相同,这就给胶片厂选胶、换胶、稳定产品质量带来了一定的困难。     

高纯等离子体工艺气体中痕量杂质的影响及特性

如何不详细地了解气源杂质的分布曲线，而只是简单地规定所有气体纯度等级，就不能充分确保优质气体均一地输送到工艺过程中。例兴了等离子体刻蚀工艺。