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采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA. 相似文献
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基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm2,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2013,(6)
稳定的非挥发性存储器(Non-volatile memory,NVM)是射频识别标签系统中的重要组成部分,作为系统的信息承载体,用于存储用户或产品的基本信息。NVM的性能和造价是约束其发展的主要因素,为了改善非挥发性存储器的性能和降低其成本,文中基于传统的非挥发性存储器EEPROM,采用UMC 0.18μm标准CMOS工艺,优化设计了一个存储容量为256位高性能低成本的单栅非挥发性存储器,从工作电压、效率、速度和功耗的角度,对存储单元进行了隔离保护处理,改进了电荷泵的升压模块和稳压模块,采用电压检测型灵敏放大器。电源电压1.8V,编程电流为42μA,读电流为2μA,编程时间为5ms/bit,读速率为2Mb/s。 相似文献
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分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC Class0协议,提出电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、稳压源、能量开启、脉宽解调、反向调制、振荡器、时钟校准等部分。采用Chartered 0.35μm CMOS工艺进行流片,整个前端模块工作电压(不包括整流电路)3.3V,电流13.8μA。最后给出芯片照片及测试结果。 相似文献
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提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm. 相似文献
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提出了一种符合ISO/IEC 18000-6B标准的高性能无源UHF RFID电子标签模拟前端,在915MHz ISM频带下工作时其电流小于8μA.该模拟前端除天线外无外接元器件,通过肖特基二极管整流器从射频电磁场接收能量.该RFID模拟前端包括本地振荡器、时钟产生电路、复位电路、匹配网络和反向散射电路、整流器、稳压器以及AM解调器等.该芯片采用支持肖特基二极管和EEPROM的Chartered 0.35μm 2P4M CMOS工艺进行流片,读取距离大于3m,芯片面积为300μm×720μm. 相似文献
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Zhaoxian Cheng Xiaoxing Zhang Yujie Dai Yingjie Lu 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2013,74(3):585-589
This paper presents an optimized embedded EEPROM design approach which has reduced the power significantly in a short-range passive RFID tag. The proposed array control circuit employs an improved structure to minimize the leakage of memory bit cells. With the proposed array circuit design, the passive RFID tag can operate drawing a low quiescent current. The RFID tag with the proposed EEPROM was fabricated in a standard 0.35-μm four-metal two-poly CMOS process. Measurement results show that the erasing/writing current is 45 μA, and reading current consumption is 3 μA with a supply voltage of 3.3 V. The data read time is 300 ns/bit. 相似文献
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设计了一种应用于单片CMOS超高频射频识别阅读器中的低功耗、低相位噪声LC VCO。根据超高频射频识别阅读器的系统架构和协议要求,对本振相位噪声要求做出详细讨论;采用LC滤波器和低压差调压器分别对尾电流源噪声和电源噪声进行抑制,提高了VCO相位噪声性能。电路采用IBM 0.18μm RF CMOS工艺实现,电源电压3.3 V时,偏置电流为4.5 mA,中心频率为1.8 GHz,在频偏1 MHz处,相位噪声为-136.25 dBc/Hz,调谐范围为30%。 相似文献
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提出了一种新型的超低功耗读出电路用于18 μm中心距1 024×1 024面阵规模的AlGaN紫外焦平面。为了实现低功耗设计紫外焦平面读出电路,采用了三种设计方法,包括:电容反馈跨阻放大器CTIA结构采用工作在亚阈值区的单端输入运算放大器,列像素源随缓冲器和电平移位电路共用同一个电流源负载以及列级缓冲器的分时尾电流源设计。由于像素单元内CTIA采用了单端输入运算放大器,在3.3 V供电电压下,每个像素单元最小工作电流仅8.5 nA。该读出电路设计了可调偏置电流电路使读出电路能得到更好的性能并基于SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号工艺平台进行了设计制造。测试结果表明:由于采用了上述设计方法,整个芯片的功耗在2 MHz时钟8路输出模式下仅67.3 mW。 相似文献
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设计了一种时钟产生电路,该电路采用基于低功耗锁相环(PLL)的方法,用于产生13.56MHz ASK100%、10%调制射频卡所需要的时钟。针对射频识别(RFID)系统,锁相环采取了特殊的设计。本电路作为模块可应用于符合ISO/IEC15693、ISO/IEC18000-3标准的非接触IC卡中。通过Cadence spectre软件,使用0.35μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺模型进行验证。仿真结果显示:电路采用3.3V电源供电时,100%调制载波幅度为0%时,总工作电流仅为17μA。 相似文献
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设计了一种DC-DC升压型开关电源的低压启动电路,该电路采用两个在不同电源电压范围内工作频率较稳定的振荡器电路,利用电压检测模块进行合理的切换,解决了低输入电压下电路无法正常工作的问题,并在0.5μm CMOS工艺库(VthN=0.72 V,VthP=-0.97 V)下仿真。仿真结果表明,在0.8 V低输入电压时,通过此升压型开关电源,可以将VDD升高至3.3 V。 相似文献
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A 2-Gbaud 0.7-V swing voltage-mode driver and on-chip terminatorfor high-speed NRZ data transmission
A large-swing, voltage-mode driver and an on-chip termination circuit are presented for high-speed nonreturn-to-zero (NRZ) data transmission through a copper cable. The proposed driver with active pull-up and pull-down can generate a 700-mV signal to deliver a 2 Gbaud serial NRZ data stream. Low output impedance offered by simple negative-feedback resistors alleviates the detrimental effect of the parasitic capacitance by supplying fast current impulses. A proposed on-chip termination circuit provides termination impedance to a mid-supply termination voltage with the benefit of reduced parasitic capacitance and better termination characteristics compared with off-chip termination. The driver and termination circuits have been incorporated in a 2 Gbaud transceiver chip and fabricated in 0.35 μm CMOS technology. Measurements show a 1.4 V differential swing with a slew rate of 2.5 V/ns at the receiver output and a 65% reduction of reflection by the on-chip termination circuit with power consumption of 191 mW at 3.3 V supply 相似文献
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为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路。其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地(GND)电平时为芯片提供保护信号,阻止电流倒灌入芯片。在3.3 V电源电压下,该电路具有迟滞功能,防止其受到噪声干扰反复打开和关闭芯片。仿真结果表明,端口电压高于3.55 V时电路提供保护信号,重新下降至3.35 V后系统恢复工作;同理,端口电压低于-0.25 V时电路提供保护信号,重新上升至-0.05 V后系统恢复工作。流片测试结果显示该电路可以为CAN总线芯片提供有迟滞的过压保护功能,与符合仿真结果基本一致。 相似文献