EDTA对KDP晶体光散射性质影响的研究

不同EDTA（乙二胺四乙酸）掺杂浓度条件下生长了KDP（磷酸二氢钾）晶体,超显微法观察了EDTA对KDP晶体光散射性质的影响。结果表明,随着溶液中EDTA含量的增加,相应晶体内部的光散射现象加重。其原因在于当溶液中EDTA含量较高时,阻碍了KDP晶体的生长,导致了液相包裹物的产生,造成光散射;同时发现,同一晶体不同部分的光散射也不同。对EDTA的影响机理进行了初步的探讨。     

大口径KDP晶体夹持方式对面形的影响

对大口径KDP晶体的夹持方式以及夹持对面形的影响进行了研究。利用ANSYS建立KDP晶体侧面和正面夹持的有限元模型。研究了侧面均布荷载、侧面均匀及非均匀两点荷载作用时KDP晶体面形,得出了总荷载大小是影响晶体面形的关键因素。讨论了理想状态和实际状态下KDP晶体正面夹持面形,得出了元件表面平面度是影响晶体夹持面形主要因素。通过分析和计算,找到了降低元件平面加工精度对晶体正面夹持面形影响的理论技术方案。     

皮秒激光抛光KDP晶体的工艺研究

为了改变KDP晶体精密加工难和效率低的状态,采用皮秒超快激光抛光KDP晶体的新方法,系统地研究了激光波长、单脉冲能量密度、激光束入射角、光斑搭接率、扫描方式以及激光焦深等因素对激光抛光KDP晶体质量的影响规律,并对激光与KDP晶体的相互作用机理进行了分析。结果表明,在皮秒激光波长λ=355nm、聚焦镜焦距f=56mm、激光束入射角α=84°、激光重复频率F=800kHz、脉冲能量密度Q=2.4J/cm2、光斑搭接率O=60%、45°多方向交叉扫描以及加工次数T=10次的优化参量条件下,KDP晶体表面粗糙度均方根值可达到76nm。这一结果使激光抛光技术的研究得到了进一步补充。     

ATM网络自愈恢复椭圆搜索

本文在分析ＡＴＭ网络自愈恢复搜索基础上，提出一种减少无用搜索消息范围的椭圆搜索算法。并对自愈恢复过程进行计算机模拟，结果表明：椭圆搜索比单向搜索和双向搜索的无用搜索消息范围小，影响的节点数少，范围大小可以合理设置。所花费的代价是：必须在每个节点中建立一个最小搜索范围表。     

KDP晶体激光损伤的研究

报道了散射颗粒、焦斑面积和非线性吸收等对ＫＤＰ晶体激光损伤的影响。研究了ＫＤＰ晶体的多脉冲损伤。     

Deuterated L-arginine phosphate: a new efficient nonlinear crystal

Deuterated L-arginine phosphate (d-LAP) is a highly transparent monoclinic crystal with attractive properties for efficient frequency conversion. It is grown easily from aqueous solution, and it is phase-matchable for all nonlinear processes where KDP is phase-matchable. Over most of its usable frequency range, it is substantially more efficient than KDP. Crystals grown in large sizes (100 cm³) have a high damage threshold, excellent optical quality, are less hygroscopic than KDP, and are easily fabricated into nonlinear devices. Deuterated LAP is attractive for harmonic generation of Nd lasers and for work in the ultraviolet down to about 250 nm     

基于光热位移原理的KDP晶体光吸收系数干涉测量方法的数学模型及结构参数优化

KDP晶体的光吸收系数是评价其光学质量的重要参数。尤其在惯性约束核聚变装置（ICF）中,其大小直接决定出射脉冲的能量及频率转换效率,因此必须对它进行高精度测量。KDP晶体光吸收系数的数量级一般在10-3/cm~10-5/cm,传统的光吸收系数检测方法已经无法满足该测量分辨率要求。文中针对KDP晶体的特点提出了一种基于光热位移原理的干涉测量方法来解决其吸收系数精密测量的问题。首先利用积分变换思想建立了KDP 晶体光吸收系数干涉测量数学模型,然后基于该模型对测量系统的结构参数进行了仿真优化,得到了系统的设计参数。     

采用蒸发法实现KDP单晶柱面扩展

传统的人工生长大尺寸KDP(磷酸二氢钾)单晶过程中，柱面生长很慢，锥面的生长速度较快。实验利用恒温蒸发溶剂的办法，生长出了截面较大的KDP单晶体（8mm×22mm×45mm）。柱面的生长速度较传统的溶液降温法得到了有效的提高，尤其是向下的方向更加明显，这主要是由于液面下降，溶质边界层浓度梯度发生持续变化促使晶体快速生长造成的。对溶液的提纯、预热以及起始温度选择等积累了经验。实验也为后续的晶体生长打下了很好的基础。     

Key Distribution Protocols for Mobile Communication Systems

1IntroductionSecurityindigitalmobilecommunicationsystemshastWomajorcharacterishcsthatmustbeachieved:lowcomputahoncostanduserauthenhcation.Byusingapublickeycryptosystem,tWomobileuserswhohaveneveraamcantheoreticallyshareacryptographicsessionkey.However,currentpublickeycryptosystems'speedinencryphonor(and)deCryphonisslow.T'hisdisadvantageisseriousinmobilecommunicationnetWOrksbecauseeachuserhasverysmallcomputationPOwer.TheuserauthenhcationProblemisalsoimportanttoavoidchargesoffraudulentusage.F…     

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明，晶体中的生长缺陷、pH值、生长速度和杂质与KDP晶体散射颗粒的形态存在密切关系。     

KDP反常声光衍射几何关系的研究

讨论了ＫＤＰ晶体在三个主轴坐标平面内的反常声光衍射几何关系，计算了中心频率在２００ＭＨｚ以下ＫＤＰ声光器件的各设计参数以及性能参数。     

EDTA对KDP晶体光学性质影响

本文探讨了不同掺杂浓度下,EDTA对KDP晶体光学性质的影响。结果表明,高浓度EDTA的KDP晶体光散射有明显的影响,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。     

大口径电光晶体高精度定轴研究

大口径KDP电光开关是新一代高功率激光器多程放大系统的关键部件。分析了定轴误差对开关性能的影响,介绍了首次研制成功的240mm×240mm×14mm大尺寸KDP开关晶体的制造、定轴及性能测试装置和检测结果。     

大口径快速生长KDP晶体三倍频性能研究

主要研究大口径KDP晶体的高强度三倍频性能。采用正交偏振干涉法测量了晶体的光轴均匀性分布,并在神光III原型装置上利用快速生长二倍频晶体开展了高强度三倍频实验,验证了折射率均匀性分布对三倍频效率和近场的影响。实验结果表明,大口径快速生长KDP晶体的三倍频性能基本上满足神光III装置的要求,但快速生长晶体的受激拉曼散射增益系数和激光损伤阈值等性能仍有待进一步考核。     

焦磷酸盐对KDP晶体透过光谱的影响

研究了焦磷酸盐对KDP晶体光谱性质的影响。焦磷酸盐对KDP晶体锥面透过光谱有明显影响,其原因在于焦磷酸根在锥面上吸附,进入晶格,形成一个质子空位,导致紫外光谱的额外吸收。     

包裹体对KDP晶体光损伤阈值的影响

探讨了包裹体与KDP晶体光损伤阈值的关系。利用透射电子显微技术观察了不同条件下生长的KDP晶体中包裹物,并对晶体中的包裹体在热退火前后进行了比较。发现导致KDP晶体光损伤阈值降低的主要因素是较大尺寸的包裹体。     

高功率激光倍频系统的逆问题研究

在考虑光场的近轴衍射、走离效应和晶体吸收等因素的情况下,采用逐次逼近迭代法,对任意空间分布的高功率激光通过Ⅰ类匹配的KDP晶体倍频的逆问题〔1〕,即给定倍频光和KDP倍频晶体参数,求基频光的空间分布,作了详细研究,并给出了相应的数值计算结果。     

KDP晶体激光预处理参数的优化

KDP 晶体是目前高功率激光装置中倍频材料的首选,元件上架前通常采用激光预处理来提高抗激光损伤性能,由于预处理流程耗时较多,提升预处理效率对于工程应用具有重要意义。研究了激光预处理参数对 KDP 晶体材料损伤性能的影响,通过分析激光辐照通量、辐照发次、能量台阶等预处理参数与元件损伤性能的变化关系,发现在一定通量范围内用不同的能量台阶可以获得同样的预处理效果,由此确定采用变能量台阶的方法对预处理参数进行优化。实验证明,采用此方法可以在保证预处理效果的前提下,将总的激光辐照发次缩减三分之一,结果对于大口径 KDP 晶体元件的激光预处理工艺具有重要参考价值。     

Wide angular aperture image up-conversion

Infrared images at 1.06 μ are up-converted in KDP with an angular aperture of more than 20°. The images are up-converted by scanning the orientation of the KDP. The technique is applicable when noncritical phase matching does not allow sufficient angular aperture.     

Fast electron beam scanlaser

The electron beam scanlaser (EBS) is a device in which a modified electrooptic light valve is used as a mode selector in the highly degenerate flat-field conjugate laser resonator to provide a scanning light spot. This paper describes improvements in the mode selection portion of the EBS which make the device far more promising. In particular, 1) the charge storage time is now under control, and can be as short as needed, 2) the KDP is protected from the electron beam, 3) the electron gun is protected from the KDP, 4) provision can be made for the needed high-quality optical surfaces in the mode selector, and 5) the transparent conducting coating on the mode selector's KDP crystal has been removed, indicating that the insertion loss of the mode selector can be reduced to less than 1.5 percent.