移动电子产品继续推动功率半导体器件发展

按美国市场调查公司通信工作调查(CIR，Charlottesville，Va)的最新报告得知，今后几年用于移动产品，诸如笔记本电脑、电池电话、个人数字助理(PDA)和手提DVD唱机等，仍将强劲地推动市场增长。预计，在这些移动电子设备中用作功率管理的功率集成电路和相关的分立器件     

2008年IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议评述

综述和评论了在第20届IEEE功率半导体器件及集成电路国际会议会议上发表的一些主要成果和进展,其中对一些重点成果还补充了往年的研发情况和发展经历,希望能帮助读者大致上了解当前功率器件和功率集成电路研发的典型状况和最新信息。     

功率半导体器件的发展和市场

功率半导体器件的全球销售额每年以约１５％的速率增长,而传统器件如ＳＣＲ和ＧＴＲ等的年增长率远小于新型器件。以Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ为代表的新型功率器件集功率、控制和信息于一体,是今后发展的重点。     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

从“功率电子”到“功率系统”：现状和未来趋势

参与了26年PCIM（功率变换与运动智能控制）会议，离开之前，我（1994-2004年的欧洲PCIM会议董事长编者）愿意与大家共享我的最后一篇文章，它是关于对PCIM的三个领域的认识：功率变换，运动智能控制，电能质量和能源管理，还有未来趋势。     

功率集成电路技术的进展

本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。     

功率芯片组装工艺

本文阐述功率混合集成电路中的功率芯片组装，功率芯片的烧结机理、缺陷与产生缺陷的原因，介绍了烧结工艺与工艺控制方法。     

ZCN0545与ZCP0545低功率IGBT及其应用

ＺＣＮ０５４５与ＺＣＰ０５４５低功率ＩＧＢＴ及其应用毛兴武，祝大卫绝缘栅双极晶体管（ＩｓｏｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），英文缩写为ＩＧＢＴ。该器件于８０年代初问世，８０年代末实现了商品化。ＩＧＢＴ是一种功率半导体器件，主要应...     

VDMOS功率器件开关特性研究

本文详细分析了线性负载ＶＤＭＯＳ功率器件的开关特性，得到了开关时间与栅输入电容及器件跨导、测试（工作）电流及电压的关系，并以方形原胞为例，指出了在设计和工艺上提高开关速度的途径。     

功率模块与“功率模块”

最近，在我国电力电子产业界，对IGBT模块和IGCT组件等是否属于“功率半导体”的问题有所争议，波及进口税率，以此也影响到用它们为核心器件的高效节能装置价格上升。这里有一个功率模块的正确函义问题。现说明几点如下：     

功率半导体器件迅速发展

功率半导体器件,虽然已被大量用于工业控制系统、消费类电子装备以及新信息技术产品上,但其性能仍在不断提高,需求在不断增长。 MOSFET 1998年,中国台湾MOSPEC半导体公司功率MOSFET产量估计增长15％,其IN3773系列输出功率150W,直流电流增益16h_(FE),电大电压140V,印度Greaver公司现已     

半导体功率器件发展概况

本文简述了半导体功率器件的发展,介绍了功率二极管、闸流管、双极晶体管的主要产品技术水平和今后发展方向.     

功率半导体器件热管理

功率半导体器件也称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换电路的核心器件。功率半导体器件几乎用于所有的电子产品、电子设备制造业。功率半导体器件对于高温、低温或温度交变较为敏感,由于该类器件在电路中承担着主要功率的调节功能,并承担着大部分功率调节电应力。所以必须对功率半导体器件的热管理高度关注,提升电路的可靠性。本文主要针对功率半导体器件的应用开展热管理分析。     

功率HIC基板及其工艺布局设计研究

基板选用和工艺布局是功率混合集成电路两项重要技术内容。根据基板材料不同，功率基板及其布线工艺主要分为陶瓷基板和金属基板两大类。常规陶瓷基板以96％Al2O3陶瓷为代表，高导热陶瓷基板以BeO、AIN陶瓷为代表。陶瓷功率基板大部分采用厚膜布线工艺，另一种布线方式是DBC布线。绝缘金属基板的种类很多，最常使用的是铝基板，另...     

智能功率集成电路精彩纷呈

近年来,以新型功率MOS器件为基础的智能功率集成电路(Smart Power IC,SPIC)随着微电子技术的进步而得到了迅速发展。它融功率半导体、信息电子学、超大规模集成电路、电机学和计算机辅助设计等为一体,成为航空航天技术、工业自动化、汽车电子、未来家电和其它高新技术工业的基础。随着SPIC的设计与工艺水平不断提高,性能价格比不断改进,已逐步进入了实用阶段,成为实现功率电子装置小型化、智     

低功率—ASIC发展的新方向

低功率──ＡＳＩＣ发展的新方向东立摘编今年５月在美国圣地亚哥市召开的第１５届ＩＥＥＥ定制集成电路会议（ＣＩＣＣ），展示了ＡＳＩＣ设计开发的最新成果。在软件方面，报告了在提高电子设计自动化（ＥＤＡ）水平方面所取得的成就，并展示了混合信号和实际设计工具的...     

电子电源用功率半导体器件的新动向

电源及功率半导体器件是电源技术的核心，很大程度上影响着电源装置的性能、体积和重量。本文阐明了电源用功率半导体器件的发展过程和发展方向。     

全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器

报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片放大器芯片面积2．8mm×2．0mm，四路合成的4×MMIC频率范围不变，中心频率4．95GHz处输出功率8．2W，增益13dB，功率附加效率26％，四路合成效率接近80％。实验结果与理论预测基本吻合。     

硅功率集成技术发展动态

文章介绍了硅功率集成电路技术的一些发展劝态。单片中小功率智能集成电路发展迅速，以BCD为其主要工艺技术；基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。单片集成式的功率管为电源管理小型化、高频、较高可靠性设计提供了新途径，它们在分布式电源、便携式设备仪表中得到广泛应用。     

卷首语

2009年6月，第21届IEEE功率半导体器件和功率集成电路国际会议（ISPSD）在西班牙的巴塞罗那召开。一年一届的会议比较集中地反映一年来或近几年来国际上功率半导体器件和功率集成电路领域研究、开发的新进展、新成果和新思维。现邀请今年参加此盛会的胡冬青博士撰文述评该会议的状况，刊于本期“综述”栏目。该文分五部分阐述：1、特邀综述；2、低压器件；3、高压硅器件；4、集成功率；5、宽禁带器件与电路。限于篇幅，本期刊登1～3部分，下期刊登4～5部分。