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AlGaAs/GaAs量子阱探测器的吸收光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
从定态Schrodinger方程出发,研究了不同Al组分和不同温度对宽量子阱红外探测器吸收光谱的影响。当体系的费米能级固定后,发现量子阱基态束缚能随着A1组分增长而变大,且相应的吸收光谱峰值趋于短波。环境温度对A1GaAs/GaAs量子阱红外探测器的响应光谱影响不大。通过理论计算定量给出了A1GaAs/GaAs量子阱红外探测器吸收光谱随量子阱阱宽、Al组分和温度变化的规律。 相似文献
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量子阱红外探测器掺杂阱中能级的计算 总被引:1,自引:1,他引:0
量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础。为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层。重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的位置。通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料PL 谱进行测量,得出PL 谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量,它与阱中基态能级的位置有关。分别计算了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量,并与实验结果相比较,可以看出考虑禁带变窄效应时与实验结果相吻合,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应,这样可以较为精确的得出阱中能级的位置。 相似文献
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本文利用分子束外延(MBE)技术成功生长了GaAs/AlGaAs非均匀量子阱红外探测器材料,并对相关微结构作了细致表征。分析比较了非均匀量子阱结构和常规量子阱红外探测器性能差异,并对比研究了不同势阱宽度下非均匀量子阱红外探测器的性能变化。通过高分辨透射电子显微镜(HRTEM)结合能谱仪(EDS)对非均匀量子阱红外探测器材料微结构进行了分析,并利用二次离子质谱仪(SIMS)对非均匀势阱掺杂进行了表征。结果表明,该量子阱外延材料晶体质量很好,量子阱结构和掺杂浓度也与设计值符合较好。对于非均匀量子阱红外探测器,通过改变每个阱的掺杂浓度和势垒宽度,可以改变量子阱电场分布,而与传统的均匀量子阱红外探测器相比,其暗电流显著下降(约一个数量级)。在不同阱宽下,非均匀量子阱的跃迁模式发生改变,束缚态到准束缚态跃迁模式下(B-QB)的器件具有较高的黑体响应率以及较低的暗电流。 相似文献
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量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关.为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心设计.运用量子阱的第一激发态与势垒的高度接近时产生共振效应,进行了量子阱的优化设计,得出垒高和阱宽的关系.另外,根据器件光谱响应的要求,利用传输矩阵法计算出相应的量子阱参数.此设计方法在GaAs/AlGaAs长波-长波双色QWIP中得到了较好的验证. 相似文献
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GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的光荧光表征 总被引:2,自引:0,他引:2
对GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器器件进行显微荧光光谱(μ-PL)测量,光谱中表征势垒、势阱基态间光跃迁能量位置的荧光峰值接与势垒中Al含量相关,通过光谱实验上对势垒和量子阱带间跃迁能量的确定并结合有效质量理论的计算,获得了Al组分和阱宽值,并由此推算出相应的红外探测响应波长,与光电流谱的结果相比吻合良好,这种材料的测量结果有利于器件制备的材料筛选。 相似文献
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李娜 《红外与毫米波学报》2000,19(1):25-28
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs
量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也发生相应变化.在质子注入剂量为2.5×10 相似文献
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The high-frequency properties of quantum well infrared photodetectors (QWIP's) based on a double-barrier single QW structure are studied theoretically. An analytical model of the QWIP is developed. The model takes into account the main processes responsible for the QWIP operation, namely, the electron tunneling from the emitter, capture of the electrons into the QW, their photoexcitation from the QW, and electron drift or ballistic transport across the QWIP structure. Analytical expressions for the QWIP responsivity as functions of the modulation frequency of infrared radiation, its power density, and the QWIP structural parameters are obtained from the rigorous self-consistent small-signal analysis. It is shown that there are two distinct ranges where the frequency dispersion of the responsivity is strong. At low frequencies, the responsivity dispersion is associated with the inertia of the process of recharging of the QW while at very high frequencies the dispersion is due to the electron transit-time effect. The influence of the electron transit-time effect on the QWIP admittance is also evaluated. The derivation of the QWIP high-frequency performance and, in particular, the estimates of 3-dB bandwidth show that the QWIP's have a great potential for devices utilizing both infrared radiation and millimeter or submillimeter wavelength microwave signals 相似文献
12.
首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽为1.8nm。 相似文献
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首先从理论上研究了在应变情况下量子阱中能级的计算,然后利用LP-MOCVD研究了InGaAs/InP组份的控制及生长条件,最后生长伸张应变为0.5%的四个量子阱InGaAs/InP结构材料,利用PL光谱测量得最小阶宽为1.8nm。 相似文献
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X. Zhang P. D. Dapkus D. H. Rich I. Kim J. T. Kobayashi N. P. Kobayashi 《Journal of Electronic Materials》2000,29(1):10-14
InGaN/GaN quantum wells (QW) were grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on pyramids of epitaxial lateral
overgrown (ELO) GaN samples. The ELO GaN samples were grown by MOCVD on sapphire (0001) substrates that were patterned with
a SiNx mask. Scanning electron microscopy and cathodoluminescence (CL) imaging experiments were performed to examine lateral variations
in structure and QW luminescence energy. CL wavelength imaging (CLWI) measurements show that the QW peaks on the top of the
grooves are red-shifted in comparison with the QW emission from the side walls. The results show that In atoms have migrated
to the top of the pyramids during the QW growth. The effects of V/III ratio, growth temperature as well as ELO GaN stripe
orientation on the QW properties are also studied. 相似文献
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采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻 总被引:1,自引:1,他引:0
采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGeHBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题。 相似文献
16.
在分子束外处生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs最子红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的最子阱材料和相应器件进行了比较,发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显。 相似文献
17.
Effect of Silicon Doping in the Quantum-Well Barriers on the Electrical and Optical Properties of Visible Green Light-Emitting Diodes 总被引:1,自引:0,他引:1
《Photonics Technology Letters, IEEE》2008,20(21):1769-1771
18.
考虑了纤锌矿GaN/Al<,x>Ga<,1-x>N量子阱(QW)材料中空穴带质量和光学声子模的各向异性以及声子频率随波矢变化的效应,采用改进的LLP变分法计算了纤锌矿氮化物QW中激子的基态能量和结合能.给出了激子的基态能量和结合能随着QW宽度和Al组分变化的函数关系,并对闪锌矿和纤锌矿GaN/Al<0.3>Ga<,0.... 相似文献